等离子体处理装置制造方法及图纸

磁场形成机构２１的各个磁体块２２，如图３（ａ）所示，从各个磁体块２２的磁极朝向真空室１侧的状态开始，如图３（ｂ）、图３（ｃ）所示，相邻的磁体块２２同步反向转动，所以相隔一个的磁体块２２就变成同向转动，可以控制在真空室１内形成的半导体晶圆片Ｗ的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种等离子体处理装置，特别是在半导体晶圆片等被处理基板上实施蚀刻等等离子体处理的等离子体处理装置。
技术介绍
目前，在半导体装置的制造领域中，使处理室内产生等离子体，将该等离子体作用于配置在处理室内的被处理基板(例如，半导体晶圆片等)上，并进行规定处理(例如蚀刻、成膜等)的等离子体处理装置得到了应用。在这种等离子体装置上，要进行良好的处理，必需将等离子体的状态维持在适于进行等离子体处理的良好状态下。因此，目前，具备形成用于控制等离子体的磁场的磁场形成机构的等离子体装置很多。作为这样的磁场形成机构，已知有偶极型(dipole)和多极型(multipole)。偶极型磁场形成机构对于被处理面向上、水平配置的半导体晶圆片等的被处理基板，在其上方形成一定方向的偶极磁场。另外，多极型磁场的形成机构对于被处理面向上、水平配置的半导体晶圆片等被处理基板，在其四周以包围半导体晶圆片等的方式配置多列，使N，S磁极邻接交互配置，半导体晶圆片的上方不形成磁场，而围绕其周围形成多极磁场。如上所述，目前，已知一种等离子体处理装置，它在处理室内的半导体晶圆片等被处理基板的周围，形成规定的多极磁场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，它包括：容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被 处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为通过改变所述磁体块的相对位置，可以控制在所述处理室内的所述被处理基板周围形成的多极磁场的强度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-9-20 287539/20011.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为通过改变所述磁体块的相对位置，可以控制在所述处理室内的所述被处理基板周围形成的多极磁场的强度。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁体块被做成近似圆筒的形状。3.一种等离子体处理装置，它包括容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为所述磁体块中的至少一部分，可以在垂直方向的转动轴周围转动从而改变磁极方向。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁场形成机构构成为相邻的所述磁体块分别向相反方向转动。5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁场形成机构构成为所述磁体块全部以相同转动方向转动。6.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述磁场形成机构构成为通过由相邻设置的多个所述磁体块组成的磁体块组，形成所述规定的多极磁场中的一个磁极，使构成所述一个磁体块组的多个所述磁体块，同方向同步转动。7.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述磁体块中，构成为仅仅每隔一个磁体块以规定的转动方向转动。8.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，通过转动所述磁体块，可以设定在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的状态，和在所述处理室内的所述被处理基板的周围没...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野博夫，达下弘一，本田昌伸，永关一也，林大辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]