【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对半导体晶片等被处理体进行蚀刻或成膜等处理用的真空装置、其泄漏率的测量方法,在测量其泄漏率时使用的程序和存储介质。
技术介绍
在制造各种半导体装置的过程中,在蚀刻或成膜等处理时使用的真空装置中,设置有包括阀门和排气泵的排气部,其结构使得能够将真空腔室内的压力减压到规定的真空状态。具体说来,从真空腔室侧开始,依次连接着其传导性可变的自动压力控制阀(APC阀)、闸阀、作为主排气泵的涡轮分子泵(TMP)、经过任意的阀门作为副排气泵的干式泵,其结构使得能够保持真空腔室的高气密状态和真空状态。有时也使用将上述APC阀和闸阀制成一体的带闸阀机构APC阀。在这样的真空装置中,有必要定期测量真空腔室的泄漏率,检验其气密性。在测量泄漏率时,将真空腔室内的气体排放掉,抽真空之后进行密闭,在此状态下测量室内的压力,通过累积的方法监测其变化(比如专利文献1)。为了通过累积法进行泄漏率的测量,必须使真空腔室处于密闭状态,要从上述涡轮分子泵在排气方向的上游侧配备上述闸阀(或上述装有闸阀机构的APC阀)。在闸阀或装有闸阀机构的APC阀当中,为了确保气密状态,使用了作为密封材料的O形圈,但在用等离子体进行处理的真空装置中,由于在干法清洗时产生的自由基,使得O形圈很容易老化,必须频繁地进行更换。这种O形圈的维修操作,随着近年来排气管口径变大而需要很长的时间,成为装置停机时间延长的主要原因。专利文献1特开2003-77898号公报(图4等)专利技术要解决的问题在真空装置的排气部,与APC阀邻接(或者与APC阀成为一体)配备闸阀的主要目的,是为了在进行上述累积法测量时使真空腔 ...
【技术保护点】
一种泄漏率的测量方法,该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法,该真空装置包括:内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门,其特征在于,设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与所述真空腔室相连接的循环通道,在所述第一阀门设定在规定的通导性,所述第二阀门闭合的状态下,由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所 述真空腔室循环,对所述真空腔室内的压力进行监测。
【技术特征摘要】
JP 2005-3-16 2005-074714;JP 2005-6-16 2005-1759091.一种泄漏率的测量方法,该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法,该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门,其特征在于,设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与所述真空腔室相连接的循环通道,在所述第一阀门设定在规定的通导性,所述第二阀门闭合的状态下,由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环,对所述真空腔室内的压力进行监测。2.一种泄漏率的测量方法,该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法,该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵和与所述第一排气泵相比在排气方向的下游连接的第二阀门,其特征在于,在所述第一阀门全开,所述第一排气泵动作的状态下,所述第二阀门关闭,对第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道内的压力进行监测。3.一种泄漏率的测量方法,该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法,该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、经过第二阀门与所述第一排气泵相连接的第二排气泵,其特征在于,在所述第一阀门全开,所述第一排气泵停止的状态下,由所述第二排气泵将所述真空腔室内减压到规定压力以下后,所述第二阀门闭合,在此状态下对所述真空腔室内的压力进行监测。4.一种泄漏率的测量方法,该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法,该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵和连接在所述第一排气泵的排气方向下游的第二阀门,其特征在于,在所述第一排气泵动作,而且所述第二阀门打开的状态下,将所述第一阀门设定在规定的通导性,测量所述真空腔室内的压力。5.如权利要求4所述的泄漏率测量方法,其特征在于,通过将被测量到的所述压力与所述第一阀门为规定的通导性时预先计算出的所述真空腔室内部的压力值进行比较,推算出泄漏率。6.如权利要求4所述的泄漏率测量方法,其特征在于,所述规定的通导性在10L/秒以下。7.一种真空装置,其特征在于,该装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为不具有闸阀机构的通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、和与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门。8.如权利要求7所述的真空装置,其特征在于,该装置还包括与所述第二阀门相比连接在排气方向下游的第二排气泵。9.如权利要求8所述的真空装置,其特征在于,所述第一排气泵是涡轮分子泵,而所述第二排气泵是干式泵。10.如权利要求7所述的真空装置,其特征在于,所述第一阀门如下所述的阀门将略呈半圆形的一对板对称配置而制成阀体,以各个板的直线状的边部分作为旋转中心,通过使其转动调节开度从而可变地调节通导性。11.如权利要求7所述的真空装置,其特征在于,该装置还包括从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道中分出的、在连通状态下与所述真空腔室相连接的循环通道。12.一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:北泽贵,小林敦,手塚一幸,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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