本发明提供一种基板搬送装置和立式热处理装置，抑制伴随着基板超大口径化造成的在基板搬送时由于基板中央部自重而引起的挠曲。基板搬送装置（１８），具有在大口径基板（ｗ）的上方移动的支撑部（１７）和设置在该支撑部（１７）上且夹紧支撑基板（ｗ）周...

本发明提供一种Ｔｉ类膜的成膜方法和存储介质，该Ｔｉ类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片（Ｗ）的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序（工序１）；在基座上不存在晶片（Ｗ）的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含...

一种液体处理装置，包括：基板保持部，水平地保持基板，并能够与基板一同旋转；旋转杯，围绕被基板保持部保持的基板，能够与基板一同旋转；旋转机构，使旋转杯以及基板保持部一体旋转；液体供给机构，至少对基板的表面供给处理液；排气／排液部，从旋转杯...

本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板Ｇ上形成栅极氧化膜１０后，反复进行用２．０ｅＶ电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比２...

本发明提供一种基板处理系统及基板处理方法。该基板处理系统包括：承载块（Ｓ１）；处理块（Ｓ２），具有对从承载块（Ｓ１）逐块搬入的基板进行第１次涂敷处理的第一涂敷处理部（３１）、进行第１次显影处理的第一显影处理部（４１）、进行第２次涂敷处理...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，上述成膜方法的特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在所述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序。

本发明即使在具有多个处理室的情况下，也可以按照能正确地控制处理室内的基板位置的方式进行对位。在负载锁定室（３０）内，设置有进行放置于缓冲器（３１、３２）上的基板（Ｓ）的对位的定位器（３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ）。形成矩形的基板（Ｓ）...

本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在２００ｎｍ以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如ＳｉＯ↓［２］膜的孔的条痕。使Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］气体、Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］气体和Ｃ↓［５］Ｆ↓［８...

本发明提供一种可以获得良好的泄漏特性、线膨胀系数或机械强度的加氟碳膜的技术。利用使Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。由于在加氟碳膜中氟与氢一起排出而减少，因此聚合得到促进。这样就会减少加氟碳膜中的碳的未结合键...

本发明提供一种半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统，包括：具有收纳容器的搬送机构的搬送区域；通过搬入搬出部从收纳容器取下盖并检测被处理体位置的检测机构；从搬送机构将收纳容器交至移载部的交接机构；设在热处理炉下方作业区域、将保持件...

本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器（１４）内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部...

本发明提供绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法，该绝缘膜的形成方法包括对硅露出于其表面的被处理基板实施使上述硅氮化的氮化处理，在硅表面上形成氮化硅膜的步骤；在Ｎ↓［２］Ｏ气氛中对形成有氮化硅膜的被处理基板进行热处理，形成氮氧化硅膜的步...

本发明提供等离子体ＣＶＤ方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体ＣＶＤ装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高...

本发明提供了一种通过使用感应加热方法，能够在不对处理容器自身加热的状态下对被处理体进行加热的处理装置。对于被处理体（Ｗ）施加热处理的处理装置（２０）包括能够收容多个被处理体（Ｗ）的处理容器（２２）、缠绕在处理容器（２２）的外周的感应加热...

本发明描述了一种在蚀刻工艺、灰化工艺或湿法清洁工艺后去除受损的电介质材料的方法。在形成特征之后，进行干法非等离子体去除工艺以去除特征上的受损材料的薄层。干法非等离子体去除工艺包括：化学处理受损材料，然后对经化学处理的表面层进行热处理。化...

在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处...

即使在晶圆位置偏移大到无法检测晶圆周缘部的情况下，也不损坏晶圆而对晶圆进行定位等。根据来自沿着晶圆周缘部形状配设的多个摄像单元的输出图像来分别检测成为对象的晶圆的周缘部（步骤Ｓ２１０），根据能够检测出晶圆周缘部的摄像单元的个数来进行晶圆...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够对覆盖基板的外周缘部分的掩模进行准确的定位。在等离子体处理装置（１）的处理容器（１０）内具有：在非等离子体处理时基台（１２）下降到待机位置、在等离子体处理时基台（１２）上升到处理位置的升降机构（１４）...

作为热处理装置的热处理单元（４）具有：腔室（４２），收容形成有低介电常数层间绝缘膜的晶片（Ｗ）；蚁酸供给机构（４４），向该腔室（４２）内供给气相的蚁酸；和加热器（４３），在通过蚁酸供给机构（４４）供给蚁酸后的腔室（４２）内，对晶片（Ｗ）...

本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储介质。该半导体装置的制造方法，是对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板（Ｗ）进行蚀刻处理或成膜处理的方法，该规定的图案由开口形成，该半导体装置的制造方法包括：将液体和气体混合，...