基底处理系统和基底处理方法技术方案

基底处理系统具有一些处理单元，用于将要处理的晶片传送到每个单元并且从每个单元中取出被处理的晶片的加载／解载部分和用于接收／传送晶片从／到加载／解载部分并且将晶片一个接一个地传送到每个单元的辅助臂机构。通过控制器控制处理单元和辅助臂机构以便于每个单元依据一个周期时间一个接一个地处理晶片，一个周期时间是在通过将时间ｔ１到ｔｎ除以每个处理单元的相同单元数“ｍ”而获得的时间ｔ１／ｍ到ｔｎ／ｍ中的最大值。控制器设置用于每个处理单元的预等待时间（处理之前）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及用于给像用在液晶显示器的半导体晶片和玻璃基底这样的一些类型的基底执行一连串处理的。在用于液晶显示器(LCD基底)和半导体设备等的玻璃基底的制作中通过光刻术形成微电路图。在光刻术中通过将抗蚀剂应用到像LCD基底和半导体晶片这样的基底上并且在曝光图形、显影和蚀刻以后形成抗蚀膜来形成电路图。在最近的用于半导体晶片的大直径的趋势中已经开发了用于处理一些晶片的光刻系统。能够应用抗蚀剂和显影的复杂的处理系统，例如，从磁带卡中一个接一个地取出晶片放入在其中一个接一个地处理晶片并且被处理的晶片一个接一个地返回到磁带卡中的处理单元中。在这个复杂处理系统中用于每个单元的处理时间称为一个周期。系统不能进行下一个处理直到在每个单元中完成用于一个周期的前面的处理。因此，在已经完成前面的处理之后将晶片传送到下一个处理单元的复杂处理系统中，由本单元执行的处理易受前面单元执行的处理影响，或者本单元不得不等待前面处理的完成(所谓的等待时间消耗)。在一连串的处理中，例如，按这样顺序执行的烘干、清洗和显影等，显影过程需要相对长的处理时间。由于长的显影处理时间，用于已经完成烘干和清洗处理的晶片不得不保留在烘干或者清洗单元中以便于等待对前面晶片的显影处理的完成。当这样长时间保留在烘干单元中的时候晶片将被过度烘干。近来在晶片处理中精确地控制热处理时间。然而，这种用于比控制时间更长的时期的过度烘干改变了通过抗蚀剂形成的图形宽度。因此不能形成想要的图形。专利技术综述为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供减少由任意处理单元消耗的不必要的等待时间效应的基底处理设备。本专利技术提供基底处理系统，它包括每一个具有至少一个用于分别执行给定周期t1到tn的第一到第n晶片处理的同样单元的第一到第n处理单元(n＝1，2，。。。，n)，以从第一单元到第n单元的顺序来执行处理，通过用于一个周期的不同类型的处理单元来同时处理多个基底，系统包括用于放入和取出基底的加载/解载部分；用于接收/传送基底从/到加载/解载部分并且将基底一个接一个地传送到处理单元的第一传送部分；和用于控制第一传送部分和处理单元以便于处理单元依据作为标准时间的一个周期时间来一个接一个地处理基底的控制器，一个周期时间是在通过将周期t1到tn除以第一到第n处理单元的相同单元数“m”而获得的t1/m到tn/m周期之中最大的周期。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，控制器可以控制第一传送部分和处理单元以便于每个处理单元所需的处理时间符合一个周期时间。每个处理单元所需的处理时间可以包括预传送时间、净处理时间、后传送时间和多个等待时间。在每个处理单元所需的处理时间中，可以在预传送时间、净处理时间和后传送时间中的一个之前或者之后分配等待时间。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，控制器可以控制第一传送部分和处理单元以便于每个处理单元所需的处理时间符合一个周期时间除以一个整数。每个处理单元所需的处理时间可以至少包括预传送时间，净处理时间和后传送时间。想要的处理单元所需的处理时间还可以包括等待时间。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，控制器可以控制第一传送部分和处理单元以便于用于连续“n”个处理单元的处理时间的总和等于一个周期时间xn。每个处理单元所需的处理时间可以至少包括预传送时间，净处理时间和后传送时间。