一种立式热处理装置，包括：将收纳有多片被处理体（Ｗ）的搬运容器（２）搬入以及搬出该立式热处理装置用的至少一个搬入搬出部（３、４）；保管通过该搬入搬出部而搬入该立式热处理装置内的多个搬运容器的第一保管部（５）；收纳多段保持有多片被处理体的...

本发明提供一种即使在真空处理装置中，也不产生升降销的一端接触，可稳定地使基板升降的基板升降装置和基板处理装置。提升板（３２）的围绕筒体（３４）为中空状，在天井部（３４ａ）中具有开口，在该开口中插入升降销基端部（９）的下部。在提升板（３２...

本发明实施方式的探针装置（１０）包括与多种测试器用的伸缩环（１５）和探针板（１７）相对应的插入环（１４）和基体板夹具（１３）。基体板夹具（１３）的直径形成为比探针板（１７）用的板夹具（２０）大。变换环（１６）转接该板夹具（２０）和该基体...

本发明描述了一种用于将图案从上层转移到下层中，同时横向修整图案内存在的特征结构的系统和方法。图案转移是根据处理流程利用刻蚀处理执行的，其中在给定目标修整量的情况下调整处理流程内的至少一个可变参数。可变参数的调整是利用处理模型实现的，处理...

这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用ＣＶＤ，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在...

本发明的目的在于使接触器与被检体不受热量的影响而可靠地电连接，并能够缩短预热时间，进而提高效率。本发明的探针卡包括：接触器；印制线路板；处于上述接触器与上述印制线路板之间并使这二者弹性地电接触的内插器；将它们一体化的连结部件；以及对通过...

本发明中，处理容器内排列设置有与处理容器的外部之间进行基板的传递的基板传递部和进行基板的显影的显影处理部，并设置有在基板传递部与显影处理部之间以从两侧对基板的外侧面进行夹持的状态进行基板的输送的输送机构。在基板传递部与所述显影处理部之间...

本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由ＣＦ构成的绝缘膜（９１）。在该绝缘膜（９１）上形成含有ＳｉＣＮ膜（９３）的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由ＳｉＣＯ构成的硬掩膜用的薄膜（９４）。当形...

本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如ＨＦ／ＮＨ３的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。

本发明提供一种包括半导体基板（１）、在该基板上形成的栅极绝缘膜（例如栅极氧化膜）（２）、和在该绝缘膜上形成的栅极电极（３）的半导体装置。栅极电极（３）具有金属化合物膜（３ａ）。该金属化合物膜（３ａ）通过使用含有金属羰基的原料（例如Ｗ（Ｃ...

本发明提供一种减压干燥装置，即使基板为大型、安全性也优异，并能抑制振动的产生，且能可靠地防止涂敷在基板上的涂敷液发生转印。该减压干燥装置具备：在侧壁部具有搬入基板的搬入口和搬出基板的搬出口，将从搬入口搬入的基板以大致水平状态收容的腔室；...

本发明的基板校准装置包括：为了基本上水平地载置支承被处理基板（Ｇ）而分散地配置在基本上水平的工作台（１００）上的多个可在水平方向上位移的支承部（１５２），将载置于前述支承部上的前述被处理基板在水平面内向规定的方向推压而进行定位的定位机构...

将曝光完毕的基板保持于旋转吸盘并使其绕铅直轴旋转，一边从显影液喷嘴喷出显影液，一边从晶片外缘朝向中央部移动显影液喷嘴，由此向晶片表面供给显影液，其中所述显影液喷嘴具有纵长方向朝向晶片半径方向的垂直方向的狭缝状的喷出口。与使用具有小径圆形...

本发明提供一种半导体处理装置，具备具有配置在横方向的不同位置上的多个搬送端口（３３）的搬送室（３）。对被处理部件（Ｗ）实施半导体处理用的处理室（４Ａ）通过多个搬送端口的一个与搬送室（３）连接。在搬送室（３）内配置搬送臂设备（５）用于通过...

一种电介质膜电容器，包含具有开口部的、含有包含白金的材料的下部电极和在所述下部电极的上方设置的、包含具有ＡＢＯｘ型钙钛矿结构的氧化物的电介质膜以及在所述电介质膜的上方设置的上部电极。相对于所述电介质膜的形成区域的面积，所述下部电极的平面...

本发明提供一种可以可靠地防止水分混入真空处理室中的真空处理装置。具有阀体（３１ａ、３１ｂ）的闸阀（３０ａ、３０ｂ）分别以双层配置在真空处理室（１０）和负载锁定室（２０）之间。此外，流导不同的三根排气管（２１、２２、２３）与负载锁定室（２...

本发明提供一种采用分割结构同时能够确保作为真空容器的强度的真空腔室和一种具有该真空腔室的真空处理装置。作为真空腔室的搬送腔室（２０）包括形成为长方形的主框体（２０１）、与该主框体（２０１）的长边的相对的侧部接合的一对增强框体（２０２ａ、...

本发明提供一种能够适用于重物升降的升降机构，其是能够缩小各构造零件，进行小型化的升降机构。升降作为重物的搬送单元（５０１）的升降机构（５０２）包括：支撑搬送单元（５０１）并使其升降的升降台（５５０）、使升降台（５５０）升降的升降驱动部（...

本发明提供基板的加工方法，包括：在已经在基板上形成的待蚀刻的目标膜上依次形成Ｓｉ－Ｃ基膜和抗蚀膜的步骤；利用抗蚀膜作为掩模蚀刻Ｓｉ－Ｃ基膜的第一蚀刻步骤；和利用抗蚀膜和Ｓｉ－Ｃ基膜作为掩模蚀刻待蚀刻的目标膜的第二蚀刻步骤。该加工方法进一...

在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从...