本发明涉及对被处理基板（Ｗ）进行半导体处理的装置，包含配置在载置台（３８）上的，辅助进行被处理基板的运送的升降机构（４８）。升降机构包含支承和使被处理基板升降的升降机销子（５１）和引导升降机销子的升降动作的导向孔（４９）。导向孔具有贯通...

本发明提供一种在Ｓｉ晶片（１）上形成硅化钛膜（４）的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Ｓｉ晶片（１）。接着，向通过等离子体处理的含Ｓｉ部分上供给含Ｔｉ原料气体，生成等离子体，进行Ｔｉ成膜，通过此时的Ｔｉ膜与含Ｓｉ部分的Ｓｉ反应，...

本发明提供一种基板载置台，它能够提高被处理基板的温度均匀性和温度控制响应性，且能够得到充分的温度控制性。在基板处理装置中用来载置基板的基板载置台（４）包括：静电卡盘（４２），构成载置台本体；周缘环状凸部（６１），形成在静电卡盘（４２）的...

提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置（２）、大气输送装置（３）以及负载锁定室（４）的基板处理系统（１）中执行，具有输送半导体晶片Ｗ的基板输送工序（工序Ｓ４３和Ｓ４９）、和对半导体...

本发明涉及一种基板处理系统，抑制由处理气体造成的测定装置的污染。在测定装置（４）的框体（３０）内设置用于形成测定室（Ｓ）的测定区域（４０）。测定室（Ｓ）将晶片（Ｗ）的搬运口（３３）作为一个侧面，形成为长方体形状。在测定室（Ｓ）内设置载置...

本发明的热处理装置具有：容纳被处理体的处理容器；加热上述处理容器的多个加热器；分别检测上述处理容器的多个规定位置的温度的多个温度传感器；存储用于从上述多个温度传感器的输出推算上述处理容器内的被处理体的温度的热模型和规定有被处理体的期望温...

一种被处理体的处理方法，包括：具有，将附着有由磷酸三丁酯、硅氧烷、邻苯二甲酸二辛酯中的至少一种构成的有机物的被处理体放入反应室内的工序；以及，将所述反应室加热到既定温度并供给处理气体从而将所述有机物从所述被处理体上除去的工序；所述处理气...

本发明的目的在于改善形成于晶片上的保护膜的表面粗糙度。在涂布显影处理系统中，将表面形成有保护膜、进行了曝光、显影处理后的晶片（Ｗ）调整到规定的温度。对温度调节后的晶片（Ｗ）的表面供给溶剂气体，使保护膜的表面溶解。之后加热晶片（Ｗ），使保...

基板处理装置（１００）通过使从盒容器取出晶片的时间与各处理室的处理时间吻合，使各处理室的运转率提高，使装置整体的处理效率提高，具有：处理单元（１１０），具有用于对晶片实施规定处理的多个处理室（（１４０Ａ、１４０Ｂ）（Ｐ１、Ｐ２））；输送...

本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ｔｉ进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力４Ｐａ以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子...

一种处理装置，其特征在于，具有：　　　　内部容纳被处理体的处理容器；　　　　向所述处理容器内选择性地供给原料气体的原料气体供给系统；　　　　向所述处理容器内选择性地供给反应性气体的反应性气体供给系统；　　　　用于对所述处理容器中的环境气...

本发明提供一种成膜装置，包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷雾喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及...

在气体供给装置（１００）上设置具有多个气体供给源的第一气体箱（１１１）和具有多个附加气体供给源的第二气体箱（１１３）。各气体供给源连接有混合管道（１２０），混合管道（１２０）连接有通过不同缓冲室（６３ａ、６３ｂ）的分支管道（１２２、１２...

本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的ＣＦ↓［３］基团，例如１，１，１，４，４，４－六氟－２...

本发明提供一种对ＳｉＯＣ层选择性高的蚀刻ＳｉＣ层的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在作为被处理物的半导体晶片Ｗ表面上，由上侧依次形成ＳｉＯＣ层（１０１）、ＳｉＣ层（１０２）、Ｃｕ配线层（１０３），在ＳｉＣＯ层（１０１）上，形成为形成...

本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室（Ｐ／Ｃ）（２）具有腔室（１０），在Ｐ／Ｃ（２）的维护之后，控制部（５７）实施包括将所述腔室（１０）内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔...

本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或ＣＶＤ法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环（步骤Ｓ３１），将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四...

本发明涉及一种能够精确地检测低速粒子数量的粒子检测方法，以及一种储存用以实施该方法的程序的存储介质。使用光接收感测器以预定时间间隔测量当发射入气流的光被粒子散射时所产生的散射光的强度。将用以测量散射光强度的测量周期分成每个定义为一预定周...

本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述...

本发明提供一种不向大气开放搬送室也能更换密封部件的门阀装置。在安装于处理腔室（４）的搬入开口、开闭与真空状态的搬送室（６）之间的门阀装置（１２）中，包括：可开闭搬入开口而装配的阀体（４４）；可装卸地安装于阀体的表面、与搬入开口周围的装配...