想要的处理单元所需的处理时间还可以包括等待时间。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，处理单元还可以包括至少一个热处理单元。热处理单元可以具有加热机构和用于支撑每个基底以便于基底远离加热机构的举起机构，热处理单元等待热处理而举起机构支撑基底远离加热机构。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，处理单元可以包括至少一个用于显影应用在每个基底上的抗蚀层的显影单元。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，处理单元可以包括至少一个用于曝光应用在每个基底上的抗蚀层的曝光单元。依据本专利技术的这个基底处理系统还可以包括用于将每个基底从一个处理单元传送到另一个的作为到达每个处理单元而提供的第二传送部分。而且，本专利技术提供基底处理系统包括每一个具有至少一个用于分别执行给定周期t1到tn的第一到第n晶片处理的同样单元的第一到第n处理单元(n＝1，2，。。。，n)，以从第一单元到第n单元的顺序执行处理，通过用于一个循环的不同类型的处理单元来同时处理多个基底，系统包括用于放入和取出基底的加载/解载部分；用于接收/传送基底从/到加载/解载部分并且将基底一个接一个地传送到处理单元的第一传送部分；用于接收/传送基底从/到处理单元的第二传送部分；和用于当通过不同类型的处理单元同时处理基底的时候，控制第一传送部分、第二传送部分和处理单元以便于每个处理单元在至少符合大于另一个的第一总计传送时间或者第二总计传送时间的一个周期时间以内一个接一个地处理基底的控制器，第一总计传送时间是在用于接收/传送每个基底从/到加载/解载部分并且将基底传送到每个处理单元所需的第一传送部分的一个周期中的时间总和，第二总计传送时间是在用于接收/传送基底从/到处理单元所需的第二传送部分的一个周期中的时间总和。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，控制器可以计算在通过将周期t1到tn除以第一到第n处理单元的相同单元数“m”获得的周期t1/m到tn/m之中的最大周期，并且在最大周期、第一总计传送时间和第二总计传送时间中设置最大值作为用于第一和第二传送部分的一个周期时间。在依据本专利技术的这个基底处理系统中，至少一个处理单元可以是用于接收和处理每个基底的基底接收单元，控制器计算用于接收和处理每个基底的基底接收单元的总计接收和处理时间并且将总计接收和处理周期、第一总计传送时间和第二总计传送时间中的最大值设置为一个周期时间。依据本专利技术的这个基底处理系统还可以包括曝光设备；和用于接收来自处理单元的基底并且将基底传送到曝光设备的第三传送部分，在其中控制器将在第一总计传送时间、第二总计传送时间和用于一个周期所需的第三传送部分的第三总计传送时间中的最大值设置为一个周期时间。而且，本专利技术提供每一个具有至少一个用于分别执行给定周期t1到tn的第一到第n晶片处理的同样单元的第一到第n处理单元(n＝1，2，。。。，n)的处理基底的方法，以从第一单元到第n单元的顺序执行处理，通过用于一个循环的不同类型的处理单元来同时处理多个基底，方法包括步骤依据作为标准时间的一个周期时间来一个接一个地处理基底，一个周期时间是在通过将周期t1到tn除以第一到第n处理单元的相同单元数“m”获得的周期t1/m到tn/m之中的最大周期；和在至少一个具有等待时间的处理单元中执行对每个基底的处理。附图简述附图说明图1是显示依据本专利技术的基底处理系统的第一个实施例的整个结构的俯视图；图2是显示基底处理系统的正视图；图3是显示基底处理系统的后试图；图4是显示构成基底处理系统的处理单元的示意图；图5显示基底处理系统的控制方框图；图6显示用于基底处理系统流程图；图7图解说明到主控制面板的数据输入；图8A和8B显示基底处理系统的垂直剖面；图9是用于在转变态中基底处理的时间图；图10是用于在稳态中基底处理的时间图；图11是用于在稳态中依据本专利技术的基底处理系统的第二个实施例的时间图；图12是用于在稳态中依据本专利技术的基底处理系统的第三个实施例的时间图；图13是显本文档来自技高网...

