【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，其中从辐射天线向处理容器内供给电磁场，并使用在处理容器内生成的等离子体对被处理体进行处理。
技术介绍
在半导体装置和平板显示器的制造中，为进行氧化膜的形成和半导体层的结晶生长、蚀刻和抛光等的处理，多使用等离子体处理装置。在这种等离子体处理装置中，有一种高频等离子体处理装置，该装置从天线向处理容器内部供给高频电磁场、通过该电磁场的作用电离处理容器内的气体而生成等离子体。这种高频等离子体处理装置因为可以在低压力下生成高密度的等离子体，所以可以进行高效率的等离子体处理。在高频等离子体处理装置中，为提高等离子体的生成效率，必须要向等离子体内高效率地射入电磁场。作为这种方案，提出有建议在辐射天线上施加圆偏振波的方式。下面说明这种方式。图6是在辐射天线上施加圆偏振波方式的现有高频等离子体处理装置的结构断面图。这种等离子体处理装置具有上部开口的有底圆筒形处理容器111。在该处理容器111的底部固定基片台122，该基片台122的上表面上配置作为被处理体的基片121。在处理容器111的侧壁上，设有供给等离子体气体的喷嘴117，在处理容器111的底部，设有用于...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，它具有： 在处理容器（１１）内放置的用于放置被处理体（２１）的装载台（２２），和在辐射面（３１）上配有多个缝隙的向所述处理容器（１１）内供给电磁场的辐射天线（３０，３０Ａ），其中， 所述辐射天线（３０，３０Ａ）的缝隙（３６）被配置在间隔等于所述辐射天线（３０，３０Ａ）内的电磁场的波长的大约Ｎ倍（Ｎ是自然数）的螺旋线上。
【技术特征摘要】
JP 2001-3-22 82769/011.一种等离子体处理装置，它具有在处理容器(11)内放置的用于放置被处理体(21)的装载台(22)，和在辐射面(31)上配有多个缝隙的向所述处理容器(11)内供给电磁场的辐射天线(30，30A)，其中，所述辐射天线(30，30A)的缝隙(36)被配置在间隔等于所述辐射天线(30，30A)内的电磁场的波长的大约N倍(N是自然数)的螺旋线上。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，N大于等于3。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中还具有供电设备，该供电设备与所述辐射天线(30，30A)的中心部分连接，以旋转方式施加电磁场。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，N大于等于2。5.一种等离子体处理方法，其中包括准备一种在...
【专利技术属性】
技术研发人员：安藤真，高桥応明，八坂保能，石井信雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，安藤真，高桥応明，八坂保能，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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