半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种包含ｎ型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明专利技术的半导体元件具有ｎ型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的ＴｉＷ合金层。根据优选实施例，上述电极也可以用作接触电极。根据优选实施例，上述电极具有优异的热阻。此外，还提出了所述半导体元件的生产方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，所述半导体元件包括n 型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的电极。
技术介绍
氮化镓基化合物半导体(在下文中也称作GaN基半导体)是一种 通过以下化学式表示的in族氮化物构成的化合物半导体 AlJnbGa卜a-bN((Ka^1, (Kb^l, (Ka+b^l)，所述GaN基半导体由具有诸如GaN、 InGaN、 AlGaN、 AlInGaN、 A1N、 InN等之类的这些化合物作为示例。在上述化学式的化合物半导体中， 将一部分in族元素用B (硼)、Tl (铊)等来代替、将一部分N (氮) 用P (磷)、As (砷)、Sb (锑)、Bi (铋)等来代替的化合物也包含在GaN 基半导体中。近年来，发射具有从绿光到紫外光波长的光的诸如发光二极管 (LED)、激光二极管(LD)等之类的GaN基半导体发光元件已经实践并 且引起了注意.该发光元件具有通过将n型GaN基半导体和p型GaN基半 导体连接形成的pn结二极管结构作为基本机构。简单地说，根据发光元 件的发光机制，当注入到n型GaN基半导体中的电子和注入到p型GaN 基半导体中的正空穴在pn结及其附近再次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，包括ｎ型氮化镓基化合物半导体的半导体元件，以及与所述半导体欧姆接触的电极，其中所述电极具有与所述半导体接触的ＴｉＷ合金层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-4-8 112610/2005;JP 2006-2-8 031741/20061.一种半导体元件，包括n型氮化镓基化合物半导体的半导体元件，以及与所述半导体欧姆接触的电极，其中所述电极具有与所述半导体接触的TiW合金层。2. 根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有 小于等于70wt9&的Ti浓度。3. 根据权利要求2所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有 小于等于40wty。的Ti浓度。4. 根据权利要求3所述的半导体元件，其中所述TiW合金层具有 小于等于8wt9&的Ti浓度。5. 根据权利要求1至4任一项所述的半导体元件，其中所述TiW 合金层具有大于等于4wty。的Ti浓度。6. 根据权利要求1所述的半导体元件，其中沿TiW合金层的厚度 方向，所述TiW合金层的W-Ti成分比实质上恒定。7. 根据权利要求1所述的半导体元件，其中通过使用Ti含量小于 等于90wty。的Ti-W耙进行溅射来形成TiW合金层。8. 根据权利要求7所述的半导体元件，其中通过使用Ti含量为 10wt。/。的Ti-W耙进行溅射来形成TiW合金层。9. 根据权利要求4或8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野刚志，城市隆秀，冈川广明，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]