半导体器件检测系统技术方案

器件检测装置基于单独的器件检测多个半导体器件。检测目标分类部分（８）根据指出有缺陷的器件的信息省略应用于半导体器件的检测的执行，该有缺陷的器件在已经应用到器件的制造过程中已被判定为有缺陷。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种检测装置，更特别涉及一种用于检测半导体器件的检测装置和系统。
技术介绍
在半导体集成电路的制造过程中，结束一个处理过程之后，该处理过程的结果被调查研究。这时，沉积在晶片上的薄膜的厚度通过一个不同于执行该处理的制造装置的检测装置进行测量，其中在该晶片上形成半导体集成电路。此外，也可以进行粒子检测。从而，完成了对于一个处理过程的校验。即，当通过这样的校验发现被检测对象中的瑕疵时，可以确定在制造装置中存在某种缺陷，并且修理制造装置。此外，因为如果所有的晶片都被进行检测，生产率就会下降，所以仅有一个通过随机抽样取出的晶片被检测。近些年，上述检测装置被安装在执行所述处理的制造装置的内部。从而，可以检测所有晶片而不会降低生产率的制造装置也被开发出来。在这种类型的制造装置中，因为检测单元内置，在所制造的晶片中探测到有缺陷的部分后，探测结果立刻被反馈到制造装置，以便采取措施自动改变处理条件。但是，在晶片上形成的薄膜的厚度对于各个单独的晶片来说可能不同，或者在每一个晶片内也可能不同，在诸如温度和压力的处理条件中，存在着基于由于时间的推移和位置的差异等带来的变化而导致的不平均的不稳定性。可能存在由于不稳定或缺陷程度小而导致缺陷部分没有被探测到的情况。在这样的情况中，制造过程继续进行而不改变处理条件。在制造过程完成之后所执行的最后探针检测处理中，对在晶片上形成的半导体集成电路进行电气功能测试以判断半导体集成电路的质量是否合格。因此，即使当上述的最后处理阶段的检验判断出半导体集成电路是有缺陷的，也对于所有在其中形成了半导体集成电路的芯片进行了探针检测。因此，在不被作为产品采用的有缺陷的半导体集成电路上执行了探针检测。于是，存在一个问题，即，不必要地在有缺陷的半导体集成电路上执行了探针检测。
技术实现思路
本专利技术总的目的是提供一种改进且有用的器件检测装置，其可以消除上述问题。本专利技术更具体的目的是提供一种器件检测装置和检测半导体器件的方法，其中半导体器件能被高效地检测以提高生产率和性能价格比。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于基于单独的器件检测多个器件的器件检测装置，其特征为检测目标分类部分根据指出有缺陷的器件的信息省略应用于器件的检测的执行，该有缺陷的器件在已经应用到器件的制造过程中已被判定为有缺陷。根据上述专利技术，检测目标分类部分可以省略要应用于有缺陷器件的检测，因此减少了花在器件被完成后所执行的检测上的时间。根据本专利技术的器件检测装置还可以包括一个标记部分，该标记部分为被检测目标分类部分省略了检测的器件之一提供标记。因此，有缺陷的器件能通过标记轻易地识别。此外，在根据本专利技术的器件检测装置中，指明有缺陷的器件的信息可以存储在存储部分中。因此，如果需要，可以在合适的时候使用该信息，从而获得没有有缺陷器件的可靠器件。此外，根据本专利技术的另一个方面，提供一种器件制造系统，包括器件制造装置，用于制造多个器件并获取指明包含有缺陷部分的器件的信息；和器件检测装置，用于检测由所述器件制造装置制造的器件；其特征为所述器件检测装置包括检测目标分类部分，其根据指出包含有缺陷部分的器件的信息省略应用于器件的检测的执行，该有缺陷部分在所述器件制造装置执行的制造过程中形成。根据上述专利技术，检测目标分类部分可以省略要应用于有缺陷器件的检测，因此减少了花在器件被完成后所执行的检测上的时间。此外，根据本专利技术的另一个方面，提供一种器件制造系统，包括多个器件制造装置；和检测装置，用于检测由所述器件制造装置执行的制造过程所制造的器件，其特征为检测部分在器件经历了由至少两个所述器件制造装置执行的制造过程后执行检测来判定，在器件的制造过程中是否有缺陷在器件中出现，并获取指明被判定为有缺陷的器件之一的信息；以及所述检测装置包含检测目标分类部分，其根据指明有缺陷的器件的信息省略应用于器件的检测的执行，该有缺陷的器件在器件的制造过程中被判定为有缺陷。根据上述专利技术，检测目标分类部分可以省略要应用于有缺陷器件的检测，因此减少了花在器件被完成后所执行的检测上的时间。此外，根据本专利技术的另一个方面，提供一种基于单独的器件检测多个器件的器件检测方法，其特征在于包括步骤准备用于指明在所述器件的制造过程中被判定为有缺陷的器件的信息；和根据所述准备步骤中所准备的信息省略应用于所述被判定为有缺陷的器件之一的检测的执行。