【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及形成金属布线的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备，特别是，涉及将金属布线掩埋到形成在半导体集成电路(诸如半导体晶片等)制造工艺加工对象物体的凹部中的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备。作为形成金属钨膜的方法，一般输送WF6(六氟化钨)气体作为原料气体，其包含钨和作为还原气体的H2(氢)气体，以便在400-450℃范围内的温度状态下用H2还原WF6，并在主要作为基底膜的TiN(氮化钛)上形成金属钨膜。通过物理气相沉积法(PVD法)或CVD法形成的TiN膜一般用做基底膜，原因如下。首先，需要在晶片的整个表面上均匀地形成钨膜。这是因为通过H2还原法形成的金属钨具有在金属表面和绝缘体表面上形成膜的不同速率。其次，需要基底膜作为阻挡层，防止作为钨原料的WF6进入下层。下面介绍形成金属钨的常规工艺。在形成金属钨膜的工艺期间，如果在工艺开始时企图用CVD法形成该膜，则很难将该膜粘接于晶片表面上，并且有潜伏(Incubation)时间变长的趋势。为了防止上述情况，首先流入少量的作为原料气体的WF6、作为还原气体的H2气、SiH4(单硅烷)气体等，以...
【技术保护点】
一种金属膜形成方法，包括以下步骤： （ａ）（ｓ１３，ｓ１５）向基底阻挡膜（３）依次输送多种原料气体，其中至少一种所述气体包括金属；和 （ｂ）（ｓ１４，ｓ１６）在分别输送步骤（ａ）的所述原料气体之后，对步骤（ａ）的该原料气体抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤（ａ）的该原料气体， 由此在所述基底阻挡膜（３）上形成超薄金属膜（５）。
【技术特征摘要】
JP 2000-11-17 351716/001.一种金属膜形成方法，包括以下步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种所述气体包括金属；和(b)(s14，s16)在分别输送步骤(a)的所述原料气体之后，对步骤(a)的该原料气体抽真空-排放或用其它种类气体替换步骤(a)的该原料气体，由此在所述基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。2.如权利要求1所述的金属膜形成方法，其中重复步骤(a)和(b)，由此在所述基底阻挡膜(3)上形成该超薄金属膜(5)。3.如权利要求1所述的金属膜形成方法，进一步包括在所述超薄金属膜(5)用作晶核形成层的状态下在该金属超薄膜(5)上形成主金属膜(6)的步骤(c)(s18)。4.如权利要求1所述的金属膜形成方法，其中在设置于衬底中并包括所述基底阻挡膜(3)的孔(2)中形成主金属膜(6)，由此可在其中形成金属布线部件。5.如权利要求1所述的金属膜形成方法，其中该金属包括钨。6.如权利要求1所述的金属膜形成方法，其中该金属包括钨，并且形成在所述基底阻挡膜(3)上的该超薄金属膜的厚度在0.2-20.0nm的范围内。7.如权利要求5所述的金属膜形成方法，其中所述基底阻挡膜(3)由包括有机钛化合物的TiN构成，所述包含金属的原料气体包括WF6气体，并且其它所述原料气体包括SiH4气体。8.如权利要求7所述的金属膜形成方法，其中所述WF6气体是以5帕·秒和10k帕·秒之间的范围输送的。9.如权利要求7所述的金属膜形成方法，进一步包括输送SiH4的步骤(d)，作为在所述基底阻挡膜(3)上形成所...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎英亮，立花光博，大久保和哉，铃木健二，河野有美子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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