静电吸盘制造技术

本发明专利技术涉及一种使用静电力吸附晶片Ｗ的静电吸盘１６，静电吸盘１６具有与晶片Ｗ相接触的多个突起部１６Ｃ，并且，由包含平均粒径为１～２μｍ的氧化铝结晶颗粒的陶瓷介电体１６Ａ构成突起部１６，同时，使突起部１６Ｃ的与晶片Ｗ接触的接触面形成为依存于粒径的表面粗糙度Ｒａ０．２～０．３μｍ。由此，消除专利文献１中所记述的静电吸盘的由升降杆使晶片Ｗ跳起的顾虑。而且，解决专利文献２中所记述的静电吸盘的难以对晶片Ｗ面内温度均匀地进行控制的问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及由静电力将被吸附基板吸附固定的静电吸盘，更详细地说，涉及能够提高被吸附基板在处理时的耐消耗性、同时能够将被吸附基板的面内温度控制为所希望的温度的静电吸盘。
技术介绍
现有的静电吸盘1，如图12所示，是在被吸附基板(例如晶片)W的等离子体处理时，作为等离子体处理装置的载置体的一部分而使用，由静电力将晶片W吸附在载置体2的上面，进行固定。在载置体2的载置面的周围，配置有聚焦环3，由该聚焦环3包围静电吸盘1上的晶片W。而且，载置体2上通过匹配器4A连接有高频电源4，在规定的真空度下由高频电源4施加规定的高频电力，在与上部电极(未图示)之间产生处理气体的等离子体，由聚焦环3将等离子体聚束于晶片W上面。在载置体2的内部形成冷却介质通路2A，通过冷却介质在冷却介质通路2A中的循环而冷却载置体2，保持晶片W为规定温度。而且，在载置体2的内部形成热传导性气体(例如He气)的气体通路2B，该气体通路2B在载置体2的上面多处开口。在静电吸盘1上形成与气体通路2B相对应的贯通孔1A，从气体通路2B所供给的He气从静电吸盘1的贯通孔1A供给到载置体2与晶片W之间的间隙中，赋予静电吸盘1与晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电吸盘，使用静电力吸附被吸附基板，其特征在于：所述静电吸盘，具有与所述被吸附基板相接触的多个突起部，并且，由包含具有规定粒径的结晶颗粒的陶瓷介电体构成所述突起部，同时，使所述突起部的与所述被吸附基板接触的接触面形成为依赖于所述 粒径的表面粗糙度。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-5 2003-4082241.一种静电吸盘，使用静电力吸附被吸附基板，其特征在于所述静电吸盘，具有与所述被吸附基板相接触的多个突起部，并且，由包含具有规定粒径的结晶颗粒的陶瓷介电体构成所述突起部，同时，使所述突起部的与所述被吸附基板接触的接触面形成为依赖于所述粒径的表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于所述粒径是1～2μm，所述接触面的表面粗糙度Ra是0.2～0.3μm。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征在于所述陶瓷介电体以氧化铝为主要成分。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于所述陶瓷介电体包含碳化硅。5.根据权利要求1～4中任一项所述的静电吸盘，其特征在于将所述突起部的硬度设定为维氏硬度Hv 2000以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的静电吸盘，其特征在于将所述多个突起部的与所述被吸附基板的单位面积的接触面积比率设定为15％以下。7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于以直径为0.5mm以下的圆柱状的突起形成所述突起部。8.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征在于将所述多个突起部间的距离设定为1mm以下。9.根据权利要求6～8中任一项所述的静电吸盘，其特征在于将所述突起部的高度设定为30μm以上。10.根据权利要求1～9中任一项所述的静电吸盘，其特征在于将所述接触面的表面粗糙度设定为通过等离子体清洗后随着时间变化能够到达的表面粗糙度。11.一种静电吸盘，使用静电力吸附被吸附基板，并且具有不借助槽就将热传导用气体供给至所述被吸附基板背面从而对所述被吸附基板进行冷却的机构，其特征在于所述静电吸盘具有与所述被吸附基板相接触的多个突起部，并且，将所述突起部的与所述被吸附基板的单位面积的接触面积比率设定为15％以下，同时，将所述突起部的高度设定为30μm以上。12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征在于以直径为0.5mm以下的圆柱状的突起形成所述突起部。13.根据权利要求11或12所述的静电吸盘，其特征在于使所述接触面的表面粗糙度形成Ra为0.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：西本伸也，中山博之，木村英利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]