纵型热处理装置制造方法及图纸

纵型热处理装置（１）配置有在从处理室（５）的加载端口（４）取出被处理基板（Ｗ）之际，遮蔽加载端口（４）的快门装置（１７）。快门装置（１７）配置有选择性地关闭处理室（５）的加载端口（４）的端口盖（１８）。端口盖（１８）由配备有支撑它同时使其移动的伸缩臂（１９）的驱动部来驱动。驱动部通过伸缩臂（１９）使端口盖（１８）在关闭加载端口（４）的关闭位置（ＰＢ）和关闭位置（ＰＢ）旁侧的待机位置（ＰＡ）之间做直线移动。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对于多个被处理基板一起实施热处理的纵型热处理装置。更具体地说，本专利技术涉及具有在被处理基板从处理室被取出时遮蔽处理室的加载端口而改良的快门装置(shutter device)的纵型热处理装置。并且，该纵型热处理装置典型性地被组装入半导体处理系统来使用。这里，所谓半导体处理，意指通过在半导体晶片和玻璃基板等被处理基板上由规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，对于该被处理基板上，为了制造包括半导体设备、连接于半导体设备的配线、电极等的构造物而实施的各种处理。
技术介绍
制造半导体设备时，为了给被处理基板例如半导体晶片上实施膜堆积、氧化、扩散、重整、退火、蚀刻等处理，而使用各种处理装置。作为这种处理装置，一次热处理多片晶片的纵型热处理装置为大家所知。通常，纵型热处理装置具有收纳晶片的密封纵型处理室(反应管)。在处理室的底部形成加载端口，它通过由升降机升降的盖体而被选择性地开放及关闭。处理室内，晶片通过被称为晶片舱的保持容器在以相互间以一定间隔堆积的状态下保持。晶片舱在保持晶片的同时，在被支撑于盖体上的状态下，通过升降机经加载端口向处理室内加载及卸载晶片。在处理室的下方一侧配置有在从加载端口取出支撑于盖体上的晶片舱时用于遮蔽加载端口的快门装置。通过快门装置，防止打开盖体时处理室内的高温热量从加载端口逃逸而给予下方热影响。图10为表示这种以往的快门装置和处理室(反应管)之间关系的立体图。如图10所示，该快门装置110包括覆盖处理室103的加载端口104的端口盖118。端口盖118安装在水平旋转臂116的前端。旋转臂116通过配置于其基端部的水平旋转机构114及上下移动机构112可以水平旋转及上下移动。如图10中实线所示，在加载端口开放时，端口盖118被移动到加载端口104旁侧的待机位置。在加载端口关闭时，使臂116水平旋转约60度左右，使端口盖118移动至加载端口104的下方。然后，使臂116进一步抬升，使端口盖118靠接在加载端口104上，加载端口104被关闭。另外，作为快门装置其他的例子，还有在垂直旋转臂的前端安装端口盖的(无图示)。这种场合下，垂直旋转臂通过其基端部的垂直旋转机构做垂直旋转。端口盖通过臂的垂直旋转被上升至与加载端口相接为止，这样，加载端口被关闭。在图10所示的快门装置中，通过使旋转臂116水平旋转来移动端口盖118。端口盖118由于具有比较大的重量，所以图10所示的快门装置中，开闭操作端口盖118时的位置控制需时较多。例如，12英寸晶片用的纵型热处理装置这种情况，在进行关闭操作时，旋转旋转臂16大约需时25秒，抬升旋转臂116大约需时2秒，共计大约27秒。快门装置长时间的动作，成为降低生产量的原因。端口盖118的尺寸，随着晶片尺寸的增大、处理室直径的增大而增大。因此，可认为用于处理更大尺寸的晶片的下一代纵型热处理装置中，上述问题尤为突出。
技术实现思路
