本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统（１），其包括：清洗装置（３），使用清洗液清洗衬底；水分去除装置（４），除去在所述清洗装置（３）中清洗的衬底上附...

液体处理装置，在对基板供应处理液体进行液体处理的液体处理装置中，具有：保持基板的保持机构，使前述保持机构旋转的旋转机构，具有使前述保持机构进入／退出用的运入、运出口，容纳前述保持机构，且对保持在前述保持机构上的基板进行规定的液体处理的处...

本发明提供一种基板处理方法，由下述过程构成，即，将硅基板表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体中的第一处理过程；以及在所述第一处理过程之后，通过等离子体处理，对所述硅基板表面进行氧化处理、氮化处理以及氮氧化处理的任一处理的第二处理过...

本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定上述气化器的处理空间；供给头，具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而...

本发明提供一种基板输送装置，将被处理基板放在臂部件上，对基板处理部进行基板的送入送出，即使是大型被处理基板，也能利用设置于臂部件上的吸附垫片来可靠地吸附基板面，不会使基板松动来可靠地保持。基板输送装置（４１）包括具有多个吸附垫片（５６）...

涂敷显影装置至少包含：向被联机连接的曝光装置请求关于曝光装置的信息即简档信息的交接的步骤；涂敷显影装置从曝光装置接收所述简档信息的步骤；涂敷显影装置对应于所述简档信息选择在涂敷显影装置中使用的软件文件的步骤。

设置第一通道（１６）和与第一通道分离的第二通道（１９），且流经第二通道（１９）的第二冷却水（１８）和第一冷却水（１５）进行热交换，其中所述第一通道（１６）利用循环的第一冷却水（１５）冷却温度调节对象。不需要将第一冷却水（１５）储存在一定...

一种半导体处理用的基板保持结构，其特征在于，包括：　　　　配置在处理室内的、放置被处理基板的放置台；　　　　形成于所述放置台内、并且收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间；　　　　向所述放置台导入高频电力的导电性传送路径；和　　　...

本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置（１）的控制部（１００）将反应管内加热到４００℃～７００℃，同时从处理气体导入管（１７）供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去...

本发明涉及一种等离子体点火方法，该方法解决将处理容器的内部抽真空的状态下停止运转的情况下，即使重启运行也会出现不容易点火等离子体的现象的问题。向处理容器（２１）中流通含氧气体，一边排放出所述处理容器（２１）内部的气体，一边用紫外光照射所...

本发明涉及不用控制处理室的排气量就能够控制处理室内的压力，并且不给基板处理造成影响的基板处理装置和基板处理方法。该装置设置：使用处理气体对被处理基板实施处理的处理室１０２；将处理室内分隔为进行被处理基板处理的处理空间１０２Ａ和排放出处理...

为了提供一种由于将Ｈｉｇｈ－Ｋ绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将Ｈｉｇｈ－Ｋ绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘...

本发明提供一种热处理方法，其特征在于，包括：在内部设置有加热机构的由金属制成的处理容器内，通过上述加热机构对多级保持的多个被处理体实施低温区域的规定的热处理的工序，和在上述热处理结束后，向着在上述被处理体的高度方向上分割的上述处理容器的...

在立式热处理装置中，通过被处理体收纳容器（托架）（１６）和环状支撑板（１５）在与上下方向隔开间隔保持多个被处理体的被处理体保持工具（舟皿）（９）之间移送被处理体的改良移送机构（２１），具有多个基板支撑工具（２０），各基板支撑工具包括在下...

一种成膜方法，利用等离子体ＣＶＤ在被处理基板上形成规定薄膜，其特征在于，　　　　该成膜方法包括：　　　　一边将含有所述薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳所述基板的处理腔室内，一边在所述处理腔室内生成第一等离子体的第一工序；和　　　...

本发明提供一种可根据半导体晶片等基板上的颗粒检查结果，自动进行半导体制造装置诊断的系统。在优选实施方式中，晶片表面被分割为０．１～０．５ｍｍ的微小区域，检查在各微小区域有无颗粒。根据检查结果而作出使各微小区域中的颗粒有无与各微小区域的地...

本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器（１８）内，去除形成在被处理体（Ｗ）表面的硅氧化膜，使用ＨＦ气体与ＮＨ↓［３］气体的混合气体去除...

本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ｒａ小到...

本发明涉及一种在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法。本发明的方法具备下述工序：向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序；和在上述惰性气体的连续的供给工序中，向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序。在上述金...

一种被构造成能够耦连到基片支座上的聚焦环组件，包括：聚焦环，以及耦连到聚焦环上的二级聚焦环，其中二级聚焦环被构造成能够减少处理过程的残留物在基片的背部表面上的淀积。