半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统，包括：具有收纳容器的搬送机构的搬送区域；通过搬入搬出部从收纳容器取下盖并检测被处理体位置的检测机构；从搬送机构将收纳容器交至移载部的交接机构；设在热处理炉下方作业区域、将保持件支撑在盖体上并向热处理炉出入的升降机构；使分割搬送和作业区域的隔壁的开口部与移载部的收纳容器的盖同时开关的门机构；被处理体排列机构。经由通信线路发布的基于初期微动的紧急地震信息由接收部接收或初期微动检测部直接检测初期微动。控制部实行基于接收部接收的紧急地震信息或初期微动检测部检测的初期微动停止半导体制造装置运转的第一工序以及当门机构为打开状态时使其关闭的第二工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和地震受 害扩散减轻系统。
技术介绍
在半导体装置的制造中，存在对作为被处理体的半导体晶片施加 氧化处理、成膜处理等各种处理的工序，作为实行上述处理的装置能 够使用例如能够将多片晶片批量处理的半导体制造装置(也称为立式 热处理装置)(例如参照专利文献l)。该半导体制造装置具备以下部分而构成搬送区域，具有从将作为储存多个晶片的储存装置的前端开启式传送盒(FOUP: Front Opening Unify Pod，也称为载体)搬入搬出的装载端口 (搬入搬出部) 向保管搁板部和移载部搬送或者按其相反方向搬送的搬送机构；从搬 入上述装载端口的前端开启式传送盒的前部取下可装卸的盖并检测前 端开启式传送盒内的晶片的位置的晶片计数器(检测机构)；从上述搬 送机构向移载部交接前端开启式传送盒的前端开启式传送盒抓取器 (交接机构)；升降机构，设置在比热处理炉的炉口更靠下方处形成的 装载区(作业区域)、对在开关上述炉口的盖体上沿着上下方向对将多 片晶片以规定间隔搭载的容器(保持件)进行支撑并搬入搬出热处理 炉；将设置在隔幵上述搬送区域和装载区的隔壁的开口部与上述移载 部上的前端开启式传送盒一同开关的门机构；由上述装载区一侧收容 晶片并将其圆周上的标记例如缺口 (缺口部)的位置对齐的缺口对准 器(排列机构)。但是，上述晶片价格较高，随着处理工序的进行，制造成本增大。 因此，需要慎重采用。专利文献1:日本特开2000-150400号公报但是，在上述的批量式的半导体制造装置中，在装置的结构上，存在硬件和软件方面的各种制约，存在难以具有耐震结构和耐震功能， 没有充分的耐震对策的现状。因此，地震发生后，装置经受大幅度摇 晃，担心会发生端口倒塌、晶片从端口部脱落破损、气体泄漏等受害。 当发生上述受害时，到恢复作业为止复原装置需要很长时间，受害极 大。因此，为了解决相关问题，本申请人首先提出了关于半导体制造 装置中的地震受害扩散减轻方法和地震受害扩散减轻系统的申请(专利申请2007-208863，未公开)。但是，上述申请相关的专利技术并不能充分覆盖半导体制造装置整体。 例如，在装载端口和移载部，存在前端开启式传送盒的盖被取下成为 开放状态的情况，在此情况下一旦经受由地震引起的剧烈晃动，存在 晶片从前端开启式传送盒内飞出，飞出的晶片落地导致破损的情况。此外，如果利用搬送机构搬送前端开启式传送盒时，若经受由地 震引起的剧烈晃动，则担心前端开启式传送盒落地，使盒内的晶片破 损。此外，还担心通过前端开启式传送盒抓取器将前端开启式传送盒 载置到移载部时发生地震，前端开启式传送盒从载置部落下，使盒内 的晶片破损。而且，在热处理后，如果将端口从热处理炉卸下(搬出)时发生 地震，则担心晶片从端口内飞出并落下破损。如果晶片破损飞散到装 载区内，则担心细微的碎片可能会被各驱动部巻入。此外，由于在半导体制造装置中，具有将热处理炉加热到高温的 加热器(加热装置)、在热处理炉内排气减压的泵类、向热处理炉内供 给含有危险气体的处理气体以及不活泼性气体的气体类，因此，在减 轻因地震导致的包括人受害在内的受害扩散时，要求同时重视安全和 早期恢复。
技术实现思路
本专利技术考虑到上述问题，其目的在于提供一种半导体制造装置 的地震受害扩散减轻方法和地震受害扩散减轻系统，其能够预知地震 发生，防止开放中被处理体从收纳容器飞出，防止搬送中收纳容器落 下，以及搬出途中被处理体从保持件飞出，能够将受害抑制在最小限 度，縮短恢复时间。本专利技术提供了一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，该 半导体制造装置包括将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬 出的搬送区域；具有炉口的被处理体的热处理炉；配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域，其中，搬送区域具有收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、 设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机 构，作业区域具有将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖 体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的 开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，半导体制造装 置的地震受害扩散减轻方法的特征在于，包括接收基于经由通信线 路发布的初期微动的紧急地震信息或者直接检测初期微动的工序；基 于接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动停止热处理炉的运转的 第一工序；和与该第一工程并行，当上述门机构为打开状态时使该门 机构进行关动作的第二工序。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于上述热处理炉具备加热器、减压泵、以及供给处理气体或者 不活泼性气体的阀，上述第一工序包括当预测震度为规定值以上时， 关闭上述加热器和上述减压泵，关闭上述处理气体和/或不活泼性气体 的阀，当预测震度未达到规定值时，使上述加热器和/或减压泵保持为 打开的状态，使上述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使上述处 理气体的阀关闭。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于上述热处理炉具备加热器、以及供给处理气体或者不活泼性 气体的阀，上述第一工序包括当预测震度为规定值以上时，关闭上 述加热器，关闭上述处理气体和/或不活泼性气体的阀，当预测震度未 达到规定值时，使上述加热器保持为打开的状态，使上述不活泼性气 体的阀保持为打开的状态，使上述处理气体的阀关闭。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于半导体制造装置还具备从上述搬入搬出部的收纳容器取下盖并 检测被处理体的位置的检测机构，上述第二工序包括当上述检测机 构工作时使该检测机构返回初始状态并关闭盖。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于半导体制造装置具备从上述作业区域一侧收容被处理体并将其 圆周上的标记的位置对齐的排列机构，上述第二工序包括使设置在 上述排列机构的中心位置对齐机构动作从而限制被处理体。