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一种光学半导体器件，其被提供有被形成在低浓度ｐ型硅衬底（１）上的低掺杂浓度的ｎ型外延层（第二外延层）（２４）；通过离子注入或类似方法被选择性地形成在ｎ型外延层（２４）中的低掺杂浓度的ｐ型阳极层（第一扩散层）（２５）；被形成在阳极层（２５）上...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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