本发明提供一种处理装置系统（１０），包括：搬送处理前后的玻璃基板（Ｓ、Ｓ’）的搬送线（１１），沿着该搬送线（１１）设置且处理玻璃基板（Ｓ）的多个处理装置（１２），和在多个处理装置（１２）与搬送线（１１）之间传递处理前后的玻璃基板（Ｓ、Ｓ...

在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Ｃｌ↓［２］和ＨＢｒ的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层（１０３）等掩膜层在附图（ａ）的硅基板（１０１...

本发明提供一种可适宜地调节基板温度的负载锁定装置及处理方法。该负载锁定装置包括：设置在相对外部搬入搬出基板的搬入搬出部一侧的搬入口和设置在处理基板的处理部一侧的搬出口，其中，具有加热基板（Ｇ）的加热用板（７１），所述加热用板（７１）包括...

本发明的基板定位装置防止将起因于例如饱和数据等异常数据的干扰部分误判定为在基板周缘形成的切口标记并提高切口标记的判定精度。通过光透过型传感器（２５０）检测载置于旋转载置台（２１０）的晶片（Ｗ）的周缘，作为基板周缘形状数据取得该检测值，从...

本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该...

本发明提供一种等离子处理系统（１００），包括具有基板支架（１３０）和电极（１２５）的处理腔（１２０）。处理系统包括压力控制系统、气体供给系和监控装置（１６０）。多频ＲＦ电源（１１０）经由具有单一可变元件的匹配电路（１１５）与电极（１２５...

一种材料处理系统，包括：　　　　一个处理工具，其中该处理工具包括至少一个处理室；　　　　多个和该处理工具耦接的ＲＦ敏感状态传感器，一个ＲＦ敏感状态传感器配置成为该处理工具生成状态数据和发送该状态数据；以及　　　　一个配置成从至少一个ＲＦ...

披露一种衬底加热设备，该设备包括加热衬底的热板以及支承衬底并且在第一位置和热板之上的第二位置之间运动以便在两个位置之间传递晶片的冷却板。热辐射翅片结构连接到冷却板上以便和冷却板一起运动。翅片结构经由热管热连接到冷却板上。抽吸口布置成在冷...

本发明涉及一种具备由经过了４２０℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为３原子％以下。

本发明的目的在于，在保持被处理基板的基板保持构件中，抑制由基板保持台的热应力所造成的破损。在支柱末端部设有基板保持台的基板保持台构件中，在上述支柱和上述基板保持台的接合部形成有由内周面和外周面区划成的凸缘部，此时由上述凸缘部的内径向着上...

本发明即使在具有多个处理室的情况下，也可以按照能正确地控制处理室内的基板位置的方式进行对位。在负载锁定室（３０）内，设置有进行放置于缓冲器（３１、３２）上的基板（Ｓ）的对位的定位器（３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ）。形成矩形的基板（Ｓ）...

本发明公开了一种用于在等离子体处理系统中从衬底去除光刻胶的方法和系统，包括：引入包含Ｎ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］的处理气体，其中ｘ和ｙ表示大于或者等于１的整数。此外，处理化学物可以还包括添加的惰性气体，诸如稀有气体（即Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ...

本发明涉及一种向成膜装置的处理容器内供给成膜用的原料气体与支援气体的喷淋头。它具备具有气体喷射面（８）的主体。在喷淋头主体内形成接受原料气体并使其扩散的第一扩散室（６０）、接受支援气体并且使其扩散的第二扩散室（６２）。在气体喷射面上形成...

在ＣＶＤ装置（１１１）中，通过加热器加热半导体晶片（Ｗ），然后导入１，３，５，７－四甲基环四硅氧烷（ＴＭＣＴＳ），并在不施加高频电压的情况下进行热处理，从而进行包含硅的多孔低介电常数膜的改性处理。接着，在同一ＣＶＤ装置（１１１）中加热半...

本发明提供了一种能够防止传热气体供给装置控制性恶化的基板处理装置。起动ＲＩＥ处理前增加氦气压力的处理的程序，从对传热气体供给管线４９、５０等抽真空开始，经过延迟时间时，测定主排气管７０，７１中流动的氦气的压力（工序Ｓ７４），基于测定的主...

本发明提供一种可以利用等离子体将硅直接氮化，形成质量优异的氮化膜的技术。本发明涉及一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氮等离子体作用于被处理体表面上的硅，进行直接氮化处理，形成氮化硅膜，其特征在于，包括：在由所述含氮...

在本发明的基板处理系统中，具有能收纳基板的多个第１单元、和在与第１单元之间进行基板的输送的第２单元。第１单元和第２单元，俯视观察时并列设置，在多个上述第１单元的至少某一个中包括进行基板的处理的处理单元。多个第１单元沿水平方向并列，上述第...

本发明的基板处理系统具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，可容易确定在基板上产生不良部位时成为原因的有问题，在基板的处理张数较多的情况下，可抑制处理量的降低。本发明的基板处...

在专利文献１、２记载的技术中，从在卡盘上面形成的密螺旋形槽的一端提供液体，从另一端排出，由于使用毛细管现象向槽和槽之间的基板和卡盘的界面移动，所以液体的移动慢，难以迅速控制基板温度。本发明的基板保持台（１０）包括：保持基板Ｗ的保持台（１...

本发明的目的在于形成介电常数更低且耐热性好的无定形碳的绝缘膜。在本发明的绝缘膜形成装置（３２）中，向处理容器（５０）内的等离子体生成区域（Ｒ１）供应Ａｒ气作为等离子体生成用的气体，并向基板（Ｗ）侧的成膜区域（Ｒ２）供应具有多重键的丁炔气...