本发明是备有在上端具有开口部的加热炉本体、由收容在上述加热炉本体内部的单一的管子构成的反应管、在上述反应管上部窄径状地形成的排气部件连接部、收容在上述加热炉本体内部，用于支持被处理基板的被处理基板支持部件、和用于加热由上述被处理基板支持...

本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板Ｗ支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板Ｗ的保持部件旋转，由此使被处理基板的温度分布均匀，抑制被处理基板的翘曲。处理容器的内壁由利用不透...

一种在处理容器内，以含Ｓｉ有机类材料的上层膜（６３）作为掩模，对基板的表面层（６１）上所形成的有机类材料膜的下层膜（６４）进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括ＮＨ↓［３］气体和Ｏ↓［２］气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体...

提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的真空装置及其颗粒监控方法、程序和颗粒监控用窗口部件。半导体制造装置（１０００）具备用于对晶片实施制品化处理的处理室（１００）。处理室（１００）上部连接有设置了阀门...

通过供给无电解镀液、赋予反应促进条件，开始形成镀膜。在供给无电解镀液的阶段，不进行镀膜的形成，即使进行，其成膜速度也很小。因此，在正式形成镀膜之前，将无电解镀液均匀地分布在基板上，能够提高无电解镀膜的均匀性。

一种载置台装置，配设在半导体处理用的成膜处理容器内，其特征在于，该载置台装置包括有：　　　　载置台，其具有载置被处理基板的上面和从所述上面下降的侧面；　　　　加热器，配设在所述载置台内且通过所述上面加热所述基板；和　　　　ＣＶＤ预覆层，...

一种检测装置，在半导体处理中，检测其中各个应以大致水平且在垂直方向相互具有间隔的状态而收容到盒子内的多个被处理基板的有无和所述基板的前端位置，其特征在于，该检测装置具有：　　　　具有在水平面内相互离开而且对向地延伸的一对臂的传感器支持体...

一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：　　　　容纳被处理基板的腔室；　　　　向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；　　　　微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波，　　　　所述微波导入装置具有：　　　　输出多个规定输出的微...

一种基板处理装置，其特征在于，具有：形成处理空间的处理容器；保持所述处理空间中的被处理基板的转动自由的保持台；所述保持台的转动机构；在所述处理容器上，相对所述保持台在第一侧的端部设置的氮自由基形成部，其通过高 ...

一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层（ＡＲＣ）的方法，该方法包括：　　　　引入处理气体，所述处理气体包括一种或多种共同含有氮（Ｎ）、氢（Ｈ）和氧（Ｏ）的气体；　　　　在所述等离子体处理体系内由该处理气体形成等离子体；和　　　...

一种探针痕迹读取装置（１），在检查具有多个电极（９２）的被检查体（９１）的电特性时，用于读取在该电极上形成的探针痕迹（９３７），该探针痕迹读取装置具有：　　　　在该多个电极内，照明摄像对象的电极的照明机构（３０）；　　　　摄像机构（２０...

一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。

本发明提供一种不损伤基板，可以充分去除附着于基板的背面的异物的基板清洗装置。作为基板清洗装置的等离子体处理装置（１）备有：腔室（１０）；配置于该腔室（１０）内并载置晶片（Ｗ）的基座（１１）；配置于该基座（１１），施加高电压的电极板（２０...

ＣＶＤ装置（２）形成由从氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜所组成的组中选择出来的膜构成的绝缘膜。该ＣＶＤ装置包括：用于容纳被处理基板（Ｗ）的处理室（８）、在处理室内用于支撑被处理基板的支撑构件（２０）、加热支撑构件支撑的被处理基板的加热器（...

本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体...

本发明使用设置在半导体晶片上的传感器作为过程监控器，并采用电容器作为其电源。电容器可以由多晶硅和氮化硅在晶片上层积形成。此外，安装定时器，使得可以对过程监控器的操作时间或操作时刻进行指定。进而，通过将密码存储在过程监控器的ＲＯＭ中，防止...

本发明涉及一种夹压接合第一被接合物和第二被接合物的接合方法。本发明的接合方法具备：第一工序，将所述第一被接合物和所述第二被接合物分别保持在第一保持部件及第二保持部件上，以使所述第一被接合物的接合面与所述第二被接合物的接合面相向；第二工序...

本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂（１２）具有：配置在腔室（１...

一种气化器，具有气化液体原料来形成气体原料的气化室（１１０）。为了向气化室喷雾液体原料，配设喷雾部（１２０）。为了从气化室向气体出口（１３１ＳＯ）送出气体原料，配设送出部（１３０）。配设用于加热气化器的加热部（１１２、１３２）。送出部（...

半导体处理系统中的移送装置（１７）包括能够分别在相互平行的有第一和第二垂直平面上移动的第一和第二支持部的第一和第二动作机构（９Ａ、９Ｂ）。按照通过第一和第二动作机构以水平状态移动的方式由第一和第二支持部支持第一和第二移动台（１８Ａ、１８...