利用将对处理炉（２）进行排气的排气系统（１５）内的排气压力作为与大气压的差压而进行检测的差压计（２３）、和作为绝对压力检测大气压的气压计（３１），将排气压力作为绝对压力而检测。根据检测的绝对排气压力，调节压力可变阀（２５）的开度，由此来...

一种等离子体处理方法，其特征在于：包括：　　　　在处理容器内配置具有ＳｉＣ层和ＳｉＯ↓［２］层的被处理体的工序；　　　　对导入所述处理容器内的含有ＣＨＦ↓［３］的蚀刻气体进行等离子体化、相对于所述ＳｉＯ↓［２］层有选择性地对所述ＳｉＣ层...

一种基板校准装置，包括：　　　　为了基本上水平地支承被处理基板（Ｇ）而分散地配置的多个支承部，　　　　在各个前述支承部的附近，从下方向前述被处理基板施加气体的压力、使前述被处理基板实质上浮起的漂置机构（１１０），　　　　将浮起状态的前述...

一种设置在将待测体维持在测试室内的高温环境中、以检测其电特性的测试装置上的固定机构，其特征在于，包括：　　　　暴露在高温环境中的探针板，所述探针板具有与待测体有电接触和机械接触的用于检测所述待测体的电特性的多个探头；　　　　用中心部支承...

一种ＣＭＯＳ器件，包括在硅基片的（１００）面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的ｐ通道ＭＯＳ晶体管和ｎ通道ＭＯＳ晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使...

热处理装置（１）具有：具有升温用加热器（１２）的、容放附着有有机物的晶片（１０）的反应管（２）；向反应管（２）内供给氧气的第１气体导入管（１３）；供给氢气的第２气体导入管（１４）。分别通过第１气体导入管（１３）和第２气体导入管（１４）向...

一种显影方法，具有：　　　　回收在对被处理基片上的抗蚀剂膜的显影处理中使用的碱性显影液的工序；　　　　测定回收的上述显影液的抗蚀剂浓度的工序；　　　　计算与为了得到显影均匀性的上述抗蚀剂浓度测定值对应的碱浓度值的工序；　　　　调整上述显...

一种抗蚀液涂敷方法，在光刻工序中向被处理基板Ｇ上涂敷抗蚀液，它包括：　　　　设定工序，在上述基板上设定实质上分离独立的多个涂敷区域Ｅ；　　　　涂敷工序，在上述基板上限定上述涂敷区域并涂敷抗蚀液。

一种等离子体处理方法，具有在同一处理室内执行的第一和第二等离子体处理步骤，其中在所述第一等离子体处理步骤中沉积物基本上堆积在所述处理室内，在所述第二等离子体处理步骤中在所述处理室内基本上没有堆积沉积物，其特征在于，该方法包括以下步骤：　...

一种基板处理装置，其特征是，包括：　　　　保持基板可旋转的保持部件；　　　　具有放入和取出基板的开口部，收放由上述保持部件保持的基板，同时可与上述保持部件同步地旋转的容器；　　　　可装卸地设置在上述开口部上，开闭上述容器的盖体；　　　　...

一种在形成于基板上的有机材料膜的表面上形成极性液体材料膜的方法，其特征在于：包括：　　　　改性工序，在稀有气体气氛气下，由电子束照射装置向所述有机材料膜照射电子束，在使所述有机材料膜固化的同时，进行向所述有机材料膜赋予与所述极性液体材料...

形成于一片晶片上的器件数量激增，完成一片晶片检查需要很长的时间，而且，如果以批为单位进行晶片的检查，处理完的晶片要存放在探测器内，直至结束所有的晶片的处理，这样，批单位的晶片传递到下一工序的时间会延误，结果很难缩短ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ　　Ａ...

设置半导体制造装置的工厂侧客户端１００和进行半导体制造装置的维修管理的卖方侧服务器２００被连接到可进行双向通信的线路网即因特网３００，可相互发送和接收。客户端１００收集装置的状态信息并发送给服务器２００。服务器２００根据该状态信息，判定...

在处理室（１２）内的载置部件（２１）上，载置被处理体（Ｗ）。载置部件（２１）具备电阻层（２５）。电源（２８）通过在设置于处理室（１２）外部的感应线圈（２７）中流过电流，在感应线圈（２７）的周围产生磁场。电阻层（２５）通过形成的磁场所产生...

形成包覆膜的包覆剂（５１）由环化橡胶－双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室（２２）内取出的处理室内部件（５０）浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件（５０）上分离堆积在处理室内部件（５０...

本发明涉及阳极生成装置和阳极生成方法。它将被处理基板作为阳极，向其照射光线而进行电化学处理，使得在该阳极生成装置和阳极生成方法中，可利用更小型的结构要件处理大型的被处理基板。利用多个接触部件，使接触部件与被处理基板形成电接触，或者利用接...

一种半导体处理用紫外线辅助处理装置（１０），具有与载置台（１１）对置的、设置于构成处理室（１２）的壁上的、使紫外线透射的窗（２０）。设有与窗（２０）对置的、向处理室（１２）外发出紫外线的光源（１５）。用于向处理室（１２）的内部供给处理气...

在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材（１０１）的表面形成氧化处理层（１１１）后，在该氧化处理层（１１１）之上...

等离子体处理装置的基座（１０）、即基板台的静电吸盘（１２）通过陶瓷喷涂形成。陶瓷喷涂层（１２Ａ）被甲基丙烯酸树脂（１２Ｄ）进行封孔。通过使以甲基丙烯酸甲酯为主要成分的树脂原料液涂覆含浸在陶瓷喷涂层中并使其硬化，陶瓷喷涂层的陶瓷粒子之间的...

本发明提供装置自身小型化，并且设置空间也不象原来那样大的热介质循环装置。在热介质循环系统（７８）中设置作为温度控制对象的温度被控制体、与热介质进行主要热交换的主热交换器（８８）、循环泵（８４）而构成的温度控制用的热介质循环装置，在前述主...