基板处理装置和该装置的分析方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块（２）中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度（４２）和通过腔室内后的处理气体的发光强度（４３），在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度（４４）与发光强度（４２）一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度（４５），计算该发光强度（４５）和发光强度（４３）的变动量（４７），在对晶片（Ｗ）的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度（４８），从该发光强度（４８）之中除去所述发光强度的变动量（４７），计算真正反映腔室（１０）内的状态的发光强度（４９），并由该发光强度（４９）检知等离子体处理的终点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及用气 体分析装置内的状态等的基板处理装置。
技术介绍
在半导体晶片等的基板上实施等离子体处理的基板处理装置，包 括收容基板的收容室(腔室)，通过在该腔室内产生的等离子体在基板 上实施等离子体处理。在基板上实施适当的等离子体处理，重要的是 检测腔室内的状态和等离子体处理的终点。作为检测腔室内的状态和等离子体处理的终点的方法，已知有以 下方法在腔室的侧壁上嵌入有由石英玻璃构成的窗，以与该窗相对 的方式配置有等离子体分光分析器，通过该分光分析器分光分析腔室 内的等离子体发光(例如参照专利文献l)。专利文献l:日本特开2004-319961号公报(段落0038)
技术实现思路
但是，腔室的窗存在随着时间的流逝变得模糊不清的情况。此外， 经过规定的使用时间也有必要更换具有分光分析器的感光传感器，更 换前的传感器和更换后的传感器在感光性能上存在个体差异。在分光 分析器分光分析的结果中，包含这些腔室的窗的模糊不清和传感器的 更换的影响。此外，若更换腔室内的零件，例如屏蔽环和聚焦环，即使与即将 更换前的方案(处理条件)相同，也存在即将更换前的等离子体发光 的状态与刚更换后的等离子体发光的状态不同的情况。即，存在等离 子体发光因腔室内的零件更换而受到影响的情况。因此，在分光分析 器分光分析的结果中，也包含腔室内的零件更换的影响。以上，分光分析器分光分析的结果不是纯粹地反映腔室内的状态，也反映其他的变动要因(腔室的窗的模糊不清、传感器的更换或腔室 内的零件更换的影响)，因此不能正确地检知腔室内的状态。本专利技术的目的在于提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处 理装置和该装置的分析方法。为了达成上述目的，本专利技术第一方面的基板处理装置，其包括收 容基板的收容室和向该收容室内导入气体的气体导入装置，上述收容 室具有在上述基板上用上述气体实施规定的处理的处理空间，上述基 板处理装置的特征在于，包括分析导入上述收容室前的气体的导入 前气体分析装置；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分析 装置；和根据导入上述收容室前的气体分析结果和通过上述处理空间 后的气体分析结果来检知上述收容室内的状态的状态检知装置。该状 态检知装置，对在多个上述基板上实施上述规定的处理之前的通过上 述处理空间后的气体分析结果对导入上述收容室前的气体分析结果的 比进行计算，对在多个上述基板上实施上述规定的处理之后的通过上 述处理空间后的气体分析结果对导入上述收容室前的气体分析结果的 比进行计算，以使得在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之前 的比与在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之后的比相同的方 式，计算用于对在上述多个上述基板上实施上述规定的处理之后的通 过上述处理空间后的气体分析结果进行校正分析结果校正值，用该算 出的分析结果校正值来校正通过上述处理空间后的气体分析结果。本专利技术第二方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面的基板处理装置中，上述状态检知装置根据上述校正过的通过上述 处理空间后的气体分析结果来检测上述规定的处理的终点。本专利技术第三方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面或第二方面的基板处理装置中，具有对上述收容室内进行排气的排 气系统，在上述排气系统上配置有上述通过后气体分析装置。本专利技术第四方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第三方 面的基板处理装置中，上述收容室具有防止上述处理空间的等离子体 向下游流出的排气板，上述排气系统具有高分子真空泵，在上述排气 板和上述高分子真空泵之间.配置有上述通过后气体分析装置。本专利技术第五方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方面或第二方面的基板处理装置中，在上述收容室上配置有上述通过后 气体分析装置。本专利技术第六方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面 第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装 置和上述通过后气体分析装置的至少一方包括引入气体的气体引入 室；在该气体引入室内使等离子体产生的等离子体产生装置；对由上 述等离子体激发的上述气体中的原子或分子的发光进行分光并测定发 光强度的分光测定装置。本专利技术第七方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面 第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装 置和上述通过后气体分析装置的至少一方为质量分析器。本专利技术第八方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面 第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装 置和上述通过后气体分析装置的至少一方为傅里叶变换红外分光光度 计。本专利技术第九方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面 第五方面中任一方面的基板处理装置中，上述导入前气体分析装 置和上述通过后气体分析装置的至少一方包括上述气体流动的气体 管；在该气体管内使等离子体产生的等离子体产生装置；对上述气体 管内的等离子体产生中心部的下游的余辉进行分光并测定发光强度的 分光测定装置。本专利技术第十方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第一方 面 第九方面中任一方面的基板处理装置中，上述基板处理装置与将 上述基板向该基板处理装置搬入搬出的基板搬送装置连接，该基板搬 送装置具有分析该基板搬送装置内的气体的气体分析装置。