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于上述第二工序包括上述搬送机构进行升降动作时使该搬送机 构移动到下降最低的位置并停止。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于搬送装置具有搬送臂，上述第二工序包括当上述搬送机构伸 展搬送臂将收纳容器载置到保管搁板部时或者由保管搁板部取出时， 使搬送臂保持为伸展的状态。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于半导体制造装置具备从上述搬送机构向移载部交接的交接机构， 上述第二工序包括当上述交接机构将收纳容器向移载部交接时，使 交接机构保持为把持收纳容器的状态。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于上述第二工序包括当上述升降机构将保持件从热处理炉内搬 出时，将该保持件再次搬入热处理炉内。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征 在于半导体制造装置具备为了实行上述被处理体的移载而载置保 持件的保持件载置台、以及将载置在该保持件载置台上的保持件锁住 的锁定机构，上述第二工序包括当保持件被载置在上述保持件载置 台上时，上述锁定机构将上述保持件锁住。本专利技术为一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻系统，该半导 体制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，所述半导体制造装置包括：　将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域；　具有炉口的被处理体的热处理炉；和　配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业 区域，其中，　搬送区域具有：收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构，　作业区域具有：将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出 的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，　该半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法的特征在于，包括：　接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息或者直接检测初期微动的工序；　基于接收 的紧急地震信息或者检测到的初期微动停止热处理炉的运转的第一工序；和　与该第一工序并行，当所述门机构为打开状态时使该门机构进行关闭动作的第二工序。

【技术特征摘要】
JP 2007-11-30 2007-309720;JP 2008-10-21 2008-270751. 一种半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，所述半导体制造装置包括将收纳被处理体并且具有盖的收纳容器搬入搬出的搬送区域；具有炉口的被处理体的热处理炉；和配置在热处理炉的下方，通过具有开口部的隔壁而与搬送区域分割的作业区域，其中，搬送区域具有收纳容器的搬入搬出部、收纳容器用的保管搁板部、设置在开口部附近的收纳容器用的移载部、和搬送收纳容器的搬送机构，作业区域具有将搭载有被处理体的保持件载置在开关炉口的盖体上并且向热处理炉内进行搬入搬出的升降机构、以及在开关隔壁的开口部的同时开关移载部上的收纳容器的盖的门机构，该半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法的特征在于，包括接收基于经由通信线路发布的初期微动的紧急地震信息或者直接检测初期微动的工序；基于接收的紧急地震信息或者检测到的初期微动停止热处理炉的运转的第一工序；和与该第一工序并行，当所述门机构为打开状态时使该门机构进行关闭动作的第二工序。2. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于所述热处理炉具备加热器、减压泵、以及供给处理气体或者不 活泼性气体的阀，所述第一工序包括当预测震度为规定值以上时， 关闭所述加热器和所述减压泵，关闭所述处理气体和/或不活泼性气体 的阀，当预测震度未达到规定值时，使所述加热器和/或减压泵保持为 打开的状态，使所述不活泼性气体的阀保持为打开的状态，使所述处 理气体的阀关闭。3. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于所述热处理炉具备加热器、以及供给处理气体或者不活泼性气 体的阀，所述第一工序包括当预测震度为规定值以上时，关闭所述 加热器，关闭所述处理气体和/或不活泼性气体的阀，当预测震度未达 到规定值时，使所述加热器保持为打开的状态，使所述不活泼性气体 的阀保持为打开的状态，使所述处理气体的阀关闭。4. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方 法，其特征在于-所述半导体制造装置还具备从所述搬入搬出部上的收纳WM( F 盖并检测收纳容器内的被处理体的位置的检测机构，所述第二工序包 括当所述检测机构在工作时使该检测机构返回初始状态并关闭盖。5. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方 法，其特征在于半导体制造装置具备从所述作业区域一侧收容被处理体并将其圆 周上的标记的位置对齐的排列机构，所述第二工序包括使设置在所 述排列机构上的中心位置对齐机构动作从而限制被处理体。6. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方 法，其特征在于所述第二工序包括当所述搬送机构进行升降动作时，使该搬送 机构移动到下降最低的位置并停止。7. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方 法，其特征在于搬送装置具有搬送臂，所述第二工序包括当所述搬送机构伸展 搬送臂将收纳容器载置在保管搁板部上时或者从保管搁板部取出时， 使搬送臂保持为伸展的状态。8. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方法，其特征在于半导体制造装置具备从所述搬送机构向移载部交接收纳容器的交 接机构，所述第二工序包括所述交接机构将收纳容器向移载部交接 时，使交接机构保持为把持收纳容器的状态。9. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方 法，其特征在于所述第二工序包括当所述升降机构将保持件从热处理炉内搬出 时，将该保持件再次搬入到热处理炉内。10. 如权利要求1所述的半导体制造装置的地震受害扩散减轻方 法，其特征在于半导体制造装置具备为了实施所述被处理体的移载而载置保持 件的保持件载置台、以及将载置在该保持件载置台上的保持件锁定的 锁定机构，所述第二工序包括当保持件被载...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原佑道，菊池浩，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]