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一种外延生长方法，其通过衬底支撑工具保持生长用衬底（例如ＩｎＰ衬底），利用有机金属气相生长法使包含３元素或４元素的化合物的半导体层（例如ＩｎＧａＡｓ层、ＡｌＧａＡｓ层、ＡｌＩｎＡｓ层、ＡｌＩｎＧａＡｓ层等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层）在所述生长用...
该专利属于日矿金属株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日矿金属株式会社授权不得商用。

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