基板处理装置和基板处理装置的基板输送方法制造方法及图纸

基板处理装置（１００）通过使从盒容器取出晶片的时间与各处理室的处理时间吻合，使各处理室的运转率提高，使装置整体的处理效率提高，具有：处理单元（１１０），具有用于对晶片实施规定处理的多个处理室（（１４０Ａ、１４０Ｂ）（Ｐ１、Ｐ２））；输送单元（１２０），连接在此处理单元上；输送单元侧输送机构（１７０），把装在盒容器（１３４Ａ、１３４Ｂ）中的晶片向处理单元输送；和处理单元侧输送机构（１８０），把从输送单元输送来的晶片向处理室输送，还具有控制部（１９０），根据各处理室（Ｐ１、Ｐ２）中的晶片（Ｗ↓［Ｐ１］、Ｗ↓［Ｐ２］）的处理时间（Ｔ↓［Ｐ１］、Ｔ↓［Ｐ２］），求出各处理室中从盒容器向各处理室输送晶片的输送时间，按照此输送时间从盒容器取出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如用于对半导体晶片、玻璃基板(例如液晶基板)等的被处理基板实施规定的处理的。
技术介绍
此种基板处理装置一般具有处理单元，它有对被处理基板、例如对半导体晶片(以下有时也简单称为“晶片”)进行规定处理的多个处理室；输送单元，它通过负载锁定室与此处理单元连接(例如参照专利文献1)。例如如是集成设备型的基板处理装置，例如专利文献1的图6所述，在形成多边形的共用输送室的周围把上述多个处理室和负载锁定室连接成气密状态，构成上述处理单元。用输送臂等构成的处理单元侧的输送机构设置在共用输送室内，用此处理单元侧的输送机构，在多个处理室和负载锁定室之间进行晶片的送入和取出。在输送单元上也设置有用输送臂等构成的输送单元侧的输送机构，用此输送单元侧的输送机构，在放置晶片的盒容器(基板收容容器)和上述负载锁定室之间进行晶片的送入和取出。在这样的基板处理装置中，在对放置在盒容器内的晶片要进行规定处理的情况下，首先在输送单元中，用输送单元侧的输送机构从盒容器取出没有处理的晶片。从盒容器取出的没有处理的晶片在向负载锁定室送入之前，被向设置在输送单元上的定位装置(例如定位器、预定对准台)输送，进行定位。被定位的没有处理的晶片从定位装置取出后，向负载锁定室输送。向负载锁定室输送的没有处理的晶片用处理单元侧的输送机构从负载锁定室取出，向处理室输送，进行规定的处理。在处理室的处理完成后的处理过的晶片用处理单元侧的输送机构从处理室取出，返回到负载锁定室。向负载锁定室返回的处理过的晶片用输送单元侧的输送机构返回到盒容器。为了提高在这样的基板处理装置中在各处理室的处理的处理效率，希望使没有处理的晶片尽可能靠近处理室待机，所以即使在正在进行在处理室的处理的期间，要把没有处理的晶片依次从盒容器中取出，使这些晶片在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机。然后在处理室完成一块晶片的处理后，把处理过的晶片直接放置在盒容器，把上述各待机中的没有处理的晶片顺序输送，把下一个没有处理的晶片直接向处理室输送。此外在各处理室都在进行晶片处理的情况下，为了提高各处理室的运转率，确定把要在各处理室进行处理的晶片在什么输送时刻从盒容器取出也是重要的。这一点现在是在从盒容器取出下一个没有处理的晶片时，比较在各处理室进行的处理的剩余时间，把要在其剩余时间最短的处理室中进行处理的没有处理的晶片从盒容器中检测后取出。这样例如处理的剩余时间越短的处理室，可以越早进行下一次的晶片处理，所以通过按其剩余时间短的顺序从盒容器中取出晶片，可以提高各处理室的运转率。专利文献1特开2002-237507号公报可是由于大多是在各处理室进行不同的处理，例如进行蚀刻处理和成膜处理等的不同处理，或即使是相同的处理，进行其处理条件不同的处理，所以在各处理室中的晶片的处理时间(例如从把晶片送入后到其晶片处理完成后取出，可以送入下一个晶片的时间)大多是相互不同的。可是在上述现有的技术中，在把下一个没有处理的晶片从盒容器取出时，仅仅专盯住各处理室的处理剩余时间，在以其剩余时间短的顺序从盒容器取出下一个没有处理晶片的方式的输送时间中，没有考虑上述各处理室处理时间的不同。因此例如处理时间长的处理室与处理时间短的处理室相比，晶片处理的剩余时间还短，处理时间长的处理室的晶片先从盒容器取出，这样的晶片要在共用处理室、负载锁定室、定位装置等长时间待机，出现不能把处理时间短的处理室的晶片从盒容器取出的情况，反而使处理室的运转率降低，存在有基板处理装置整体的处理效率降低的问题。要更具体地说明，例如处理时间长的处理室P1的处理和处理时间短的处理室P2的处理都在并行实施处理的情况下，如处理时间长的处理室P1处理的剩余时间短，要在此处理室P1中进行处理的晶片WP1成为下次从盒容器取出的对象。在这种情况下，例如由于在处理室P1要进行下一次处理的其他的晶片已经在共用输送室待机，所以处理室P1的处理完成后，即使从盒容器取出晶片WP1，此晶片WP1也不能直接进行处理。这是因为即使要顺序输送已经在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机的晶片，在先送入处理室P1的其他的晶片的处理完成之前，从盒容器取出的晶片WP1成为在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机的状态。这样在处理时间短的处理室P2的处理马上完成后，即使成为不运转状态，也不能从盒容器取出要在处理时间短的处理室P2处理的晶片WP2。因此处理时间短的处理室P2中产生了多余的等待时间，所以处理室P2的运转率降低，基板处理装置整体的处理效率降低。
