【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对被处理体供给处理气体同时进行热处理的。
技术介绍
在半导体器件的一个处理工序中，有根据被称为减压CVD(Chemical vapor deposition)处理的方法，在被处理体上进行成膜的处理。作为进行这样的成膜处理的装置，例如使用图9所示的立式热处理装置。该立式热处理装置对被处理体以批量方式进行热处理。具体地说，立式热处理装置包括石英制的内管11和外管12的双重管构成的圆筒状的反应管10。将保持多个被处理体的半导体晶片(以下称为晶片)W的晶片载置部件13从反应管10的下方侧运入反应管10内。反应管10内经由排气管14由未图示的真空泵进行真空排气，形成减压环境。另一方面，在反应管10内导入处理气体。未图示的加热器包围反应管10的侧周边。通过该加热器的加热来进行晶片W的成膜处理。在成膜处理例如是氮化硅膜的成膜处理情况下，作为处理气体，例如使用氨(NH3)气和二氯硅烷(SiH2Cl2)。下面简单说明这种情况下的气体供给系统。氨气从气体供给源15a经由气管16a供给到反应管10内，而二氯硅烷气从气体供给源15b经由气管16b供给到反应管10内。再有...
【技术保护点】
一种热处理装置，其特征在于，包括： 将被处理体运入和运出的反应容器； 用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部； 与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部； 用于排出所述反应容器内的气体的排气部；以及 控制部，其与所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部连接，控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所...
【技术特征摘要】
JP 2001-3-30 98044/011.一种热处理装置，其特征在于，包括将被处理体运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；用于排出所述反应容器内的气体的排气部；以及控制部，其与所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部连接，控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述处理气体导入部包括用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体流路；以及设置在所述反应容器的附近，对所述处理气体流路进行开闭的第1开闭部件，所述控制部可控制所述第1开闭部件。3.如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，所述排气部包括用于排出所述反应容器内的气体的排气路径；以及设置在所述排气路径中，调整所述排气路径的开闭，从而调整所述反应容器内的压力的压力调整部件，所述控制部可控制所述压力调整部件。4.如权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，包括旁通路径，其相对于所述处理气体流路的所述第1开闭部件的上流侧部分和所述排气路径迂回连接于所述反应容器；以及对所述旁通路径进行开闭的第2开闭部件。5.如权利要求4所述的热处理装置，其特征在于，在相对于所述处理气体流路的所述旁通路径的连接部的上流侧部分，设置用于将置换气体导入所述处理气体流路内的副置换气体导入部。6.如权利要求5所述的热处理装置，其特征在于，所述副置换气体导入部包括用于将置换气体导入所述处理气体流路的副置换气体流路；以及对所述副置换气体流路进行开闭的第3开闭部件。7.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于，所述控制部还与所述第2开闭部件和所述第3开闭部件连接，控制所述第1开闭部件和所述第3开闭部件，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述处理气体流路内，使该处理气体流路内为升压状态，接着控制所述第2开闭部件，通过所述旁通路径来排出所述处理气体流路内的气体。8.一种热处...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈部庸之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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