该器件检测方法还包括为所述省略了检测的器件之一作标记的步骤。另外，所述器件检测方法还可以包括存储在准备步骤中所准备的信息的步骤。通过下面结合附图的详细描述，本专利技术的其他目的、特征和优点将会更加清楚。附图说明图1为根据本专利技术的第一个实施例的半导体集成电路制造系统的示意结构框图。图2为图1所示的探针检测装置的结构的框图。图3为图2所示的探针检测装置的操作的流程图。图4为解释由图2所示的探针检测装置所执行的数据转换的图例说明。图5为根据本专利技术的第二个实施例的半导体集成电路制造系统的示意结构框图。本专利技术的最佳实施方式下面将参照附图给出本专利技术的实施例的说明。在下述说明中，虽然半导体集成电路的制造被当作一个例子来解释，本专利技术并不局限于半导体集成电路的制造，而能够被广泛地应用于含有液晶显示板等的器件的制造中。图1为根据本专利技术的第一个实施例的半导体集成电路制造系统的示意结构框图。如图1所示，根据本专利技术的第一个实施例的半导体集成电路制造系统包含多个在半导体集成电路制造过程中使用的装置，例如扩散装置1、光刻装置3和蚀刻装置5；探针检测装置7，其用于基于单独的芯片检测通过制造过程制造的半导体集成电路；通信线9，其用于连接这些装置。在上述扩散装置1中，通过离子注入的扩散处理被应用到在其上形成半导体集成电路的晶片上。此外，在光刻装置3中，在将感光物质涂敷到晶片表面并通过照相掩模曝光后，通过印制和显影预定的图案来实现电路图案。此外，在蚀刻装置5中，执行蚀刻处理，例如有选择地去除氧化薄膜。在探针检测装置7中，令探针基于单独的芯片与形成在芯片中的电极相接触，以对于这些芯片中形成的电路进行连接测试，其中所述芯片形成在所述晶片上。如图1所示，检测部分2、4和6分别并入扩散装置1、光刻装置3和蚀刻装置5。检测目标分类部分8安装在探针检测装置7中。检测部分2、4和6和检测目标分类部分8通过通信线9连接。现将给出具有上述结构的半导体集成电路制造系统的操作概要的说明。首先，图1所示的每个检测部分2、4和6基于单独的晶片检测通过每个制造过程的晶片是否含有缺陷。就是说，例如，安装于蚀刻装置5内的检测部分6测量在蚀刻装置5中进行了预定蚀刻的晶片的厚度，并根据设计值检测该晶片的厚度是否落入允许的范围内。如果测量出的厚度不落入允许的范围内，则确定该晶片是有缺陷的。这时，每个检测部分2、4和6指明晶片上的被每个检测部分2、4和6所执行的检测确定为一个有缺陷部分的位置，并通过通信线9将指明该位置的信息(例如映射数据，如位置坐标数据)送入到探针检测装置7的检测目标分类部分8。因此，根据所输入的信息，检测目标分类部分8从要进行探针检测的目标对象中排除包含有被检测部分2、4和6中的一个判断为有缺陷的部分的芯片。因此，由于可以省略对于被确定为有缺陷产品的芯片的探针检测，则可以省去花在无用检测上的时间，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件检测装置，用于基于单独的器件检测多个器件， 其特征为： 检测目标分类部分（８）根据指出有缺陷的器件的信息省略应用于器件的检测的执行，该有缺陷的器件在已经应用到器件的制造过程中已被判定为有缺陷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2000-4-25 124875/001.一种器件检测装置，用于基于单独的器件检测多个器件，其特征为检测目标分类部分(8)根据指出有缺陷的器件的信息省略应用于器件的检测的执行，该有缺陷的器件在已经应用到器件的制造过程中已被判定为有缺陷。2.如权利要求1所述的器件检测装置，其特征为标记部分(18)为被所述检测目标分类部分(8)省略了检测的所述器件中的一个作标记。3.如权利要求1所述的器件检测装置，其特征为指明有缺陷器件的信息存储在存储部分(11)中。4.一种器件制造系统，包含器件制造装置(1，3，5)，用于制造多个器件并获取指明包含有缺陷部分的器件的信息；和器件检测装置(7)，用于检测由所述器件制造装置制造的器件；其特征为所述器件检测装置(7)包括检测目标分类部分(8)，其根据指出包含有缺陷部分的器件的信息省略应用于器件的检测的执行，该有缺陷部分在所述器件制造装置执行的制造过程中形成。5.如权利要求4所述的器件制造系统，其特征为标记部分(18)为被所述检测目标分类部分(8)省略了检测的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐沢涉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]