热处理装置制造方法及图纸

利用将对处理炉（２）进行排气的排气系统（１５）内的排气压力作为与大气压的差压而进行检测的差压计（２３）、和作为绝对压力检测大气压的气压计（３１），将排气压力作为绝对压力而检测。根据检测的绝对排气压力，调节压力可变阀（２５）的开度，由此来调整处理炉（２）内的压力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及热处理装置，特别是涉及处理炉内的压力控制技术。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，作为热处理的一种，有在半导体晶片表面上，形成氧化膜的氧化处理工序。作为氧化处理的一种方法，有在处理炉内，在给定的处理温度下，使半导体晶片与水蒸气接触，进行氧化(湿式氧化)的方法。用于进行湿式氧化处理的装置，在日本国特许公报特开昭63-210501号中作了说明。该装置在处理炉的外部具有使氢气和氧气反应，生成水蒸气的燃烧装置，将由该燃烧装置产生的水蒸气供给处理炉内进行热处理。在这种热处理装置中，有一种具有与微减压工厂排气系统连接的排气系统。在这种热处理装置中，为了在给定的压力下使处理炉内排气，在排气系统中设有利用蝶阀方式或步进电机和弹簧调整阀的开度的方式的排气压控制阀。排气系统内的排气压力，可根据装在排气系统中的差压计检测的压力，通过调整控制阀的开度来达到。但是，在排气压控制阀为蝶阀方式的情况下，水蒸气结露，在阀和管之间形成水膜，容易使阀开度的控制不稳定。为了避免这点，需要在阀前后设置大气导入口。另外，在排气控制阀为用步进电机和弹簧调整阀开度方式的情况下，为了使阀的动作平稳并进行稳定的压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，其特征为，具有：　　　　放置被处理体的处理炉；　　　　将处理气体供给所述处理炉内的处理气体供给系统；　　　　加热所述处理炉的加热器；　　　　具有用于排出所述处理炉内的气体的排气通路的排气系统；　　　　调节所述排气通路内的排气压力的排气压力调节装置；　　　　将所述排气通路内的排气压力作为与大气压的差压而检测的差压计；　　　　将所述大气压作为绝对压力而检测的气压计；以及　　　　根据由所述差压计检测的排气压力和由所述气压计检测的大气压得出的作为绝对压力的排气压力，控制所述排气压力调节装置的控制部。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-30 230315/011.一种热处理装置，其特征为，具有放置被处理体的处理炉；将处理气体供给所述处理炉内的处理气体供给系统；加热所述处理炉的加热器；具有用于排出所述处理炉内的气体的排气通路的排气系统；调节所述排气通路内的排气压力的排气压力调节装置；将所述排气通路内的排气压力作为与大气压的差压而检测的差压计；将所述大气压作为绝对压力而检测的气压计；以及根据由所述差压计检测的排气压力和由所述气压计检测的大气压得出的作为绝对压力的排气压力，控制所述排气压力调节装置的控制部。2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征为，所述排气压力调节装置包含可调节排气压力的压力可变阀。3.如权利要求2所述的热处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤幸正，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]