公开了一种在清洗微电子部件的过程中，为减少处理低ｋ介电材料膜时的损伤的设备、方法和系统。本发明通过对微电子组件的处理采取首先进行钝化处理随后进行清洗溶液处理，来清洗多孔低ｋ介电材料膜，从而在具有高选择性的同时对介电材料的损伤最小。

本发明涉及一种等离子体处理方法，该方法在对ＳｉＯＣ膜等绝缘膜进行蚀刻时，将孔的口径和槽的宽度等控制在较小值。在进行蚀刻之前，将含有ＣＦ↓［４］气体和ＣＨ↓［３］Ｆ气体的处理气体等离子体化，利用该等离子体实施使堆积物附着在抗蚀剂掩模开口部...

本发明涉及一种在处理室内对基板进行热处理的热处理装置，包括载置基板并对其进行热处理的加热板，以及从上方覆盖该加热板、构成处理室的一部分的盖体。盖体包括顶板、以及垂直设置在该顶板的周端部上的周侧部。在顶板上设置有将气体供给至处理室内的供给...

在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的ＲＬＳＡ方式的等离子体处理装置（１００）中，使得腔室内压力为６７～６６７Ｐａ、温度为３００～６００℃以下、微波功率为１０００～３５００Ｗ、作为处理气体而使用１００～２０００ｍＬ...

本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板旋转装置包括：直接或者间接地连接在基板支承体上的从动旋转体、例如从动环；和在与可动部件接触的状态下，进行旋转从而旋转驱动上述从动...

本发明提供一种在半导体处理装置中使用的构成部件（１０），其包括：规定构成部件的形状的基材（１０ａ）和覆盖基材的规定表面的保护膜（１０ｃ）。保护膜（１０ｃ）由选自铝、硅、铪、锆和钇的第一元素的氧化物的无定形体构成。保护膜（１０ｃ）具有小于...

本发明提供紧凑的重物翻转设备的技术，它能够减小重物的重心中点和定位在轴上的支点之间的距离，并且构造使得转臂和驱动单元在通过重物绕其翻转的支点的轴的方向上具有长度。控制单元１２将支承基座１３固定到架子３上。起到前减速齿轮作用的正交轴减速齿...

本发明提供一种可兼顾高均匀性和高制品生产率的加热处理装置和加热处理方法，并提供可进行重视高均匀性处理和重视高制品生产率处理的加热处理装置，包括：加热基板Ｗ用的加热板（１２１）；围绕加热板（１２１）上方空间的盖（１２３）；排出盖（１２３）...

本发明提供一种基板冷却装置，即使针对大型化的基板，也能够提高生产能力，同时能够确实地防止基板的变形和破损。基板冷却装置（２５）包括：滚动搬送机构（５），其为向一个方向搬送加热后的基板（Ｇ）的搬送路；和冷却结构（７），冷却由滚动搬送机构（...

本发明提供一种能够高效率地除去氧化物层和有机物层的基板处理装置。基板处理装置（１０）的第三处理单元（３６）包括框体状的处理室容器（腔室）（５０）、氧气供给系统（１９２）和天线装置（１９１），氧气供给系统（１９２）通过氧气供给环（１９８）...

在形成有抗蚀剂膜的基板上形成防水性的保护膜，并对在该表面上形成有液层而被浸液曝光后的基板进行显影处理时，减少显影缺陷，并且提高图案的线宽的控制性。首先从在抗蚀剂膜的表面上形成有液层的状态下被曝光后的基板上除去保护膜。然后对基板进行加热处...

向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出洗净液，该洗净液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以１５...

本发明提供一种气体供给装置，其能够以简单的配管结构且通过简单的控制，不受压力变动等的影响，从处理室内的多个部位供给气体，能够实现所期望的面内均匀性。在进行晶片处理之前，针对分流量调整单元（２３０）实施对分流量进行调整的压力比控制，使各处...

本发明提供可以一面继续进行具有更换对象以外的处理器具的处理单元的处理，一面进行供给处理的处理器具的更换的处理器具的更换方法和更换用程序。作为在由搬运部件将被处理体搬入到处理单元内，由作为处理器具的处理杯（２３）包围的状态中，对被处理体实...

在本发明中，在涂布显影处理系统中的加热处理装置的基台上，呈直线状并排设有多个热处理板。在加热处理装置中设有在相邻热处理板之间的各区间搬送基板的３个搬送部件群。在加热处理装置中实施前烘处理时，基板被依次搬送到温度相同的热处理板上，并在各热...

在等离子体处理装置（１００）中，在基座（２）的上方配备有上侧板（６０）和下侧板（６１）。上侧板（６０）和下侧板（６１）由石英等耐热性绝缘体构成，并且相互离开规定的间隔，例如５ｍｍ，平行设置，具有多个贯通孔（６０ａ）或（６１ａ）。在重叠两...

该方法包括一种用于刻蚀处理的方法，其允许对隔离和嵌套结构／特征之间的偏置进行调节，对其中隔离结构／特征需要小于嵌套结构／特征并且嵌套结构／特征相对于隔离结构／特征需要被减小的过程进行校正，同时允许对修饰进行临界控制。

本发明提供了一种在衬底上沉积Ｒｕ金属层的方法。所述方法包括：将衬底提供到处理室中；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括载气、钌－羰基前驱体和氢气。本发明还包括通过热化学气相沉积工艺将Ｒｕ金属层沉积到所述衬底上。在本发明的一个...

本发明提供一种基板处理方法，该方法在溶解抗蚀剂图形、形成所希望的图形的回流处理中，能够防止发生断线等不良问题，对于希望遮掩的规定区域能够有效地形成具有充分的均匀性的图形。其包括从具有厚膜部和薄膜部的抗蚀剂图形（２０６），利用再显影处理除...

本发明涉及半导体处理系统的控制。另外，本发明涉及ｒｕｎ－ｔｏ－ｒｕｎ（运行到运行）控制器，其用于创建虚拟模块以在半导体晶片处理期间控制由多室工具执行的多趟过程。