静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，其能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。在具有上层(42)、下层(43)以及被设于上层(42)与下层(43)之间的静电电极板(44)的静电吸盘(40a)的上层(42)的基板载置面(41)上形成有由作为与基板G的背面的构成材料相同的材料的玻璃形成的、用于与基板G的背面抵接的最上层(45a)，上层(42)及下层(43)由作为对含氟气体具有抗性的电介质的氧化铝形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在基板处理装置的处理室内的用于载置基板的基板载置台上形成基板载置面的静电吸盘。
技术介绍
公知一种在以液晶显示装置(LCD)为首的FPD(Flat Panel Display 平板显示器)的制造工序中、用于对以玻璃基板为首的各种基板实施等离子体处理的基板处理装置。在如上述的基板处理装置中，在处理室(以下称为“腔室”)内具有用于支承玻璃基板(以下简称为“基板”)的基板载置台和以同该基板载置台隔着处理空间相对的方式配置的上部电极，对作为下部电极发挥作用的基板载置台施加等离子体生成用的高频电 (RF)，并且将处理气体导入到处理空间使该处理气体生成等离子体，使用生成的等离子体对载置于基板载置台的基板载置面上的基板实施规定的等离子体处理。对于形成基板载置台的基板载置面的静电吸盘而言，通常主要由形成上层以及下层的作为绝缘层的氧化铝(Al2O3)层和配置于由该氧化铝层形成的上层以及下层之间的静电电极板构成。因而，在对基板实施等离子体处理时，在静电吸盘的由氧化铝形成的上层上载置基板，氧化铝层与基板的背面抵接。在此，由于玻璃的带电序列与氧化铝的带电序列不同，因此将由玻璃形成的基板从静电吸盘举起时，容易产生分离起电，且基板由于分离起电带负电。这样一来，因产生于基板的负电荷而存在以下问题，即，由于静电放电(Electric Static Discharge)形成于基板表面的电路的元件被破坏、或者在基板表面上吸附微粒等污染物质。此外，因为由玻璃形成的基板载置于氧化铝层上，所以也存在因两者的硬度差引起的对基板的背面造成损伤的问题。作为用于防止如上述的对载置于基板载置台的基板的损伤、向基板附着污染物质等的技术，提出有以下的技术方案，即，例如一种静电吸盘，由玻璃层形成上层以及下层，并在上层与下层之间配置有静电电极板(例如参照“专利文献1，，)。专利文献1 日本特开2009-032718号公报可是，对于如上述的由玻璃层形成上层以及下层的静电吸盘而言，大幅度地改变以往的构成材料，并且存在以下问题，即，难以保持与由氧化铝层形成了上层以及下层的现有品的情况同等的耐电压性能，且由于玻璃会被含氟气体腐蚀，因此难以确保静电吸盘的对含氟气体的抗性。
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供一种静电吸盘，能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。为了解决上述课题，技术方案1所述的静电吸盘在基板处理装置的处理室内的用于载置基板的基板载置台上形成基板载置面，其特征在于，在上述基板载置面上形成有由与上述基板的背面的构成材料相同的材料形成的、用于与上述基板的背面抵接的覆膜层。根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案2所述的静电吸盘的特征在于，在上述基板载置面上形成有浮雕状结构，该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成，上述覆膜层形成于上述外周部。根据技术方案2所述的静电吸盘，技术方案3所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层还形成于上述岛部分。根据技术方案2或3所述的静电吸盘，技术方案4所述的静电吸盘的特征在于，上述浮雕状结构以下述方式形成，即使上述基板载置面突出而形成突出部，并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。根据技术方案2或3所述的静电吸盘，技术方案5所述的静电吸盘的特征在于，上述浮雕状结构以下述方式形成，即使上述基板载置面为平面，并在该平面上利用上述覆膜层形成突出部。根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案6所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层形成于上述基板载置面上的将供升降销升降的开口围绕的区域，该升降销是为了从该基板载置面举起上述基板而设置的。根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案7所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层形成于整个上述基板载置面。根据技术方案1至7中任一项所述的静电吸盘，技术方案8所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层由玻璃形成。根据技术方案1至8中任一项所述的静电吸盘，技术方案9所述的静电吸盘的特征在于，上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面，且该上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案10所述的静电吸盘的特征在于，在上述基板载置面上形成有浮雕状结构，该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成，上述覆膜层形成于上述岛部分，上述外周部由耐等离子体性材料构成。根据技术方案10所述的静电吸盘，技术方案11所述的静电吸盘的特征在于，上述岛部分仅由上述覆膜层形成。 根据技术方案10所述的静电吸盘，技术方案12所述的静电吸盘的特征在于，上述岛部分以下述方式形成，即使上述基板载置面突出而形成突出部，并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。根据技术方案10至12中任一项所述的静电吸盘，技术方案13所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层由玻璃形成。根据技术方案10至12中任一项所述的静电吸盘，技术方案14所述的静电吸盘的特征在于，上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面，且上述上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。根据本专利技术，因为在基板载置面上形成有由与基板的背面的构成材料相同的材料形成的、用于与基板的背面抵接的覆膜层，所以能够防止在将载置于静电吸盘的基板从该静电吸盘举起时易于产生的分离起电，从而能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。附图说明图1是示意性地表示具有应用本专利技术的实施方式的静电吸盘的基板载置台的基板处理装置的结构的剖视图。图2是表示本专利技术的第1实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。图3是表示本专利技术的第2实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。图4是表示本专利技术的第3实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。图5是表示本专利技术的第4实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。图6是表示本专利技术的第5实施方式的静电吸盘的结构的俯视图。图7是表示本专利技术的第6实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。图8是表示图7的静电吸盘的第1变形例的结构的剖视图。图9是表示图7的静电吸盘的第2变形例的结构的剖视图。图10是表示图7的静电吸盘的第3变形例的结构的剖视图。具体实施方式以下，一边参照附图，一边对本专利技术的实施方式进行详细说明。图1是示意性地表示应用具有本专利技术的实施方式的静电吸盘的基板载置台的基板处理装置的结构的剖视图。该基板处理装置例如是用于对液晶显示装置制造用的玻璃基板实施规定的等离子体处理的基板处理装置。在图1中，基板处理装置10具有腔室11，该腔室11用于容纳例如由1个边为几m 的矩形的玻璃形成的基板G，在该腔室11内部的图中下方配置有用于载置基板G的载置台 (基座)12。基座12由基材13构成，该基材13由例如表面经过铝阳极化处理了的铝形成， 基材13借助绝缘构件14被支承于腔室11的底部。基材13的截面呈凸型，在上部设置有静电吸盘40，该静电吸盘40内置有静电电极板44，静电吸盘40的上部平面成为用于载置基板G的基板载置面41。以围绕基板载置面41本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南雅人，佐佐木芳彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：