本发明提供一种能够抑制由于基板背面附着的液滴引起的液滴重新附着在基板上等污染的基板搬送装置。该基板搬送装置具有对液浸曝光后的基板进行搬送的臂主体，其特征在于，包括：设置在上述臂主体上，支撑基板背面的周边的内侧的支撑部；为了限制上述基板的...

在硅晶片（１０１）上的栅极氧化膜（１０２）上形成多晶硅膜，从而形成多晶硅电极层（１０３）（第一电极层）。在该多晶硅电极层（１０３）上形成钨层（１０５）（第二电极层）。此外，在形成钨层（１０５）前，预先在多晶硅电极层（１０３）上形成导电性...

虽然在专利文献１～４中针对调整探测卡与晶片台的平行度的技术提出了各种提案，但是任一种都没有明确调整探测卡与晶片台的平行度的具体的方法。本发明中的调整探测卡（１１）与晶片卡盘（１５）的平行度的工序，具有在以探测中心为原点的Ｘ－Ｙ坐标的第一...

本发明提供一种能够对大型ＦＰＤ基板在搬送室内的位置偏移和缺口等异常可靠地进行检测的基板处理装置和一种基板异常的检测方法。将基板（Ｓ）载置在搬送装置（５０）的滑动拾取器（５１３）上，从搬送室（２０）内经过闸门开口（２２ｄ）向处理腔室（１０...

本发明提供一种在负载锁定室等收纳基板的容器内，极大地缩小基板周边的空间，进行基板定位的基板定位装置。基板定位装置具备按压与基板（Ｓ）的搬送方向垂直的一对端面（Ｓ１）的一对第一定位器（７）；和按压沿基板（Ｓ）的搬送方向的一对端面（Ｓ２）的...

本发明提供一种改善由ＭＯＳＦＥＴ的栅极绝缘膜或存储设备中的电容的电极间绝缘膜所含有的碳、低氧化物（ｓｕｂｏｘｉｄｅ）、悬挂键（ｄａｎｇｌｉｎｇｂｏｎｄ）等引起的特性恶化，提高绝缘膜的特性的方法。对绝缘膜实施将基于含有稀有气体的处理气体的...

一种基板处理装置，包括对基板实施ＣＯＲ处理的ＣＯＲ处理模块、对所述基板实施ＣＶＤ处理的ＣＶＤ处理模块、和连结所述ＣＯＲ处理模块与所述ＣＶＤ处理模块并且搬送所述基板的搬送模块，其特征在于：　　　　所述ＣＯＲ处理模块具有：收容所述基板的腔室...

本发明以提供能够抑制施加在被处理基板上的电压增加，防止基板损伤，改善成品率的等离子体ＣＶＤ装置作为课题。本发明使用，在可减压的腔室内通过等离子体放电分解原料气体，在被处理基板上形成导电膜，当成膜处理的累积次数达到规定值时对所述腔室内进行...

一种基板处理装置，包括：在内部保持有被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给用于处理的气体的气体供给单元；设置在所述处理容器内的、保持所述被处理基板的保持台；和将所述处理容器内空间分为第一空间和第二空间的遮 ...

本发明涉及立式热处理装置（１）的移载机构（２１），其具有可升降及可旋转的基台（２５）和配置在该基台上的可进退并支承晶片（Ｗ）的多个基板支承件（２０）。在基台（２５）上，设置有向基板支承件（２０）的前进后退方向射出光线、并利用该反射光检测...

仿真基板（１７）在具有用于辅助中心定位的第一引导体（Ｇ１）这一点与被处理基板不同，但可以作为被处理基板的替代物而被操作。处理室（２）配设有用于辅助仿真基板（１７）中心定位的第二引导体（Ｇ２）。为了算出搬送机构（ＴＲＭ）的搬送偏差，首先在...

本发明提供一种紧固机构（１０），在插入环（１１）的筒状部（１１Ｂ）上，在圆周方向上隔开规定间隔而设置有嵌入锁环（１２）的槽（１２Ａ）内的第一凸轮从动件（１５），同时，在凸缘部（１１Ｂ）上，在圆周方向上隔开规定间隔而设置有接触锁环（１２）...

随着近年来的探针卡（４）的大型化，其重量重达１５～２５Ｋｇ，所以，例如操作者等为了将探针卡（４）从搬送台车上抬起、移载并设置在卡搬送装置上，不仅需要很大的力气，而且在抬起探针卡（４）时抓住的部分受到限制，操作需要慎重，因此，给操作者带来...

本发明的基板处理装置（１）具有：利用处理液处理基板的处理槽（３）、配置在处理槽（３）上方的干燥处理部（６）、和使基板Ｗ在处理槽（３）与干燥处理部（６）之间移动的移动机构（８）。在干燥处理部（６）上连接着供给处理气体的处理气体供给管线（２...

本发明提供一种在能够单层式或双层式的一个以上基板处理腔室混合存在的多腔室型基板处理系统中提高生产率的基板处理装置和方法。根据处理腔室的种类和基板的处理，使用从两个搬送臂同时进入和退出进行基板搬入搬出的第一顺序、以两个搬送臂在互相不同的时...

将ＨＴＢ气体和乙硅烷气体导入处理容器（１）内，通过ＣＶＤ在硅基板（Ｗ）上形成硅酸铪膜。通过埋设在支撑基板的基座（２）上的加热器（５），控制基板温度，进行成膜。该成膜时的基板温度控制在ＨＴＢ分解成氢氧化铪和异丁烯的温度以上、并且小于乙硅烷...

公开了一种用于修整衬底上的特征的方法和系统。在衬底的化学处理期间，在受控条件下将衬底暴露于反应性气相化学物质，如ＨＦ／ＮＨ↓［３］。也可引入具有反应气相化学的惰性气体。开发出与第一反应物、第二反应物和可选惰性气体有关的工艺模型。在指定目...

提供了一种用于控制包含具有第一尺寸的栅电极层的栅电极结构的修饰的方法和处理工具，包括确定栅电极结构的第一尺寸，选择目标修饰尺寸，将第一尺寸和目标修饰尺寸前馈到工艺模型以创建一组工艺参数，对栅电极结构执行修饰工艺，包括控制该组工艺参数，修...

横梁部（３）通过支撑部（２）而单臂支撑在探针基板（１）上，在横梁部（３）与探针基板（１）之间具有规定的间隔。在横梁部（３）上设有向远离探针基板（１）的方向延伸的触头（４）。另外，在横梁部（３）上设有向探针基板（１）延伸的突起５。当向探针...

本发明提供一种基板载置机构，抑制伴随处理气体的供给而生成的反应生成物堆积在设置于基板载置机构的载置台上的销插通孔和在该销插通孔内升降从而在载置台上进行基板交换的升降销的间隙中。该基板的载置机构包括：在销插通孔的下端的开口部中，呈环状向内...