本发明涉及一种采用ＡＬＤ法的薄膜形成方法及薄膜形成装置，通过ＡＬＤ法将多种原料气体逐类、并经多次供应，进行成膜，在此工序之前，实施同时提供多种原料气体的前置处理，从而使得成膜中的潜伏期缩短并提高产率。

本发明提供了一种晶片搬运系统（２００）和一种针对现有晶片搬运设备（１００）改进所述系统的方法，可以实现一种通过仅接触晶片边缘附近不超过２ｍｍ宽的狭窄区域（２０２）搬运晶片（３５）的方法，该方法尤其适用于器件面的接触限制在排除区（２０２）...

在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜...

一种衬底处理系统，包括： 配有电极的臭氧发生器，它通过电极对供给臭氧发生器的含氧气体进行放电而产生含臭氧气体； 多个处理容器，每个处理容器都适于利用臭氧发生器产生的含臭氧气体处理置于其中的衬底； 多个含臭氧气体供给管，...

作为蚀刻气体用至少包含：Ｃ≥４、Ｃ／Ｆ比在０．６２５以上的第一氟碳系气体；Ｆ≥４、Ｃ／Ｆ比０．５以下的第二氟碳系气体；Ａｒ气；和Ｏ＃－［２］气的混合气体，对由氧化硅膜等形成的绝缘膜进行蚀刻。据此，即使在形成深径比高的接触孔的情况下，在提...

热处理装置具有处理容器２８和被放置到处理容器２８内、多级支撑被处理体Ｗ的被处理体舟３０。当操作员比如从输入操作部１８输入所希望的作业识别记号Ｊ１～Ｊｈ时，则通过利用该作业识别记号所特定的作业处方，分别从布局存储部１６和流程存储部１４读出...

在将ＬＣＤ基板送入到热处理单元的反应容器内后，从与ＬＣＤ基板的表面相对的气体供给部向ＬＣＤ基板的整个表面的范围吹预先加热的热交换用氦气。通过加热器的辐射热量以及与氦气的热交换，使ＬＣＤ基板的温度上升。在反应容器内，进行ＣＶＤ、退火等的处...

提供一种张开时可增加传送臂长度但不增加其收拢时尺寸的传送装置。该传送装置（４）有一传送臂（１７），该传送臂（１７）包括：二根共轴或平行布置的转轴（５、６）；一对第一臂（７、８），其一端各自固定到转轴（５、６）上；一对第二臂（１０、１１）...

一种等离子体装置，具有缝隙天线（３０），用于向生成等离子体的容器内供给电磁场。此缝隙天线（３０）形成有缝隙（３６），使得辐射面（３１）外周边部分Ｂ的、每单位面积的电磁场辐射量，小于辐射面（３１）的中心部分Ａ和外周边部分Ｂ间的中间区域Ｃ的...

一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量ＭＯＳ型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施ＣＶＤ处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件（ＳＰＡ）对处理气体辐...

本发明提供一种被处理件的处理方法及其处理装置，在设置于减压环境的处理室内的载置台上载置了被处理件的状态下，在对前述被处理件实施设定的处理的处理方法中，在前述载置台上没有载置被处理件时，至少从处理室的载置台的传热气体供给孔喷出惰性气体，在...

一种Ｓｉ蚀刻方法，其特征在于，当在处理容器内对Ｓｉ基板或Ｓｉ层进行干式蚀刻时，使用含有Ｃｌ↓［２］、Ｏ↓［２］和ＮＦ↓［３］的混合气体作为蚀刻气体，在以式（１）　　　　τ＝ｐＶ／Ｑ　　（１）　　　　所表示的滞留时间τ为约１８０ｍｓｅｃ以...

对处理件供给含有还原剂的添加剂后，对处理件供给硫酸铜溶液等含有金属离子的溶液。由于将含有添加剂和金属离子的溶液分开，所以易于调整电镀液的组成。

因为采用了将在常压下形成层间绝缘膜的第一处理单元组，和在真空或者加压下进行如电子射线或紫外线照射、ＣＶＤ、或者洗净处理等的第二处理单元组设置成一体的结构，所以，尤其能够缩短金属镶嵌工序的处理时间，能够减少每个处理能力所占用的面积。同时，...

一种有孔内部部件的涂覆方法，针对设置于真空处理装置内并且在表面有小孔的内部部件，在具有所述小孔的内部部件表面形成由陶瓷材料构成的涂覆膜，其特征在于：包括：　　　　用具有由金属材料构成的芯材、由相对于所述涂覆膜为非接合性的树脂材料和金属材...

在配置在热处理装置的处理容器１内的热电偶４２的表面，设有防反射膜５０，以改善热电偶４２的过渡响应能力。在典型的实施方式中，热电偶４２是通过将结合铂丝４３Ａ和铂铑合金丝４３Ｂ结合而形成，防反射膜５０是由氮化硅层５０Ｃ、硅层５０Ｂ以及氮化硅...

向处理容器内供给电磁场的辐射天线（３０）的缝隙（３６）被配置在间隔ｄ等于在辐射天线（３０）内的电磁场的波长λｇ的大约Ｎ倍（Ｎ是自然数）的螺旋线上。从该辐射天线的中心部分以旋转方式供给电磁场。

本发明提供一种阳极氧化装置及阳极氧化方法，对被处理基板的被处理部的光照射均匀，由此在被处理基板面内能进行更均匀的阳极氧化处理。其具备：放射光的灯；设置于放射的光到达的位置上、可以保持被处理基板的被处理基板保持部；设置于放射的光到达被处理...

本发明目的在于在基板上形成层间绝缘膜，与现有技术相比以短时间固化该层间绝缘膜。本发明在对基板进行处理的方法中，通过在处理室内对涂布形成在基板上的层间绝缘膜照射电子射线，使该层间绝缘膜固化。

本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部。控制部...