处理装置和处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理装置，在第一扩散板（２１）的气体导入管（２７）一侧的面上形成槽（３０），在电板极（１９）一侧的面上形成凹部（３２）。第一槽（３０）与凹部（３２）通过多个导通口（３１）连通。第一槽（３０）和导通口（３１），形成从气体导入管（２７）通向凹部（３２）的气体流路（Ｌ）。从气体导入管（２７）供给的处理气体通过气体流路（Ｌ），向在凹部（３２）与电板极（１９）之间形成的中空部扩散，从而进行供气。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在被处理体上进行成膜处理、蚀刻处理等处理的处理装置及处理方法。
技术介绍
在制造半导体装置、液晶显示装置等的过程中，使用等离子体处理装置，该装置用等离子体对这些基板的表面进行处理。可以列举的等离子体处理装置有对基板进行蚀刻的等离子体蚀刻装置、进行化学气相沉积(Chemical Vapor DepositionCVD)的等离子体CVD装置等。其中，平行平板型的等离子体处理装置，因其优良的均匀性处理及比较简单的构造而被广泛使用。平行平板型的等离子体处理装置在上下有互相平行的两个相对置的平板电极。两个电极之中，下部电极的上面装有基板。上部电极具有与下部电极相对向的并且有多个气孔的电极板，即所称的喷头式结构。上部电极与处理气体的供给源连接着，在进行处理时，处理气体通过电极板的气孔供给至两个电极之间。通过对电极施加的高频电力，供给至电极间的处理气体被等离子体化，并通过该等离子体对基板的表面进行处理。在上述等离子体处理装置中，为了以高均匀性对基板表面进行处理，重要一点是对来自各个气孔的处理气体的供给进行精确地控制。例如，如果来自气孔的气体供给不均匀，则进行成膜处理的基板表面的膜厚度分布就不均匀。喷头式结构的上部电极的内部具有中空的扩散部。扩散部以覆盖电极板一面的方式而设置，处理气体被扩散部扩散到多个气孔中。在此结构中，为了控制从气孔供给的处理气体，很重要的一点在于控制扩散部中的处理气体的扩散，并导入气孔中。为了控制在扩散部中处理气体的扩散，例如，开发出了一种把扩散部分成多个区域，向各个区域分别供给处理气体的构造。如根据此构造，则可以通过调节供给各个区域的处理气体量，对与各个区域连通的气孔中喷出的处理气体量进行控制。这样，就可以对基板表面进行高均匀性处理。但是，如果采用上述构造，需要设置与多个扩散区域分别相连接的配管。因此，会增加装置的零件数，使装置结构变得复杂，并增加制造成本，同时会降低维护等的维护性能。如上所述，目前未曾有这样一种等离子体装置，即，不使装置结构变得复杂就可以对基板表面进行高均匀性的处理。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种结构简单、能够对被处理体进行高均匀性处理的。本专利技术的另一目的在于提供一种结构简单、能够以良好的控制性能向被处理体供给处理气体的。为了达到上述目的，本专利技术的第一观点提供的处理装置具有腔室(2)；具有多个气孔(22)、并通过所述气孔(22)向所述腔室(2)内供给处理用气体的供给板(19)；使所述气体沿与所述供给板(19)的主面平行的大致水平的方向进行扩散的第一扩散部；将所述第一扩散部扩散的所述气体引导至所述气孔(22)的第二扩散部。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，所述第一扩散部也可以由圆盘形构件(21、40、41)构成。该圆盘形构件(21、40、41)具有在所述第一扩散部的一个面上形成的且互相连通的多个槽(30、50、53)；及在所述多个槽(30、50、53)内形成的并通向另一个面的贯通孔(31a、52、54)。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，例如，所述槽(30、53)中至少一个被设置在接受所述气体的供给的位置，例如，供给至所述至少一个槽(30、53)的所述气体被分散至其它的所述槽(30a、54)，从分别设置在其它所述槽(30、53)内的所述贯通孔(31a、54)流向另一面。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，例如，所述第二扩散部由圆盘形构件(21、41)构成，该圆盘形构件(21、41)具有形成于所述第二扩散部的一面上、被层积在所述供给板(19)上并在与所述一面之间形成中空部的槽(32、57)；及设置在所述槽(32、57)内且与另一面相通的贯通孔(31a、54)。来自所述第一扩散部的所述气体，例如，通过所述贯通孔(31a、54)供给至所述中空部。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，构成所述第二扩散部的圆盘形构件(21、41)，例如，用与构成所述第一扩散部的圆盘形构件(21、41)相同的构件构成，例如，构成所述第二扩散部的所述槽(32、57)与构成所述第一扩散部的所述槽(30)，相互形成于所述构件的正反面。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，例如，还具有分隔构件(56)，该分隔构件(56)被设置在构成第二扩散部的所述槽(57)内，把所述中空部分隔成多个区域，例如，所述第一扩散部把所述气体分散并供给至所述多个区域。