处理方法技术

本发明专利技术涉及一种处理方法，它具有：在处理室（１）内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片（Ｗ）表面上的ＰＲ膜层（２０２）等有机膜层的下层的ＳｉＯ↓［２］膜层（２０４）上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如２０ｍＴｏｒｒ，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如２００ｍＴｏｒｒ下，除去上述有机膜层的工序。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，具体而言，涉及例如在真空处理容器内产生处理气体的等离子体，以除去形成于被处理体表面上的有机膜层的。
技术介绍
在形成半导体集成电路配线时，具有例如形成配线用接触孔或接触槽的工序。在这些工序中，在含有例如硅氧化物等的绝缘膜层上形成保护膜层和防反射膜层，再用光刻技术形成接触孔或接触槽的图案，然后，使用等离子体处理装置根据它们各自的形状进行蚀刻，形成接触孔和接触槽。此后，使用同一个等离子体处理装置或其它等离子体处理装置施行灰化处理，以除去保护膜层。例如，图5A和图5B表示现有的蚀刻工艺。如图5A所示，在芯片的硅层101上，由上层至下层，形成光致抗蚀膜层(PR膜层)102、防反射膜层(BARC(BOTTOM ANTI REFLECTION COATING)层)103、硅氧化物膜层(SiO2膜层)104和硅氮氧化物膜层(SiON膜层)105，再于SiO2膜层104和SiON膜层105上利用蚀刻形成接触孔106。在将如图5A所示的PR膜层102进行灰化处理时，如该图所示，利用灰化除去SiO2膜层104上的PR膜层102(包括BARC层103)。在这种现有技术的处理中，将例如经本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理方法，它在真空处理容器内产生处理气体的等离子体，以除去形成在被处理体表面上的有机膜层，其特征在于，具有：在第一压力下除去所述有机膜层的工序；和使用与该工序相同的处理气体，在高于所述第一压力的第二压力下除去所述有机膜层 的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-9-26 295187/20011.一种处理方法，它在真空处理容器内产生处理气体的等离子体，以除去形成在被处理体表面上的有机膜层，其特征在于，具有在第一压力下除去所述有机膜层的工序；和使用与该工序相同的处理气体，在高于所述第一压力的第二压力下除去所述有机膜层的工序。2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一压力设在100mTorr以下。3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，由所述第一压力导致的所述有机膜层的过剩处理率设定在15％以下。4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，由所述第一压力导致的所述有机膜层的过剩处理率和由第二压力导致的所述有机膜层的过剩处理率之和设定在100％以下。5.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，使用至少含有氧气的气体作为所述处理气体。6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，使用氧气作为所述处理气体。7.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，使用氮氧混合气体作为所述处理气体。8.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，使用至少含N或H其中任一方的气体作为所述处理气体。9.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，在所述真空处理容器内与所述等离子体接触的部分含有金属成份。10.如权利要求9所述的处理方法，其特征在于，所述金属成份为钇。11.如权利要求9所述的处理方法，其特征在于，含有所述金属成份的部分为氧化钇。12.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述有机膜层为保护层。13.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，在所述有机膜层的下面形成有硅氧化物膜层。14.如权利要求13所述的处理方法，其特征在于，所述硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：户田昭仁，小川和人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]