外延生长方法以及外延生长用衬底技术

一种外延生长方法，其通过衬底支撑工具保持生长用衬底（例如ＩｎＰ衬底），利用有机金属气相生长法使包含３元素或４元素的化合物的半导体层（例如ＩｎＧａＡｓ层、ＡｌＧａＡｓ层、ＡｌＩｎＡｓ层、ＡｌＩｎＧａＡｓ层等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层）在所述生长用衬底上生长，其特征在于，在遍及衬底的整个有效利用区域抛光，以使自（１００）方向的倾斜角度为０．００°～０．０３°或０．０４°～０．２４°，使用该生长用衬底在衬底上以０．５．μｍ以上的厚度形成所述化合物半导体层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用有机金属气相生长法在半导体衬底上形成化合物半导体层的外延生长方法以及外延生长用衬底，特别涉及改善化合物半导体层的表面形态的技术。
技术介绍
从前，在发光元件以及受光元件等的半导体元件的用途中，广泛使用使InGaAs层、AlGaAs层、InAlAs层、InAlGaAs层、InGaAsP层等的3元体系或4元体系的III-V族化合物半导体层、和InP层依次外延生长在InP衬底上的半导体晶片。该半导体晶片的外延层，例如由有机金属气相生长法(以下称为MOCVD法)形成。但是，在利用MOCVD法使上述的III-V族化合物半导体层进行外延生长的情况下，在外延层的表面产生小丘状的缺陷，存在表面形态恶化的问题。因此，提出了各种用于改善外延层的表面形态的技术方案。例如，在日本专利第2750331号公报(专利文献1)中，为了减少在生长膜的表面产生的泪状缺陷(和小丘状缺陷意思相同)，规定进行外延生长时的衬底的面方位。具体地讲，根据使外延层生长时的生长温度以及生长速度，规定使用的化合物半导体单晶衬底的面方位，由此有效降低泪状缺陷的发生。另外，和上述专利文献1相同的内容公开在M.Nakam本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延生长方法，其通过衬底支撑工具保持生长用衬底，利用有机金属气相生长法在所述生长用衬底上形成包含３元素或４元素的化合物半导体层，其特征在于，对衬底的整个有效利用区域抛光，以使自（１００）方向的倾斜角度为０．００°～０．０３°或０．０４°～０．２４°，使用该生长用衬底在衬底上以０．５μｍ以上的厚度形成所述化合物半导体层。

【技术特征摘要】
JP 2002-12-3 350704/20021.一种外延生长方法，其通过衬底支撑工具保持生长用衬底，利用有机金属气相生长法在所述生长用衬底上形成包含3元素或4元素的化合物半导体层，其特征在于，对衬底的整个有效利用区域抛光，以使自(100)方向的倾斜角度为0.00°～0.03°或0.04°～0.24°，使用该生长用衬底在衬底上以0.5μm以上的厚度形成所述化合物半导体层。2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，在所述生长用衬底上形成缓冲层，在该缓冲层上形成所述化合物半导体层。3.根据权利要求1或2所述的外延生长方法，其特征在于，所述化合物半导体层是至少含有As的III-V族系化合物半导体层。4.根据权利要求3所述的外延生长方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村正志，栗田英树，
申请(专利权)人：日矿金属株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]