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，例如，所述第一扩散部由圆筒形构件(20)构成，该圆筒形构件(20)具有互相连通的多个直线形的孔(71、72)，它们是通过穿孔并密封该穿孔部分的端部而形成的，例如，所述孔(71、72)中至少一个孔接受所述气体的供给，而供给至所述至少一个孔(71、72)的气体被分散至其它的所述孔(71、72)。在上述第一观点提供的处理装置(1)中，例如，所述圆筒形构件(20)具有从它的一面通向所述其它的所述孔(71、72)而设置的连接孔(73b、74b)，供给至所述其它的所述孔(71、72)的所述气体，例如，从所述连接孔(73b、74b)供给至所述第二扩散部。为了达到上述目的，本专利技术的第二观点提供了一种处理方法，该方法使用这样一种装置，该装置具有腔室(2)和具有多个气孔(22)、并通过所述气孔(22)向所述腔室(2)内供给处理用的气体的供给板(19)，其中具有使所述气体沿与所述供给板(19)的主面平行的大致水平的方向进行扩散的第一扩散步骤；将在所述第一扩散步骤扩散的所述气体引导至所述气孔(22)的第二扩散步骤。附图说明图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的结构图。图2是图1所示的上部电极的放大图。图3是图2所示的上部电极的A向视图。图4是图2所示的上部电极的B向视图。图5是表示第二实施方式的上部电极的分解图。图6是图5所示的上部电极的C向视图。图7是图5所示的上部电极的D向视图。图8是图5所示的上部电极的E向视图。图9是表示处理气体的供给量比和成膜速度的均匀性的调查结果的图表。图10是表示处理气体的供给量比和面积比相互变化时的成膜速度的均匀性的调查结果的图表。图11表示关于各种成膜类别的成膜条件的例子。图12表示可以替换的气体。图13是表示第三实施方式的上部电极的放大图。图14是图13所示的上部电极的分解图。图15是图13所示的上部电极的A向视线剖面图。图16是图13所示的上部电极的B向视线剖面图。具体实施例方式下面参照附图对与本专利技术的实施方式相关的处理装置进行说明。在以下所表示的实施方式中，以平行平板型等离子体处理装置为例进行说明，它是在半导体晶片(以下称晶片W)上通过CVD(Chemical VaporDeposition化学气相沉积)而形成氟氧化硅(SiOF)膜。(第一实施方式)图1表示本专利技术的第一实施方式的等离子体处理装置1的剖面图。如图1所示，等离子体处理装置1具有略呈圆筒形的腔室2。腔室2由阳极氧化处理过的铝等导电性材料构成。腔室2还被接地。腔室2的底部设置有排气口3。排气口3被涡轮分子泵等排气装置4连接着。排气装置4排出腔室2内的气体使其达到所规定的压力，例如，0.01Pa以下。此外，腔室2的侧壁上设置有气密式可开合的闸阀5。当闸阀5处于打开的状态下，就可以在腔室2和装入锁定室(图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置（１），其特征在于：具有：腔室（２）；具有多个气孔（２２）、并通过所述气孔（２２）向所述腔室（２）内供给处理用气体的供给板（１９）；使所述气体沿与所述供给板（１９）的主面平行的大致水平的方向进行扩散的第一 扩散部；将所述第一扩散部扩散的所述气体引导至所述气孔（２２）的第二扩散部。

【技术特征摘要】
JP 2001-1-22 013570/01;JP 2001-1-23 014011/011.一种处理装置(1)，其特征在于具有腔室(2)；具有多个气孔(22)、并通过所述气孔(22)向所述腔室(2)内供给处理用气体的供给板(19)；使所述气体沿与所述供给板(19)的主面平行的大致水平的方向进行扩散的第一扩散部；将所述第一扩散部扩散的所述气体引导至所述气孔(22)的第二扩散部。2.如权利要求1所述的处理装置(1)，其特征在于所述第一扩散部由圆盘形构件(21、40、41)构成，该圆盘形构件(21、40、41)具有在所述第一扩散部的一面上形成的互相连通的多个槽(30、50、53)；在所述多个槽(30、50、53)内形成的通向另一面的贯通孔(31a、52、54)。3.如权利要求2所述的处理装置(1)，其特征在于所述槽(30、53)中的至少一个，设置在接受所述供给气体的位置，供给至所述至少一个槽(30、53)的所述气体，分散至其它的所述槽(30a、54)，从分别设置在其它所述槽(30、53)内的所述贯通孔(31a、54)流向另一面。4.如权利要求1所述的处理装置(1)，其特征在于所述第二扩散部由圆盘形构件(21、41)构成，该圆盘形构件(21、41)具有形成于所述第二扩散部的一面上、层压在所述供给板(19)上、并在与所述一面之间形成中空部的槽(32、57)；设置在所述槽(32、57)内并与另一面相通的贯通孔(31a、54)；来自所述第一扩散部的所述气体，通过所述贯通孔(31a、5...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤良裕，后藤聪，义高光，青木诚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]