本专利技术的目的在于实现纵型热处理装置中缩短快门装置的开闭操作时间，提高生产量。从本专利技术的某种视点来看，提供一种对于多个被处理基板，一起实施热处理的纵型热处理装置，它包括收纳前述被处理基板的密封处理室，前述处理室的底部设置有加载端口；选择性地开放及关闭前述处理室的前述加载端口的盖体；在前述处理室内，以一定间隔隔开堆积的状态保持前述被处理基板的保持容器； 向前述处理室内供给处理气体的供给系统；排出前述处理室内气体的排气系统；加热前述处理室内部环境的加热机构；在将保持前述被处理基板的前述保持容器支撑在前述盖体上的状态下，升降前述盖体的升降机；以及从前述处理室的前述加载端口取出前述被处理基板时，遮蔽前述加载端口的快门装置，前述快门装置包括选择性地关闭前述处理室的前述加载端口的端口盖；具备支撑前述端口盖的同时使其移动的伸缩臂的驱动部，前述驱动部通过前述伸缩臂使前述端口盖在关闭前述加载端口的关闭位置和前述关闭位置旁侧的待机位置之间做直线移动。前述纵型热处理装置中，前述伸缩臂配置有基部和为前述基部所支撑、且支撑前述端口盖的多个臂杆元件；前述多个臂杆元件可包括对于前述基部可往复动作的第1臂杆元件、对于所述第1臂杆元件可往复动作的第2臂杆元件。前述纵型热处理装置中，前述快门装置进一步配置有收纳前述端口盖及前述伸缩臂的盒体；在前述待机位置中，可以将前述伸缩臂收纳于前述盒体内。前述纵型热处理装置中，前述快门装置进一步配置有控制前述伸缩臂动作的控制器；所述第2臂杆元件前述控制器可以使对于所述第1臂杆元件的往复动作，仅在所述第1臂杆元件处于所述盒体内的状态下进行。前述纵型热处理装置中，前述盒体设置有形成于与前述关闭位置对向的前述盒体的第1侧面上的第1开口、形成于与前述第1侧面不同的前述盒体的第2侧面上的第2开口，前述纵型热处理装置可以进一步配置形成从前述第1开口流入且从前述第2开口流出气流的机构。附图说明图1为概略性地表示涉及本专利技术实施方式的纵型热处理装置的结构图。图2为概略性地表示在图1所示装置中使用的快门装置(shutterdevice)的内部构造的平面图。图3为概略性地表示图2所示快门装置的内部构造的主视。图4为概略性地表示在图2所示快门装置的内部构造的侧面图。图5A、B为在第1及第2臂杆元件共同收缩的状态(收纳状态)下，图2所示快门装置的平面图及侧面图。图5C、D为在仅第2臂杆元件伸张状态下，图2所示快门装置的平面图及侧面图。图6A、B为在第1及第2臂杆元件共同伸张的状态(伸张状态)下，图2所示快门装置的平面图及侧面图。图6C、D为在仅第1臂杆元件收缩状态下，图2所示快门装置的平面图及侧面图。图7为概略性地表示图1所示装置的作业区域中的换气构造的立体图。图8为概略性地表示图1所示装置的作业区域中的换气构造的截面图。图9为概略性地表示涉及本专利技术其他实施方式的快门装置的侧面图。图10为表示纵型热处理装置中以往快门装置与处理室之间关系的立体图。具体实施例方式关于本专利技术的实施方式，参照图纸说明如下。另外，以下说明中，关于具有大致同一功能及结构的构造元件，则赋予同一符号，重复说明仅在需要时进行。图1为概略性地表示涉及本专利技术实施方式的纵型热处理装置的结构图。如图1所示，该纵型热处理装置的1的外部轮廓由外壳2构成。外壳2的上方配置对多个被处理基板例如半导体晶片W实施规定处理例如氧化处理的纵型热处理炉3。热处理炉3包括下部作为加载端口4被开口的纵长的处理室例如石英制的反应管5。反应管(处理室)5的加载端口4被可以升降的盖体6选择性地开放或关闭。盖体6构成为接到加载端口4的开口端并密闭加载端口4。