【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理方法，详细地说，涉及对半导体晶片等被处理基板进行成膜等处理的基板处理方法。
技术介绍
在利用CVD等方法对作为被处理基板的半导体晶片(以下，有时 io仅称为晶片)进行成膜的成膜装置中，在作为载置晶片的基板载置 台的基座中设置有加热单元，通过对该基座进行加热，间接地对晶片 进行加热，并进行各种成膜反应。基座由导热性优异的A1N等陶瓷系 材料构成，能够将被处理基板加热至例如70(TC以上的处理温度。近年来，晶片的尺寸大型化至200mm 300mm，与此相伴，由于 15 成膜时的加热时(升温工序)的温度变化，晶片容易产生弯曲。当这 样晶片产生弯曲吋，在搬送时会引起晶片的位置偏移等，在载置在基 座上时，晶片的周边部等与基座接触，成为产生破损或微粒污染的原 因。因此，在对品片进行加热处理的过程屮，使晶片不产生弯曲是非 常重要的。20 因此，已提出了在将晶片搬入到处理室中后，在保持在基板支撑销上的状态下进行第一预加热，然后，使基板支撑销下降，将晶片载 置在载置台上，进行第二预加热的CVD成膜方法(例如，特开 2003-77863号公报)。25 专利技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】l.一种基板处理方法，其特征在于，包括在基板处理装置的处理室内，在将被处理基板载置在载置台上 的状态下，进行第一预加热的工序； 5 使所述载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下，进行第二预加热的工序；和使所述基板支撑销下降，将被处理基板载置在所述载置台上， 一边加热至700°C以上的处理温度一边进行处理的工序。2. —种基板处理方法，其特征在于，包括在基板处理装置的处理室内，在将被处理基板载置在载置台上 的状态下，在被处理基板不产生弯曲的温度范围内进行规定时间的第一预加热的工序；使所述载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基 15 板支撑销上的状态下，在被处理基板容易产生弯曲的温度范围内进 行第二预加热的工序；和使所述基板支撑销下降，将被处理基板载置在所述载置台上， 一边加热至700°C以上的处理温度一边进行处理的工序。3. —种基板处理方法，其特征在于，包括将被处理基板搬入到基板处理装置的处理室内，使被处理基板位于第一位置的第一工序；从所述第一位置改变到第二位置，对被处理基板进行加热的第 二工序；25 从所述第二位置改变到第三位置，对被处理基板进行加热的第三工序；和从所述第三位置改变到第四位置， 一边对被处理基板进行加热 一边在700°C以上的处理温度下进行处理的第四工序。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于所述第二位置和所述第四位置是将被处理基板载置在所述载置 台上的位置，所述第三位置是将被处理基板支撑在所述载置台上方 的位置。5. 根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于5 被处理基板是硅基板，所述第一预加热中的加热温度小于600。C。6. 根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于被处理基板是硅基板，所述第二工序中的加热温度小于60(TC。107. 根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于所述处理温度为700°C 1100°C。8. 根据权利耍求1所述的基板处理方法，其特征在于15 所述基板处理装置是使处理气体的等离子体作用于被处理基板以对该被处理基板进行处理的等离子体处理装置。9. 根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于所述等离子体通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入所20 述处理室内而形成。10. 根据权利要求l所述的基板处理方法，其特征在于处理压力大于53.3Pa小于等于101325Pa。11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于在所述进行第一预加热的工序中，将被处理基板升温至第一温 度，在所述进行第二预加热的工序中，将被处理基板升温至第二温 度，所述第一温度为比所述第二温度低的温度。12.根据权利要求11所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高槻浩一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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