高纯度钨粉末的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种磷含量小于1重量ppm的高纯度钨粉末的制造方法，其特征在于，以按照在钨中的夹杂量换算含有1重量ppm以上的杂质磷的钨酸铵溶液作为起始原料，通过在50℃以下利用盐酸将其中和将pH调节为4以上且小于7，从而使十一水合仲钨酸铵结晶沉淀，将其进一步加热至70～90℃，在高温状态下进行过滤而得到五水合仲钨酸铵结晶，再将该五水合仲钨酸铵结晶煅烧而得到氧化钨，并将该氧化钨进行氢还原而得到高纯度钨粉末。本发明专利技术还涉及一种磷含量为0.4重量ppm以下的高纯度钨粉末的制造方法，其特征在于，将利用盐酸进行中和的工序的pH调节为4以上且6以下，并按照相同的步骤得到高纯度钨粉末。由此，可以有效地降低磷含量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在形成IC、LSI等的栅极或布线材料等时，一般多使用利用钨烧结体靶进行溅射的成膜方法，本专利技术涉及在制造该钨烧结体靶时特别有用的、。
技术介绍
近年来，伴随超LSI的高集成化，正在研究使用电阻值更低的材料作为电极材料、 布线材料，其中，电阻值低、热及化学上稳定的高纯度钨正作为电极材料、布线材料使用。该超LSI用的电极材料、布线材料一般通过溅射法和CVD法制造，溅射法由于装置的结构及操作比较简单、能够容易地成膜、且成本低，因此比CVD法使用得更广泛。但是，通过溅射法形成超LSI用的电极材料、布线材时所使用的钨靶需要300mm Φ 以上的较大尺寸，且要求高纯度、高密度。目前，作为这种大型的钨靶的制作方法，已知利用电子束熔炼来制作锭，并对其进行热轧的方法(专利文献1)；将钨粉末加压烧结，然后进行轧制的方法(专利文献2)；以及通过CVD法在钨底板的一面上层叠钨层的所谓的CVD-W法(专利文献3)。但是，上述的将电子束熔炼而成的锭、或钨粉末加压烧结而成的烧结体进行轧制的方法，存在晶粒容易粗大化因而机械脆性高、并且溅射形成的膜上容易产生称为颗粒的粒状缺陷的问题。另外，CVD-W法虽然显示良好本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤仁，竹本幸一，佐佐木健，大野三记雄，小仓淳司，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，日本新金属株式会社，
类型：发明
国别省市：