本专利技术第十一方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第十 方面的基板处理装置中，上述基板搬送装置具有对该基板搬送装置内 的气体进行排气的第二排气系统，上述气体分析装置配置在该第二排 气系统上。本专利技术第十二方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第十 方面的基板处理装置中，上述基板搬送装置具有暂时收容上述基板的第二收容室，上述气体分析装置配置在上述第二收容室上。为了达成上述目的，本专利技术第十三方面的基板处理装置，其包括 收容基板的收容室和向该收容室内导入气体的气体导入装置，上述收 容室具有在上述基板上用上述气体实施规定的处理的处理空间，上述 基板处理装置的特征在于，包括分析导入上述收容室前的气体的导 入前气体分析装置；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分 析装置；和根据导入上述收容室前的气体分析结果和通过上述处理空间后的气体分析结果来检知上述收容室内的状态的状态检知装置。该 状态检知装置，在上述收容室的维修保养前后的导入上述收容室前的 气体分析结果相同的情况下，计算上述收容室的维修保养前后间的通 过上述处理空间后的气体分析结果的变动量，用该算出的变动量来校 正通过上述处理空间后的气体分析结果。本专利技术第十四方面的基板处理装置，其特征在于在本专利技术第十 三方面的基板处理装置中，部件更换、部件清洗或上述收容室的干洗 相当于上述收容室的维修保养。为了达成上述目的，本专利技术第十五方面的基板处理装置的分析方 法，上述基板处理装置包括收容基板的收容室和向该收容室内导入气 体的气体导入装置，上述收容室具有在上述基板上用上述气体实施规 定的处理的处理空间，上述分析方法的特征在于，包括分析导入上 述收容室前的气体的导入前气体分析步骤；分析通过上述处理空间后的气体的通过后气体分析步骤；和根据导入上述收容室前的气体分析 结果和通过上述处理空间后的气体分析结果来检知上述收容室内的状 态的状态检知步骤。该状态检知步骤，对在多个上述基板上实施上述 规定的处理之前的通过上述处理空间后的气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述基板处理装置的特征在于，包括：分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析装置；分析 通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知装置，该状态检知装置，对在多个所述基板上实施所述规定的处理之前的通过所述处 理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之前的比与在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。

【技术特征摘要】
JP 2006-11-10 2006-3058441.一种基板处理装置，其包括收容基板的收容室和向该收容室导入气体的气体导入装置，所述收容室具有在所述基板上用所述气体实施规定的处理的处理空间，所述基板处理装置的特征在于，包括分析导入所述收容室前的气体的导入前气体分析装置；分析通过所述处理空间后的气体的通过后气体分析装置；和根据导入所述收容室前的气体分析结果和通过所述处理空间后的气体分析结果来检知所述收容室内的状态的状态检知装置，该状态检知装置，对在多个所述基板上实施所述规定的处理之前的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，并对在多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果对导入所述收容室前的气体分析结果的比进行计算，以使得在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之前的比与在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的比相同的方式，计算用于对在所述多个所述基板上实施所述规定的处理之后的通过所述处理空间后的气体分析结果进行校正的分析结果校正值，用该算出的分析结果校正值来校正通过所述处理空间后的气体分析结果。2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于 所述状态检知装置根据所述校正过的通过所述处理空间后的气体分析结果来检测所述规定的处理的终点。3. 如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于 其具有对所述收容室内进行排气的排气系统，在所述排气系统中配置有所述通过后气体分析装置。4. 如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于所述收容室具有防止所述处理空间的等离子体向下游流出的排气 板，所述排气系统具有高分子真空泵，在所述排气板和所述高分子真空泵之间配置有所述通过后气体分析装置。5. 如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于 在所述收容室上配置有所述通过后气体分析装置。6. 如权利要求1 5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于: 所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置中的至少一方包括引入气体的气体引入室、在该气体引入室内使等离子体产生 的等离子体产生装置、对由所述等离子体激发的所述气体中的原子或 分子的发光进行分光并测定发光强度的分光测定装置。7. 如权利要求1 5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于-所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方为质量分析器。8. 如权利要求1 5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于 所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方为傅里叶变换红外分光光度计。9. 如权利要求1 5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于 所述导入前气体分析装置和所述通过后气体分析装置的至少一方包括所述气体流动的气体管、在该气体管内使等离子体产生的等离 子体产生装置、对所述气体管内的等离子体产生中心部的下游的余辉 进行分光并测定发光强度的分光测定装置。10. 如权利要求1 9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于 所述基板处理装置与将所述基板向该基板处理装置搬入搬出的基板搬送装置连接，该基板搬送装置具有分析该基板搬送装置内的气体的气体分析装置。11. 如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于所述基板搬送装置具有对该基板搬送装置内的气体进行排气的第 二排气系统，所述气体分析装置配置在该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中秀树，齐藤进，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]