提供一种等离子体处理装置及方法，在利用感应耦合等离子体的同时，难以在等离子体点火之后产生斜向电场引起的缺陷。另外，提供一种等离子体处理装置及方法，在感应耦合等离子体方式中并用法拉第屏蔽件来去除斜向电场，同时，可确实点火等离子体。该装置构...

本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为３２０～４００＃的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用...

磁场形成机构２１的各个磁体块２２，如图３（ａ）所示，从各个磁体块２２的磁极朝向真空室１侧的状态开始，如图３（ｂ）、图３（ｃ）所示，相邻的磁体块２２同步反向转动，所以相隔一个的磁体块２２就变成同向转动，可以控制在真空室１内形成的半导体晶圆...

本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室（１）内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片（Ｗ）表面上的ＰＲ膜层（２０２）等有机膜层的下层的ＳｉＯ↓［２］膜层（２０４）上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，...

提供在温度控制下对被检查体进行检查的探测装置（１００）。该探测器具有台架基底（２）、Ｚ台架（１０）、具有框状结构的Ｘ－Ｙ台架（１２）、配置在Ｘ－Ｙ台架上的基板固定机构（２３）、与基板固定机构对置配置的探测器插件（１４）、固定在Ｚ台架上、...

一种热处理方法，在对比被处理体保持件的最大能够处理数少的数量的被处理体进行热处理的情况下，从以比被处理体保持件的最大能够处理数少的基准数量为最大值而设定的１个或２个以上的被处理体数量范围，指定要处理的被处理体的数量所属的被处理体数量范围...

本发明提供一种膜除去装置，它包括：基板保持部（６０），保持具有涂布膜的基板；激光光源（６３），将激光局部照射到该基板保持部上的基板的定位记号位置（１４）上，将涂布膜从基板部分剥离；流体供给机构（１１３－１１６，２０１，２０２），具有向定...

本发明涉及用于处理待处理物体的处理设备、处理方法、压力控制方法、被处理物体传送方法以及传送设备。提供了一种可以有效地进行多个处理的被处理物体处理设备。多个处理系统可连通地在一线连接在一起并在其中处理被处理物体。负载锁定系统可连通地连接到...

本发明提供一种分压控制系统，其能够减少作用气体的白白浪费，同时能够提高对设定改变等的响应性能。在分压控制系统（４５）中设置；并联设置在作用气体供给管路中，可变地控制作用气体的二个阀门（８）；相对各个阀门（８）串联连接，检测作用气体的压力...

本发明提供一种基板运送装置，该基板运送装置可在不增加高度方向的设置空间的情况下，增加水平方向的运送距离。叠置有基座板（７１）和多个滑动板（７２～７４）的多段的滑动式的基板运送装置（７０）按照下述方式构成：在为了进行载置于最上段的滑动板（...

本发明可进行输送经由真空预备室的较大型的基板而不增大真空预备室的容积。在与真空处理室连接的负载锁定室（２０）的内部，设置：层叠有基座板（７１）和多个滑动板（７２－７４）的、进行多级滑动式地输送动作的基板输送机构（７０）；和具有支撑基板Ｇ...

一种将基板送入送出对基板进行规定的处理的处理单元的基板输送单元，在预先取得基板对基板保持部的交接位置的数据的情况下，以高精度而且在短时间内进行基板的对位。例如在使基板保持部旋转１８０度时的前后，分别拍摄由基板输送单元交给了基板保持部的对...

本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统（１）备有减压处理装置（１０）、液体处理装置（２０）、构造判别装置（３０）和系统控制装置（４０）。减压处理装置（１０）将抗蚀剂图案作为...

本发明提供一种蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置，能够与掩模层的种类无关地正确检测被蚀刻层的蚀刻量。光Ｌａ的一部分在光刻胶掩模层（３１６）的上面反射，得到反射光Ｌａ１。光Ｌａ的另一部分在孔Ｈ的底面反射，得到反射光Ｌａ２。反射光Ｌａ１与反...

可靠性评估测试装置（１０），包括晶片存放单元（１２），该存放单元存放晶片（Ｗ），该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器（１１）的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元（１２）向／从测量单元（１５）发送／接收一个测试信号...

本发明提供一种基板处理装置及基板搬送装置的位置对准方法，该装置包括：相对处理单元的搬送口而预先确定左右方向的位置坐标的第一光学检测用标记；相对搬送口而预先确定上下方向的位置坐标的第二光学检测用标记；和设置于基板搬送装置、用于检测第一或第...

通过ＬＡＮ９将ＣＶＤ设备３１、扩散设备３３等多台处理设备３；测定设备５；以及管理用的控制计算机７进行连接。各处理设备３存储用于进行处理的控制信息。控制计算机７也存储各处理设备３的控制信息。控制计算机７使各处理设备３实施校正用的处理过程。...

喷嘴障碍监视器（１６８）具有：射出激光束ＬＢ以便在规定高度位置沿Ｙ方向大致水平地横穿台（１３２）上载置的衬底（Ｇ）上面附近的激光射出部（２２２）；隔着台（１３２）上的衬底（Ｇ）并配置在沿Ｙ方向与激光射出部（２２２）对置的位置的受光部（２...

本发明提供一种真空容器。伴随ＬＣＤ用基板Ｓ的处理装置的大型化，真空预备室（１）的盖体（１Ｂ）将会超过１５００ｍｍ，这样一来盖体（１Ｂ）的受压面积大幅度增大，就需要制作壁厚较大的特殊规格的盖体（１Ｂ）才能够耐住框体（１）内的真空，其制作成...

本发明提供一种处理装置，在第一扩散板（２１）的气体导入管（２７）一侧的面上形成槽（３０），在电板极（１９）一侧的面上形成凹部（３２）。第一槽（３０）与凹部（３２）通过多个导通口（３１）连通。第一槽（３０）和导通口（３１），形成从气体导入...