基板处理方法技术

本发明专利技术提供一种基板处理方法，包括：在处理容器中进行被处理基板的第一处理的第一工序；将所述被处理基板从所述处理容器中搬出的第二工序；进行所述处理容器的氧除去处理的第三工序；将所述被处理基板搬入所述处理容器的第四工序；和进行所述被处理基板的第二处理的第五工序。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板处理装置和，特别是涉及一种 用于制造具有高电介质膜的、超细微化高速半导体装置的基板处理装 置和。
技术介绍
在现在的超高速半导体装置中，细微处理有了发展，同吋0.1微米 以下的栅极长皮成为可能。通常，细微化的同吋提高了半导体装覽的 动作速度，但在这样非常细微化的半导体装置中，随着细微化导致的 栅极长度的缩短，需要按比例减少栅极绝缘膜的膜厚。但如果栅极长度为0.1微米以下，栅极绝缘膜的厚度在使用现有的 热氧化膜的情况下，需要设定为1 2nm或者以下，但利用这样的非常 薄的栅极绝缘膜，就不能回避隧道电流增大，导致栅极泄漏电流增大 的问题。这样，相对介电常数与现有的热氧化膜相比过大，为此，提出了 对于栅极绝缘膜适用的、实际膜厚大但换算成Si02膜的情况下膜厚小 的丁3205或者A1203、 Zr02、 Hf02、以及ZrSi04或者HfSi04这样的高 电介质材料(所谓的高一K材料)。通过使用这样的高电介质材料， 如果栅极长度为0.1微米以下，在非常短的超高速半导体装置中，也能 够使用lOnm左右的物理膜厚的栅极绝缘膜，能够抑制隧道效果导致的 栅极泄漏电流。例如，己本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括：　　　　在处理容器中进行被处理基板的第一处理的第一工序；　　　　将所述被处理基板从所述处理容器中搬出的第二工序；　　　　进行所述处理容器的氧除去处理的第三工序；　　　　将所述被处理基板搬入所述处理容器的第四工序；和　　　　进行所述被处理基板的第二处理的第五工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-17 2003-0726501.一种基板处理方法，其特征在于，包括在处理容器中进行被处理基板的第一处理的第一工序；将所述被处理基板从所述处理容器中搬出的第二工序；进行所述处理容器的氧除去处理的第三工序；将所述被处理基板搬入所述处理容器的第四工序；和进行所述被处理基板的第二处理的第五工序。2. 根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于， 在所述氧除去处理中，等离子体激励处理气体，导入到所述处理容器，将该处理气体从所述处理容器中排气。3. 根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于， 所述处理气体是非活性气体。4. 根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于， 所述被处理基板是硅基板，所述第一处理是氧化所述硅基板表面来形成氧化膜的氧化处理。5. 根据权利耍求4所述的基板处理方法，其特征在于， 所述第二处理是氮化所述氧化膜来形成氮氧化膜的氮化处理。6. 根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于， 所述处理容器具有氧自由基形成部和氮自由基形成部，通过由所述氧自由基形成部所形成的氧自由基来进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎和良，青山真太郎，井下田真信，神力博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]