成膜方法、成膜装置及存储介质以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可以获得良好的泄漏特性、线膨胀系数或机械强度的加氟碳膜的技术。利用使Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。由于在加氟碳膜中氟与氢一起排出而减少，因此聚合得到促进。这样就会减少加氟碳膜中的碳的未结合键，泄漏电流变小。另外，由于聚合得到促进，膜变得牢固，因此可以获得硬度、弹性模量之类的机械强度大的加氟碳膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用等离子体形成加氟碳膜的技术。
技术介绍
为了实现半导体装置的高集成化，采用多层配线结构，然而随着微 细化及高集成化的推进，穿过配线的电信号的延迟(配线延迟)对于设 备动作的高速化来说就成为问题。由于该配线延迟与配线的电阻和配线 之间的电容的乘积成比例，因此为了缩短配线延迟，要求实现电极配线 材料的低电阻化、将各层之间进行绝缘的层间绝缘膜的低介电常数化。为此，作为配线材料，正在研究使用电阻率比以往所一直使用的铝(Al) 的电阻率更低的铜(Cu)。另外，作为层间绝缘膜，相对介电常数为2.7左右、具有足够的机 械强度的多孔的含有硅、碳、氧及氢的膜(SiCOH膜)受到关注。本 专利技术人等研究了采用相对介电常数比SiCOH膜更低的、属于碳(C) 及氟(F)的化合物的加氟碳膜(氟碳膜)。由于如果选定原料气体的种类，则该加氟碳膜例如可以确保2.5以 下的低相对介电常数，因此是极为有效的膜，另外作为层间绝缘膜来说， 要求泄漏电流小，并且要求在半导体设备的制造工序中，或在形成了设 备之后，具有足以耐受冲击的机械强度。另外，由于在半导体设备的制造工序中，实施热处理加工或冷却加 工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，其特征在于，利用将Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-5-25 145620/20061. 一种成膜方法，其特征在于，利用将C5F8气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。2. 根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，以相对于CsFs气体 为20%以上、且为60%以下的流量比混合前述氢气。3. 根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，前述CsFs气体 是选自八氟环戊烯气体、八氟戊炔气体及八氟戊二烯气体中的气体。4. 根据权利要求1~3中任意一项所述的成膜方法，其特征在于，前述 加氟碳膜是半导体装置中所含的绝缘膜。5. —种成膜方法，其特征在于，包括下列工序 将想要进行成膜处理的基板放置于处理容器内的放置部上的工序； 从处理容器的上部导入等离子体发生用气体的工序；从基板的下方侧对处理容器内进行真空排气的工序；从导入等离子体发生用气体的高度位置和基板的高度位置之间向处理容器内导入C5F8气体的工序； 向处理容器内导入氬气的工序；从设于与放置部相面对的处理容器的上部并沿着圆周方向形成了多 个狭缝的平面天线构件，向处理容器内供给微波，将CsF8气体和氢气 等离子体化的工序。6. —种成膜装置，其特征在于，具备在内部设置有用于放置基板的放置部的气密的处理容器； 向前述处理容器内供给C5F8气体的机构； 向前述处理容器内供给氢气的机构；为了将前述C5F8气体和氢气等离子体化而向气体供给能量的等离子 体发生机构；对前述处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：松冈孝明，堀込正弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]