光学半导体器件及其制造方法技术

一种光学半导体器件，其被提供有被形成在低浓度ｐ型硅衬底（１）上的低掺杂浓度的ｎ型外延层（第二外延层）（２４）；通过离子注入或类似方法被选择性地形成在ｎ型外延层（２４）中的低掺杂浓度的ｐ型阳极层（第一扩散层）（２５）；被形成在阳极层（２５）上的高浓度ｎ型阴极层（第二扩散层）（９）；包括阳极层（２５）和阴极层（９）的光接收元件（２）；以及被形成在ｎ型外延层（２４）上的晶体管（３）。对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速度晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在同 一衬底上被提供有光接收元件和晶体管的光学半导体 器件以及用于制造该半导体器件的方法。
技术介绍
光接收元件是用于将光信号转换为电信号而被用在各种领域中的元件。尤其是在诸如CD (压缩盘)和DVD (数字多功能盘)这类光盘领域中，光 接收元件是读写光盘上记录的信号的光学头器件(光学拾波器)中重要的关 键器件。随着近年来对更高性能和更高集成度需求的增长，所谓的光电子集 成电路(OEIC)正在发展，该光电子集成电路具有光电二极管，即光接收 元件，以及其它各种电子元件，如双极晶体管、电阻和电容。需要在OEIC 中提供以其高接收灵敏度、高速度和低噪声为特征的光接收元件以及以其高 速和高性能为特征的双极晶体管。作为最近的趋势，为适应对光盘大容量的 需求，诸如蓝光盘(BD)和HD-DVD这类用蓝光半导体激光器(405nm的 波长)作为光源的产品的商业化已经开始。因此，期待在与蓝光半导体激光 器对应的短波长区中实现高速度和高接收灵敏度的OEIC的发展。 以下描述传统光学半导体器件。图8是具有传统结构的光学半导体器件(OEIC)的示意性截面图。附 图的例子中示出的OEIC在同 一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学半导体器件，其在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该光学半导体器件包括：　被形成在第一导电类型的半导体衬底上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层；　被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层；和　被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层，其中　所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，并且所述晶体管被形成在所述第二外延层中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-5-24 143985/20061、一种光学半导体器件，其在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该光学半导体器件包括被形成在第一导电类型的半导体衬底上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层；被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层；和被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层，其中所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，并且所述晶体管被形成在所述第二外延层中。2、 一种光学半导体器件，其在同一村底上被提供有光接收元件和晶体 管，该光学半导体器件包括被形成在第 一导电类型的半导体衬底的上部、具有高掺杂浓度的第 一导 电类型的埋层；被形成在所述埋层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一外延层； 被形成在所述第一外延层上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外 延层；被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型 的第一扩散层；和被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第 二扩散层，其中所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，并且所述晶体 管被形成在所述第二外延层中。3、 根据权利要求1所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形 成在所述第二外延层中的第二导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。4、 根据权利要求2所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形 成在所述第二外延层中的第二导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。5、 根据权利要求1所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形 成在所述第二外延层中的第一导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。6、 根据权利要求2所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形成在所述第二外延层中的第一导电类型的阱层，其中 所述晶体管被形成在所述阱层中。7、 根据权利要求1所述的光学半导体器件，其中 所述第一扩散层的掺杂浓度的峰值被形成在所述第二外延层的表面上。8、 根...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩井誉贵，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]