【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种等离子体处理方法，使用等离子体处理装置对基板进行处理，该等离子体处理装置具有与相互对置的上部电极和下部电极之一连接，用于向处理气氛供给第一高频，将处理气体等离子体化的第一高频电源，其特征在于，包括：将基板载置在下部电极上的工序， 所述基板在由含有硅和氧的低介电常数膜构成的绝缘膜上叠层有抗蚀剂掩模；向处理气氛供给含有作为含碳和氟的化合物的ＣＦ类气体和ＣＨ↓［ｘ］Ｆ↓［ｙ］气体的处理气体的工序，其中，ｘ、ｙ是合计为４的自然数；向处理气氛供给第一高频，将处 理气体等离子体化，生成等离子体，使堆积物附着在抗蚀剂掩模的开口部的侧壁上，减小开口尺寸的工序；和此后利用等离子体对所述绝缘膜进行蚀刻的工序。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉本胜，小林典之，杉山正治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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