技术实现思路
所以本专利技术是鉴于这样的问题而进行的专利技术，其目的是提供一种，可以在各处理室并行在对被处理基板进行处理时，使从基板收容容器输送被处理基板的时间与各处理室的处理时间配合协调，这样使各处理室的运转率提高，可以使基板处理装置整体的处理效率提高。为了解决上述课题，如采用本专利技术的某个观点，可以提供一种基板处理装置，具有处理单元，它有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，它被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，它设置在上述输送单元上，把收容在基板收容容器中的上述被处理基板向上述处理单元输送；处理单元侧的输送机构，它设置在上述处理单元上，把从上述输送单元输送的上述被处理基板向上述处理室输送，在这样的基板处理装置，其特征在于，具有控制装置，它根据上述各处理室中的上述被处理基板的处理时间，按照对每个上述各处理室求出从上述基板收容容器向上述各处理室输送的上述被处理基板的输送时间，按照此输送时间从上述基板收容容器取出上述被处理基板。为了解决上述课题，如采用本专利技术的另外的观点，可以提供一种基板处理装置的基板输送方法，该基板处理装置具有处理单元，它有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，它被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，它设置在上述输送单元上，把收容在基板收容容器中的上述被处理基板向上述处理单元输送；处理单元侧的输送机构，它设置在上述处理单元上，把从上述输送单元输送的上述被处理基板向上述处理室输送，这样的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，根据上述各处理室中的上述被处理基板的处理时间，按照对每个上述各处理室求出从上述基板收容容器向上述各处理室输送的上述被处理基板的输送时间，对上述被处理基板进行处理时，按照上述输送时间，从上述基板收容容器取出上述被处理基板。如采用上述装置或方法，根据各处理室中被处理基板的处理时间，按照在每个上述各处理室预先求出的输送时间，从基板收容容器取出被处理基板，所以在各处理室并行在对被处理基板进行处理时，可以使从基板收容容器输送被处理基板的时间与各处理室的处理时间配合，这样可以提高各处理室的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。例如在处理时间长的处理室中，处理的被处理基板可以以长的间隔从基板收容容器中取出，在处理时间短的处理室中，处理的被处理基板可以以短的间隔从基板收容容器中取出。这样可以消除象现有的那样处理时间长的处理室的被处理基板在共用输送室、负载锁定室、定位装置等长时间待机，处理时间短的处理室的被处理基板不能从基板收容容器中取出的情况，所以可以提高各处理室的运转率，可以提高基板处理装置整体的处理效率。此外上述装置或方法中，上述被处理基板的输送时间例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理单元，具有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，设置在所述输送单元上，把收容在基板收容容器中的所述被处理基板向所述处 理单元输送；和处理单元侧的输送机构，设置在所述处理单元上，把从所述输送单元输送的所述被处理基板向所述处理室输送，具有控制装置，根据所述各处理室中的所述被处理基板的处理时间，对每个所述各处理室求出从所述基板收容容器向所述各处理 室输送的所述被处理基板的输送时间，按照此输送时间从所述基板收容容器取出所述被处理基板。

【技术特征摘要】
