在反应容器内，在被晶舟所保持的基板上形成氮化硅膜，然后从反应容器中搬出晶舟，接着，在将保持有应进行处理的未处理基板的晶舟搬入反应容器中时，从晶舟开始被搬入反应容器内到反应容器的搬入搬出口被封闭为止的这一期间，使加热反应容器用的加热器的设...

半导体处理用的立式晶舟，在对多个被处理基板实施热处理时搭载多个被处理基板。立式晶舟包括在圆周方向上留有间隔地被固定在固定部件上的多个支柱、及在高度方向留有间隔地被分别配设在多个支柱上的爪部。配设有分别支撑多个被处理基板用的若干环状支撑板...

本发明是一种在连接能够减压的处理容器和真空泵的排气通路上设置传导阀，将被处理基板配置在上述处理容器内，在成膜处理时间内，使包括供给第一反应气体的第一步骤与供给第二反应气体的第二步骤的循环进行一次或反复多次，利用上述第一反应气体与上述第二...

在利用等离子体处理装置（１００）对栅电极进行选择性氧化处理时，将形成有栅电极的晶片（Ｗ）载置于腔室（１）内的基座（２）上，由气体供给系统（１６）的Ａｒ气供给源（１７）、Ｈ↓［２］气供给源（１８）和Ｏ↓［２］气供给源（１９），经气体导入部...

本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器（４）内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体（Ｗ）的表面形成多元系金属氧化物膜，其...

本发明提供一种基板搬送装置，即使在搬送大型基板时，也能够将基板保持在基本水平的状态。就拾取部（２０２）来说，在其基端部，使用沿垂直方向牵引该拾取部的牵引螺钉（２１０）以及在垂直方向按压拾取部（２０２）的按压螺钉（２１１），将该拾取部固定...

本发明提供一种能以低成本制造、且能抑制用于搬送基板的气体的消耗量的气体浮起型的基板搬送装置。该基板搬送装置包括：形成基板的搬送路径的搬送路径部件；在该搬送路径部件的上面、沿搬送路径形成的排气槽；气流形成槽，在搬送路径部件的上面左右相互成...

具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置（２）中，在冷却板（３）和热板（６）上沿晶片Ｗ的移动通路形成喷出孔（３ａ、６ａ），其...

本发明的对将曝光图案显影处理后的基板进行漂洗处理的漂洗处理方法包括：预先对应于基板的表面状态设定漂洗处理条件的工序；测定基板的表面状态的工序；根据测得的基板的表面状态选择对应的漂洗处理条件的工序；按照上述选择的条件进行漂洗处理的工序。

本发明在借助具有温度检测部（４１）、存储部（４２）、和控制器（４２）的无线晶片（Ｗｗ）来测定对基板（Ｗ）进行热处理的加热板（３４）的温度时，可容易且高精度地测定温度，可抑制由测定作业引起的工作效率的降低。在无线晶片输送器（Ｃｗ）内的位置...

本发明公开了一种用于诊断对多孔材料的处理的有效性的方法和系统。例如，多孔材料可包括多孔低介电常数材料。具体而言，该方法可以利用ＦＴＩＲ光谱仪来表征材料的多孔性，并评价密封材料中的孔的有效性。

在晶片表面形成抗蚀剂膜；为了对抗蚀剂膜照射曝光光线，在与抗蚀剂膜对置的光学部件和晶片的表面之间以使曝光光线透过并且具有清洗晶片表面以及光学部件表面功能的液体形成液层；使从光学部件照射的曝光光线通过液层以预定的图形照射在抗蚀剂膜上，由此，...

本发明提供能够可靠地防止由于容器的变形而产生颗粒的减压容器和减压处理装置。在形成于围绕负载锁定室（２０）的内部空间的容器主体（２１）的上端面（２１ａ）上的槽（２６）内插入有作为密封部件的Ｏ形环（９０），在其外侧，具有大致Ｌ字形的截面形状...

在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对...

本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Ｃｕ的原料物质，在基板上形成第一阶段的Ｃｕ膜的工序；和使用一价Ｃｕ的原料物质，在所述第一阶段的Ｃｕ膜上形成第二阶段的Ｃｕ膜的工序。

本发明提供一种气化装置（６），将被压送来的液体原料在减压气氛中使之气化而产生原料气体，将该原料气体与载气一起送出，包括暂时储存压送来的液体原料的贮液室（７０）、经由阀口（６６）与贮液室连通的气化室（６２）、从贮液室的侧就位在分隔阀口的阀...

通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层（１）的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底（１０，１２５）上的高ｋ层（３０）的栅极电介质叠层（１）；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以...

本发明提供一种成膜方法，即使在具有纵横比大的凹部的被处理体的表面使用凝集性高的金属的情况下，也能够形成连续的薄膜。该方法包括以下工序，将基板搬入反应容器内并进行载置的工序；向反应容器内供给包括第一金属化合物的原料气体、并使该第一金属化合...

本发明涉及一种使用在真空处理装置的处理容器内的遮护体，其目的在于提供一种具有加热单元、采用通过简单的结构可以实现薄型化的遮护体的真空处理装置。因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：处理容器、对上述处理容器的处理空间进行排气的排气...

本发明涉及半导体处理系统的控制。另外，本发明涉及运行到运行控制器，其用于创建虚拟模块以在半导体晶片处理期间控制由多室工具执行的多趟过程。