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本发明的目的是提供一种包含ｎ型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明的半导体元件具有ｎ型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的ＴｉＷ合金层。根据优...
该专利属于三菱化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱化学株式会社授权不得商用。

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