JP 2004-12-6 2004-3527961.一种基板处理装置，其特征在于，具有处理单元，具有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，设置在所述输送单元上，把收容在基板收容容器中的所述被处理基板向所述处理单元输送；和处理单元侧的输送机构，设置在所述处理单元上，把从所述输送单元输送的所述被处理基板向所述处理室输送，具有控制装置，根据所述各处理室中的所述被处理基板的处理时间，对每个所述各处理室求出从所述基板收容容器向所述各处理室输送的所述被处理基板的输送时间，按照此输送时间从所述基板收容容器取出所述被处理基板。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述被处理基板的输送时间为从所述基板收容容器取出所述被处理基板时的各处理室的所述被处理基板的取出数之比和取出间隔。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在由所述各处理室的所述被处理基板的处理时间确定的基准取出间隔的各区间内，根据在各处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数求出所述被处理基板的取出数之比，所述被处理基板的取出间隔是作为把在所述各处理室在所述基准取出间隔中所述被处理基板的取出数之比的块数，在所述各处理室的所述被处理基板的每个处理时间中各取出一块地取出的间隔。4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，根据所述各处理室的所述被处理基板的处理时间，假设在把所述各处理室中处理时间最长的处理室的处理时间作为所述基准取出间隔的情况下，根据在此基准取出间隔区间内，在其他处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数，求出所述被处理基板的取出数之比。5.如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，根据在所述各处理室中的基准取出间隔的各区间的等待时间，确定所述基准取出间隔，使其等待时间变短。6.一种基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，该基板处理装置具有处理单元，具有用于在被处理基板上实施规定处理的多个处理室；输送单元，被连接在此处理单元上；输送单元侧的输送机构，设置在所述输送单元上，把收容在基板收容容器中的所述被处理基板向所述处理单元输送；和处理单元侧的输送机构，设置在所述处理单元上，把从所述输送单元输送的所述被处理基板向所述处理室输送，根据所述各处理室中的所述被处理基板的处理时间，对每个所述各处理室求出从所述基板收容容器向所述各处理室输送的所述被处理基板的输送时间，对所述被处理基板进行处理时，按照所述输送时间，从所述基板收容容器取出所述被处理基板。7.如权利要求6所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，所述被处理基板的输送时间为从所述基板收容容器取出所述被处理基板时的各处理室的所述被处理基板的取出数之比和取出间隔。8.如权利要求7所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，在由所述各处理室的所述被处理基板的处理时间确定的基准取出间隔的各区间内，根据在各处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数求出所述被处理基板的取出数之比，所述被处理基板的取出间隔是作为把在所述各处理室在所述基准取出间隔中所述被处理基板的取出数之比的块数，在所述各处理室的所述被处理基板的每个处理时间中各取出一块地取出的间隔。9.如权利要求8所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，根据所述各处理室的所述被处理基板的处理时间，假设在把所述各处理室中处理时间最长的处理室的处理时间作为所述基准取出间隔的情况下，根据在此基准取出间隔区间内，在其他处理室中可以处理的所述被处理基板的最多块数，求出所述被处理基板的取出数之比。10.如权利要求8或9所述的基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，根据在所述各处理室中的基准取出间隔的各区间内的等待时间，确定所述基准取出间隔，使其等待时间变短。11.一种基板处理装置的基板输送方法，其特征在于，通过把装在基板收容容器中的多块所述被处理基板，分别按照预先求出的输送时间顺序向要进行处理的处理室输送，在多个处理室并行对所述被处理基板进行处理，该方法具有所述输送时间是，求出根据所述各处理室的所述被处理基板的处理时间而确定的基准取出间隔的区间内的所述各处理室的所述被处理基板的取出数之比的工序，和根据所述被处理基板的取出数之比，求出所述各处...

【专利技术属性】
技术研发人员：大木达也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]