在盖体6上，配置在隔开间隔堆积状态下保持多个晶片W的晶片舱9。在盖体6下部，设置用于使晶片舱9旋转的旋转机构11a。在反应管5的周围配置加热器7。加热器7被控制做到将反应管(处理室)5内的环境加热到规定温度例如300～1200℃。为了向反应管5内导入处理气体和清洗用不活性气体，反应管5上连接包括多个气体导入管的气体供给系统GS。反应管5上还连接有排出反应管5内气体的排气系统ES。晶片W在反应管5内被处理时，在水平状态下且在相互隔开间隔地堆积状态下被保持在晶片舱9。晶片舱9包括保持多个大口径例如直径300mm的、例如25～150片左右晶片W的石英制舱主体9a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纵型热处理装置，用于对于多个被处理基板一起实施热处理的，其特征在于，包括：收纳所述被处理基板的密封的处理室，所述处理室的底部具有加载端口；选择性地开放及关闭所述处理室的所述加载端口的盖体；在所述处理室内，以相互间 一定间隔隔开地堆积的状态保持所述被处理基板的保持容器；向所述处理室内供给处理气体的供给系统；排出所述处理室内气体的排气系统；加热所述处理室内部环境的加热机构；在将保持所述被处理基板的所述保持容器支撑在所述盖体 上的状态下，升降所述盖体的升降机；以及从所述处理室的所述加载端口取出所述被处理基板时，遮蔽所述加载端口的快门装置，所述快门装置，包括：选择性地关闭所述处理室的所述加载端口的端口盖；和具备支撑所述端口盖的同时使其移动的 伸缩臂的驱动部，所述驱动部通过所述伸缩臂使所述端口盖在关闭所述加载端口的关闭位置和所述关闭位置旁侧的待机位置之间做直线移动。

【技术特征摘要】
JP 2002-4-5 103316/20021.一种纵型热处理装置，用于对于多个被处理基板一起实施热处理的，其特征在于，包括收纳所述被处理基板的密封的处理室，所述处理室的底部具有加载端口；选择性地开放及关闭所述处理室的所述加载端口的盖体；在所述处理室内，以相互间一定间隔隔开地堆积的状态保持所述被处理基板的保持容器；向所述处理室内供给处理气体的供给系统；排出所述处理室内气体的排气系统；加热所述处理室内部环境的加热机构；在将保持所述被处理基板的所述保持容器支撑在所述盖体上的状态下，升降所述盖体的升降机；以及从所述处理室的所述加载端口取出所述被处理基板时，遮蔽所述加载端口的快门装置，所述快门装置，包括选择性地关闭所述处理室的所述加载端口的端口盖；和具备支撑所述端口盖的同时使其移动的伸缩臂的驱动部，所述驱动部通过所述伸缩臂使所述端口盖在关闭所述加载端口的关闭位置和所述关闭位置旁侧的待机位置之间做直线移动。2.根据权利要求1所述的纵型热处理装置，其特征在于，所述伸缩臂具备有基部、和为所述基部所支撑且支撑所述端口盖的多个臂杆元件，所述多个臂杆元件包括对于所述基部可往复动作的第1臂杆元件、和对于所述第1臂杆元件可往复动作的第2臂杆元件。3.根据权利要求2所述的纵型热处理装置，其特征在于所述第1臂杆元件具备线形导轨，所述第2臂杆元件在所述第1臂杆元件的所述线形导轨上滑动。4.根据权利要求3所述的纵型热处理装置，其特征在于所述基部具备有线形导轨，所述第1臂杆元件在所述基部的所述线形导轨上滑动。5.根据权利要求1所述的纵型热处理装置，其特征在于所述伸缩臂以基端部的轴部为中心被可旋转地支...

【专利技术属性】
技术研发人员：本间学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]