一种在处理室内、在被处理基板的半导体基底上形成硅外延层的方法，包括：　　　　在容纳上述被处理基板的上述处理室内进行减压的减压工序，　　　　在上述减压工序之后，在上述处理室内导入含有氯化氢气体的第１预处理气体，用上述第１预处理气体处理上述...

在半导体处理系统中用于将被处理基板（Ｗ）对于处理装置进行搬送的搬送机构（２６）具有搬送基台（３０）。在搬送基台（３０）上并列设置可滑动的第一及第二保持臂（３２Ａ、３２Ｂ）。第一及第二保持臂（３２Ａ、３２Ｂ）分别具有用于保持被处理基板（Ｗ...

本发明涉及静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方法。可不引起异常放电或绝缘破坏地稳定吸附保持绝缘体的基板。其载置玻璃基板（Ｇ）的载置台（１０）是在基底部件（１２）之上设置了例如由铝构成的矩形块状基座（１４）和包围此基座（１４）的...

在形成基板的基底膜时，例如在晶片的切割线上预先制成方形的第１检查图形，在制成抗蚀剂图形时从上方看的状态下，制成第２检查图形，使之对第１检查图形呈一直线。如果在包含第１、第２检查图形的区域用光照射，并根据所反射的衍射光制成光谱，则在其中包...

本发明提供容易进行加热元件的更换等的维护操作，谋求提高维护性的立式热处理装置，其特征为，配备以下部件：即收容多个被处理体（Ｗ）、用于热处理的处理容器（４），和覆盖该处理容器（４）周围的筒状加热器（６），和设置该加热器６的加热器设置部（７...

本发明提供一种热处理装置，其特征在于，包括：筒状的处理容器、可多层地保持多个被处理体的同时，可进出所述处理容器内的被处理体保持单元、向所述处理容器内导入规定处理气体的处理气体导入单元、设置在所述处理容器的内部，在所述被处理体保持单元进入...

一种不需要用户费事，而提高基板处理装置的检查可靠性的基板处理装置。处理室对于被收容的半导体晶片进行处理，搬送室搬送半导体晶片。前开式标准舱（ｆｒｏｎｔ　　ｏｐｅｎｉｎｇ　　ｕｎｉｆｉｅｄ　　ｐｏｄ）收容用于检查处理室和搬送室的多个仿真晶...

对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的...

将使羧酸气化的清洁气体供给至附着绝缘性物质的处理室内，同时对处理室内部进行真空排气。当供给至处理室内的清洁气体与附着在处理室内壁和基座上的绝缘性物质接触时，绝缘性物质被配位化而形成绝缘性物质的配位化合物。绝缘性物质的配位化合物，因蒸气压...

探测片搬送装置（５０），具有用于把附带片保持体（５６）的探测片（５２）搬送到探测器室（５１）内的台钳机构（５５）的移动机构。该移动机构在通过第１个定位销（５５Ａ）装卸附带片保持体的探测片（５２）的时候，使用搭载附带片保持体的探测片的支持...

本发明涉及一种使用静电力吸附晶片Ｗ的静电吸盘１６，静电吸盘１６具有与晶片Ｗ相接触的多个突起部１６Ｃ，并且，由包含平均粒径为１～２μｍ的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体１６Ａ构成突起部１６，同时，使突起部１６Ｃ的与晶片Ｗ接触的接触面形成为依存于...

本发明公开了一种基板处理装置，防止处理液供应喷嘴的位置偏离，可顺利地进行处理液供应喷嘴的输送，并且提高处理液供应喷嘴的位置精度，实现处理精度以及成品率的提高。在具备：可旋转地保持晶片（Ｗ）的旋转卡盘（５０），向晶片（Ｗ）的表面上供应处理...

在氧化硅膜１０１上形成期望图案的掩模材料层１０２，使用Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］＋Ｏ↓［２］合计流量相对于Ａｒ流量的比率（（Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］＋Ｏ↓［２］）／Ａｒ）值为０．０２（２％）以下的混合气体，通过等离子体蚀刻，按照掩模材料层１０２的...

一种用于半导体衬底加工的高压室，它包含高压加工腔、多个注入喷嘴、以及第一和第二出口。高压加工腔在高压加工过程中夹持半导体衬底。多个注入喷嘴向着高压加工腔内取向成涡流角，且能够在半导体衬底表面上产生涡流。第一和第二出口位于多个注入喷嘴的中...

在氧化膜（３０１）的下层，形成有：由金属布线（３０２）和层间绝缘膜（３０３）构成的Ｂ层，和由在与金属布线（３０２）正交方向形成的金属布线（３０４）和层间绝缘膜（３０５）所构成的Ｄ层的多层布线。入射光中的ｓ偏振光成分由Ｂ层界面反射，ｐ偏振...

在半导体处理系统（２）的端口机构（１６Ａ）中，在立壁（５２、５４）上形成的端口（１２Ａ）上设置滑门（２０Ａ）。在系统的外面靠近端口处设置台（４８）。在台上形成装载被处理基板（Ｗ）的开放型盒子（１８Ａ）的装载区（７６）。对台设置可转动的护...

本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基（包括重氢基）中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。

本发明提供一种半导体处理装置内的端口结构。该半导体处理装置具有搬入搬出被处理基板（Ｗ）的端口构造。在把装置分为外部侧区域（Ｓ１）与内部侧区域（Ｓ２）的隔壁（４）上，形成使被处理基板（Ｗ）通过的端口（４１）。在隔壁（４）上设置门（４３）以...

在半导体处理系统中，支持机构（１２Ａ）用于与搬送臂（３２）协作来移送被处理基板（Ｗ）。支持机构包括分别能升降且相对搬送臂能够接收基板的第一和第二保持部（３８Ａ～３８Ｃ、４０Ａ～４０Ｃ）。第一和第二保持部配置为能够在空间中相互不干扰地在垂...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在双镶嵌式方法中，防止弯曲和蚀槽的产生。对于如图２（Ａ）所示的那样具有断面构造的制造过程的半导体装置，进行如图２（Ｂ）所示的氮化硅蚀刻。其结果是铜膜（２６）的一部分被氧化而变成氧化物（４３），另外，Ｃ...