本发明涉及一种除去基板附着物的基板表面处理方法，其具有：用药液清洗上述基板的药液清洗步骤；在规定压力下，将所述附着物暴露在含有氨和氟化氢的混合气体氛围中的附着物暴露步骤；和将暴露在所述混合气体氛围中的所述附着物加热至规定温度的附着物加热...

本发明的目的在于等离子体处理装置的多个部件的温度控制系统，减少其设置空间和冷却介质的使用量。温度控制系统（８０）具有以通过上部电极（２０）和基座（１２）的内部的方式使盐水循环的循环系统（９１）、在循环系统（９１）的盐水和替代氟碳化合物之...

本发明提供一种能够进行微细加工的微细图案形成方法，其特征在于，具有：在图案化的掩模层（７６）的侧壁上堆积等离子体反应生成物，使掩模层（７６）的图案宽度变宽的第一工序；以图案宽度变宽的掩模层（７６）作为掩模，对第一被蚀刻层（７４）进行蚀刻...

本发明是在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内，在被处理基板上由ＣＶＤ而形成绝缘膜。该成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第三工序与第四工序。其中所述...

一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，具有：　　　　具有容纳以一定间隔堆积的多个被处理基板的处理区域的处理容器；　　　　在所述处理区域内支撑所述被处理基板的支撑部件；　　　　对所述处理区域内的所述被处理基板进行加热的加热器；　　　　对...

涂敷.显影装置具备：处理块，在晶片上形成抗蚀剂膜后将其运送至曝光装置，并对曝光后的基板进行显影处理；和接口运送机构，设在处理块和曝光装置之间，上述处理块具有涂敷抗蚀剂的涂敷膜形成用单位块、和进行显影处理的显影处理用单位块，并另外设置有涂...

本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括：内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门...

本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有Ｃ和Ｆ的原料气体形成添加Ｆ的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加Ｆ的碳膜进行改性的工序和对所述添加Ｆ的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的Ｆ原子数与Ｃ原子数之比Ｆ／Ｃ大于１且小于２。

本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Ｓｉ、Ｏ和ＣＨ的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的...

基板（５１）被形成为具有四条沿切片线的边的矩形形状，堤部（５６）被形成为包围执行元件（５０）和输入输出用的电极垫片（５４）、（５５）的整个周围。堤部（５６）是具有四条边的矩形形状，且各条边分别平行于基板（５１）的各边并连续延伸。由于通过...

本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片...

本发明的目的是在不减小处理室内部尺寸的情况下，抑制外形尺寸的扩大，并减轻其重量。真空室（１０）的本体（１０ａ）的长边方向的侧壁（６１ａ、６１ｂ）的壁厚Ｌ１形成为比侧壁（６２ａ、６２ｂ）的壁厚Ｌ２薄，盖体（１０ｂ）的上部侧壁（６３ａ、６３...

在互连导电层的制造方法中，在基板（１０）的背面（１２）一侧的贯通孔（１３）的开口部形成籽晶层（１４），并在该籽晶层（１４）的基础上形成电镀用电极层（１５），然后在基板（１０）的表面（１１）一侧形成镀层（１６）来填充贯通孔（１３）。其结果...

本发明提供一种载置台温度控制装置，其采用较小规模且简易的结构，能够多种多样且高精度地控制载置台的温度乃至温度分布，而且能够实现载置台的高速升降温。该载置台温度控制装置具有：载置台（１２）内部的制冷剂通路、冷却单元（１４）、加热单元（１６...

本发明提供一种能够恰当地加热或冷却基板的负载锁定装置、具有该负载锁定装置的处理系统及使用该负载锁定装置的处理方法。包括相对于处理部（３）设置在搬入搬出基板（Ｇ）的搬入搬出部（２）一侧的搬入口（６３）、在处理部（３）一侧设置的搬出口（６４...

本发明公开了一种基板处理装置，其包括多个用于处理基板的处理室以及将基板从多个处理室运入运出的输送部，包括输送历史记录部、处理历史记录部以及报警历史记录部。输送历史记录部将关于输送部输送基板的历史信息与每一基板相关联，并记录该历史信息作为...

本发明涉及可以在低温下形成高应力的氮化硅膜的、利用ＡＬＤ法，形成氮化硅膜的方法。此方法包括：（ａ）将二氯硅烷供给到反应室内，使得以二氯硅烷为前体的化学种吸附在半导体晶片上的工序；（ｂ）对所述化学种中所含的氯进行氢化，从所述化学种中去除的...

本发明提供一种简化构造本身而能够实现小型化和低成本化，且可维持高动作可靠性的闸阀装置。在安装到用于对被处理体（Ｗ）实施规定处理的处理室（４Ａ～４Ｄ）的搬出搬入口（３７）上，使被处理体从真空状态的搬运室（６）侧通过的同时对搬出搬入口进行开...

在本发明的基板处理方法和基板处理装置中，用被活化的ＮＦ↓［３］气体除去在ＭＯＳＦＥＴ（１１）的栅极（２１）、源极（１５）和漏极（１７）的表层上形成的自然氧化膜，在已除去该自然氧化膜的栅极（２１）、源极（１５）和漏极（１７）的表面上形成Ｃ...

本发明的热处理装置，是用于对被处理体实施温度在４００℃以上的退火处理等热处理的热处理装置。该装置设置有：在顶部具有透过窗（８）的处理容器（４）；设置于该处理容器内与上述透过窗相向，装载被处理体（Ｗ）的装载台（１０）；设置于处理容器的上方...