成膜方法包括预备阶段（Ｓ１０）和处理阶段（Ｓ２０）。在预备阶段（Ｓ１０）中，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式（Ｓ１１～Ｓ１４）。在处理阶段...

本发明涉及一种被处理体的收存容器体，其包括：可以收存能保持多枚第一被处理体的开放型盒、并且具有能收存多枚与上述第一被处理体相比大口径的第二被处理体的大小的箱式容器；设置在上述箱式容器的内侧壁、多级地支持上述多枚第二被处理体的支持部；可装...

本发明提供一种基板处理装置，可将对排气反应容器排气时的排气端口的电导系数在ＡＬＤ处理中设定得小，以便在所述反应容器内形成层流，在净化处理中设定得大，以便可在短时间内净化所述反应容器内。基板处理装置（４０）的排气端口（２０１ａ、２０１ｂ）...

本发明提供可以降低处理室内ＣＦ系聚合物沉积物堆积的等离子体处理装置。该等离子体蚀刻处理装置（１）包含在内部可定义处理室（２）的直径下部大上部小的处理容器（３），如果处理室（２）减压到规定的真空环境，向处理室（２）内导入包含ＣＦ系气体的处...

在现有的分析数据中，作为老化结束的判断基准的变化因老化而发生变化，即难于辨别是基于处理容器内的状态变化而变化，还是基于各个伪晶片间的温度变化而变化，进而难于判断老化是否结束。因此，本发明的等离子体处理方法，向等离子体处理装置（１）的处理...

提供了一种可抑制蚀刻停止现象，而且在蚀刻孔内不产生沉积的等离子体蚀刻方法。使包含导入处理容器内的Ｃ↓［ｘ］Ｆ↓［ｙ］（ｘ≥２）和ＣＦ↓［４］的气体等离子体化。通过在该膜上的金属化合物的掩模开口图形，对该处理容器内的被处理体Ｗ中的膜进行等...

本发明的等离子体处理装置用电极（２３）包括：支持部件（３５），与保持被处理基板（Ｗ）的电极（１３）相对向地配置；电极板（３６），安装于支持部件（３５）上，具备多个气体排出孔（３６Ａ）和与支持部件（３５）相对向地开口的螺丝孔（４４Ａ），从...

本发明提供一种检测卡，其具备接触器；印刷线路板；在上述接触点和上述印刷线路板之间，将二者弹性且电气接触的插入物；将它们一体化的连结部件；以及增前经过该连结部件而一体化的印刷线路板的增强部件。

纵型热处理装置（１）配置有在从处理室（５）的加载端口（４）取出被处理基板（Ｗ）之际，遮蔽加载端口（４）的快门装置（１７）。快门装置（１７）配置有选择性地关闭处理室（５）的加载端口（４）的端口盖（１８）。端口盖（１８）由配备有支撑它同时使...

在纵型热处理装置（１）中，在可升降地开闭纵型热处理炉（２）的炉口（３）的盖体（５）上，设置有旋转搭载有多个被处理基板（Ｗ）的保持容器（１３）的旋转机构（１５）。旋转机构（１５）包括旋转轴（１６）、和通过轴承（１７）及密封部件（１８）可旋...

提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置（３０）具有处理室容器（３）；处理室容器（３）包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极（１）；在其下部有顶部带有...

在具有ＳｉＣ膜（６１）和在其上形成的有机Ｓｉ类低介电常数膜（６２）的构造中，将有机Ｓｉ类低介电常数膜（６２）作为掩膜，通过蚀刻气体的等离子体来蚀刻ＳｉＣ膜（６１），此时，作为蚀刻气体，使用包含ＣＨ↓［２］Ｆ↓［２］的气体或者包含ＣＨ↓［...

本发明的成膜装置１００的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器１０；用于对半导体基板１０１进行成膜处理的成膜室１２０；用于将上述源气体从原料容器１０供给至成膜室１２０的原料供给管路３０；具有由涡轮分子泵１４和干式泵１６形成的真...

在控制装置ＭＣ中，存储在前一批中，最后进行处理的处理室ＰＭ（最终处理ＰＭ），当开始此次的批量处理时，从该最终处理ＰＭ时下一个处理室（例如最终处理ＰＭ为处理室ＰＭ１的情况下，为处理室ＰＭ２），开始搬入半导体晶片Ｗ。这样，可使各个处理部分的...

本发明提供一种抑制在基板表面上的转写痕迹的发生，同时防止粒子向基板背面的附着的涂敷膜形成装置及涂敷膜形成方法。抗蚀剂涂敷处理装置（ＣＴ）（２３ａ）备有设置有多个用于喷射气体的气体喷射口（１６ａ）的台（１２）；在台（１２）上沿Ｘ方向运送Ｌ...

本发明的等离子体处理结果的预测方法，是比较以下两个残差：基于处理装置清洗前的第一标准处理的主分量分析模型而得到的残差和基于该处理装置清洗后的或另外的处理装置的第二标准处理的主分量分析模型而得到的残差，从而确定加权基准并据此构筑第二标准处...

一种基板处理方法，通过微波等离子体氮化处理氮化在硅基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，可避免损伤氧氮化膜，抑制硅基板和氧氮化膜的界面处的氧化膜的再生长，使氧化膜换算膜厚减少。所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：将所述微波激励等离子体...

在本发明中，对于作为基准的等离子体处理装置１００Ａ和与之同种类的等离子体处理装置１００Ｂ，分别对利用第一设定数据进行动作时由各自的多个传感器检测的检测数据进行多变量解析，作成多变量解析模型式后，使用利用新的第二设定数据进行动作时由等离子...

本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器（１）内，通过蚀刻气体的等离子，将无...

本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内...