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本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室（１）内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片（Ｗ）表面上的ＰＲ膜层（２０２）等有机膜层的下层的ＳｉＯ↓［２］膜层（２０４）上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如２...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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