在对基片进行涂敷和显影处理的过程中，本发明包含步骤：给基片供应保护溶液而在基片上形成涂层；在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理；在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入所述腔室，此后减小该气密密...

本发明的涂敷和显影系统具有处理区，该处理区有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于显影基片的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片从涂敷单元、显影单元和热处理单元传送或传送到这些单元的第一传送装置，该系统还有一接口部分...

一种基板处理装置及基板处理方法，将收容盒工作站、具有涂布单元和显影单元的处理工作站、具有膜厚检查装置和缺陷检查装置的检查工作站配置成在与收容盒工作站的收容盒的排列方向大约垂直的方向上检查工作站设置在收容盒工作站与处理工作站之间。在这种结...

一种液体处理装置，具有：配有保持基板的保持机构和使保持机构旋转的旋转装置的基板旋转装置；为使保持在保持机构上的基板基本上垂直或基本上水平、变换基板旋转装置的姿势的姿势变换机构；对保持在保持机构上的基板进行规定的液体处理的处理腔室；为把保...

基底处理系统具有一些处理单元，用于将要处理的晶片传送到每个单元并且从每个单元中取出被处理的晶片的加载／解载部分和用于接收／传送晶片从／到加载／解载部分并且将晶片一个接一个地传送到每个单元的辅助臂机构。通过控制器控制处理单元和辅助臂机构以...

目的在于在传输路径上以单位时间高效地从基片上去除处理液。当基片（Ｇ）偏离规定位置时，停止旋转传输滚轴（１３８），使基片（Ｇ）静止。之后，操作驱动部（１８８）使升降轴（１８６）上升。此时，（基板）１８２和起模顶杆（１８４）也上升，起模顶杆...

一种金属膜形成方法，包括：步骤（ａ）（ｓ１３，ｓ１５）向基底阻挡膜（３）依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和（ｂ）（ｓ１４，ｓ１６）在输送步骤（ａ）的原料气体之后，分别对步骤（ａ）的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体...

提供一种不增大印刷台面（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ），即便是大型衬底也可在整个衬底上进行均匀的液体处理的液体处理装置。显影处理单元（ＤＥＶ）２４具有按大致水平状态在一个方向上运送ＬＣＤ衬底Ｇ的滚动运送机构１４；向ＬＣＤ衬底Ｇ上喷出显影液的主显影...

一种在基材上沉积金属薄膜的方法包括超临界预清洁步骤、超临界解吸步骤、和金属沉积步骤。最好，预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳和螯合剂与基材的接触，以便从基材的金属表面除去氧化物。更优选的是，预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳、螯合剂、酸与基...

一种衬底处理系统，沿着从箱区到外部曝光装置之间往复的运输作业线，依次搬送处理多块衬底，其特征是该系统包括： 具有沿上述运输作业线设置在上游侧的第１热处理部及设置在下游侧的第２热处理部的多条处理组件组；及 由上述第１处理部接收...

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜，在第二绝缘膜中形成图形以在其中形成一个开口，以及利用第二绝缘膜作为一个蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作第二绝缘膜。

在半导体制造系统中，控制多个处理装置的操作以高效地制造半导体器件。该半导体制造系统包含一个存储器部分和一个控制部分。存储器部分（５）存储优先级别数据，其以单独的半导体衬底为基础，标明将要对每一个半导体衬底进行的处理的优先级别。控制部分（...

本发明提供一种使维护容易进行、可减轻操作者负担的处理装置及其维护方法。构成蚀刻装置（１００）的处理室（１０２）的顶板部的上部电极单元（１０６）由包含上部电极（１３０）的处理室（１０２）侧的下部组件（１２８）、和包含导电体（１４４）的电压...

一种液处理装置，向基片供给处理液进行液处理，其特征为包括： 对基片略水平支持的支持部件， 保持上述基片的端面，与上述支持部件之间进行基片的交接，对保持的基片能够以从上述支持部件浮起规定距离的状态略水平保持的保持部件， ...

利用压力检测范围不同的第一和第二压力传感器１３２，１３４检测蚀刻装置１００的处理室１０２内的压力。压力控制器１４４从第一及第二压力传感器１３２，１３４的各压力数据根据处理室１０２内的压力选择最佳压力数据。进而，对应处理室１０２内的压力利...

器件检测装置基于单独的器件检测多个半导体器件。检测目标分类部分（８）根据指出有缺陷的器件的信息省略应用于半导体器件的检测的执行，该有缺陷的器件在已经应用到器件的制造过程中已被判定为有缺陷。

利用一边由移动机构从溶剂喷嘴排出冲淡剂，一边沿衬底的各边移动例如２个来回或３个来回，去除衬底的仅周边部的光刻胶膜，使在进行粘附处理时形成的ＨＭＤＳ气体的处理膜露出。其次，利用一边由光纤辐照紫外线，一边沿衬底的各边移动例如２个来回或３个来...

本发明的被处理体的保持装置具有：基座本体，第一电介质膜和第二电介质膜。该基座本体为凸台形状，由放置在等离子体处理装置内并保持所放置的被处理体的保持部，和设置在用于嵌入聚焦环的保持部的外周边缘上的凸缘构成。该第一电介质膜利用库仑力将放在上...

一种衬底处理方法，包括步骤： 制备衬底，其上附着要除去的物质，所述的物质包括光刻胶膜和聚合物层； 用第一处理液流过衬底表面的方式给衬底加第一处理液，以改变物质的状态；和 用第二处理液流过衬底表面的方式给衬底加第二处理液...

一种对基板（Ｗ）提供处理流体并处理的基板处理装置，具有保持基板（Ｗ）的保持部件（６０）、支撑保持部件（６０）的卡盘部件（６１）、和接近基板（Ｗ）并覆盖其表面的上面部件（６２），通过由上述卡盘部件（６１）支撑上面部件（６２），一体转动保持...