非电解镀层处理方法和非电解镀层处理装置制造方法及图纸

对处理件供给含有还原剂的添加剂后，对处理件供给硫酸铜溶液等含有金属离子的溶液。由于将含有添加剂和金属离子的溶液分开，所以易于调整电镀液的组成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对半导体晶片或LCD基板等待处理件施行电镀处理的电镀处理方法和电镀处理装置，特别涉及非电解镀层处理方法及非电解镀层处理装置。
技术介绍
近年来，在半导体装置中，将铜作为金属布线使用。为形成此铜布线，在有微细的槽或孔的半导体晶片上埋入铜、进行成膜的方法中，有一种电镀处理。电镀处理有电解电镀和非电解镀层。随着晶片的大口径化及微细槽或孔的进一步微细化，人们开始注重非电解镀层处理。以往的非电解镀层处理使用含有还原剂、pH调整剂、螯合剂等添加剂和金属盐的电镀液来进行。但是，在以往的非电解镀层处理中，在处理时所用电解液中，添加剂和金属盐混在一起。在使用这样的电解液的情况下，成膜速度或埋入形状与电解液中的添加剂有极大关系，埋入形状不均匀使得半导体装置的工作可靠性降低。为此，必须严格地进行电解液中的添加剂的组成的调整、电解液中pH的调整、以及温度的调整。另外，在以往的非电解镀层处理中，成膜速度慢，会大量地消费电解液。而且，在电镀处理后的晶片的表面及背面有电解液附着，此电解液是导致污染的原因。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，提供不需严格调整电解液的非电解镀层处理方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在处理件表面上形成电镀膜的非电解镀层处理方法，其特征在于：具有向所述处理件供给添加剂的添加剂供给工序，和　　　　向所述处理件供给含有金属离子的溶液的金属离子溶液供给工序。

【技术特征摘要】
JP 2001-2-7 30824/011.一种在处理件表面上形成电镀膜的非电解镀层处理方法，其特征在于具有向所述处理件供给添加剂的添加剂供给工序，和向所述处理件供给含有金属离子的溶液的金属离子溶液供给工序。2.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于反复进行所述添加剂供给工序和所述金属离子溶液供给工序，直到电镀膜达到设定的厚度。3.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于还具有清洗所述处理件的清洗工序。4.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于所述添加剂含有还原剂。5.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于在使所述处理件转动的同时进行所述添加剂供给工序。6.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于在使所述处理件振动的同时进行所述添加剂供给工序。7.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于在向所述处理件的背面供给液体或是气体的同时进行所述添加剂供给工序。8.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于所述含有金属离子的溶液为硫酸铜溶液或是氯化铜溶液。9.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于在使所述处理件转动的同时进行所述金属离子溶液供给工序。10.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于在使所述处理件振动的同时进行所述金属离子溶液供给工序。11.如权利要求1所述的非电解镀层处理方法，其特征在于在向所述处理件背面供给液体或气体的同...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤浩，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]