【技术保护点】
基底处理系统包括每一个具有至少一个用于分别执行给定时间ｔ１到ｔｎ的第一到第ｎ晶片处理的相同单元的第一到第ｎ处理单元（ｎ＝１，２，…，Ｎ），以从第一单元到第ｎ单元的顺序执行处理，通过用于一个周期的不同类型的处理单元能够同时处理多个基底，系统包括： 用于放入和取出基底的加载／解载部分； 用于接收／传送基底从／到加载／解载部分并且将基底一个接一个的传送到每个处理单元的第一传送部分；和 用于控制第一传送部分和处理单元以便于依据作为标准时间的一个周期时间每个处理单元一个接一个处理基底的控制器，一个周期时间是在通过将时间ｔ１到ｔｎ除以第一到第ｎ个处理单元的相同单元数“ｍ”而获得的时间ｔ１／ｍ到ｔｎ／ｍ中最大的时间。

【技术特征摘要】
JP 2000-12-14 380663/001.基底处理系统包括每一个具有至少一个用于分别执行给定时间t1到tn的第一到第n晶片处理的相同单元的第一到第n处理单元(n＝1，2，。。。，N)，以从第一单元到第n单元的顺序执行处理，通过用于一个周期的不同类型的处理单元能够同时处理多个基底，系统包括用于放入和取出基底的加载/解载部分；用于接收/传送基底从/到加载/解载部分并且将基底一个接一个的传送到每个处理单元的第一传送部分；和用于控制第一传送部分和处理单元以便于依据作为标准时间的一个周期时间每个处理单元一个接一个处理基底的控制器，一个周期时间是在通过将时间t1到tn除以第一到第n个处理单元的相同单元数“m”而获得的时间t1/m到tn/m中最大的时间。2.依据权利要求1的基底处理系统，其中控制器控制第一传送部分和处理单元以便于每个处理单元所需的处理时间符合一个周期时间。3.依据权利要求2的基底处理系统，其中每个处理单元所需的处理时间包括预传送时间、净处理时间、后传送时间和多个等待时间。4.依据权利要求3的基底处理系统，其中在每个处理单元所需的处理时间中的预传送时间、净处理时间和后传送时间的一个之前或者之后分配等待时间。5.依据权利要求1的基底处理系统，其中控制器控制第一传送部分和处理单元以便于每个处理单元所需的处理时间符合一个周期时间除以一个整数。6.依据权利要求5的基底处理系统，其中每个处理单元所需的处理时间包括预传送时间、净处理时间和后传送时间。7.依据权利要求6的基底处理系统，其中想要的处理单元所需的处理时间还包括等待时间。8.依据权利要求1的基底处理系统，其中控制器控制第一传送部分和处理单元以便于用于连续“n”个处理单元的处理时间的总和等于一个周期时间xn。9.依据权利要求8的基底处理系统，其中每个处理单元所需的处理时间包括前传送时间、净处理时间和后传送时间。10.依据权利要求9的基底处理系统，其中想要的处理单元所需的处理时间还包括等待时间。11.依据权利要求1的基底处理系统，其中处理单元包括至少一个热处理单元。12.依据权利要求11的基底处理系统，其中热处理单元具有加热机构和用于支持每个基底的升高机构以便于基底原理加热机构，热处理单元等待热处理同时升高机构支持基底作为远离加热机构。13.依据权利要求1的基底处理系统，其中处理单元包括一个用于显影应用在每个基底上的抗蚀剂的显影单元。14.依据权利要求1的基底处理系统，其中处理单元包括至少一个用于曝光应用在每个基底上的抗蚀剂的曝光设备。15.依据权利要求1的基底处理系统还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：建山正规，宫田亮，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]