集成电路互连制造技术

一种集成电路的一个实施例包括在多于一个有源层中的有源组件。在一个有源层（２２，３０４，３６０）中的第一导体（２６，３１０，３６６）用来产生静电场，控制在相邻有源层（３０，３２０）中的第一有源元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电^各，且特别地涉及在三维集成电^各中的层之间耦 接信号。
技术介绍
集成电路UC)器件典型地包括大量的有源元件，例如在半导体芯 片上构成层的晶体管。IC器件的规模和复杂度随时间不断增加，且从一 个元件到另一个元件的信号的有效布线(routing)问题相应地增加。三维IC (3D-IC)器件被提出，其中有源元件布置在多于一个叠加 层中。3D-IC器件是有吸引力的，因为第三维度允许更大自由的设计， 并可以允许信号路径长度显著减少。对于特定的应用，可以实现的更紧 密的形状是想要获得的，这允许有比类似的单层器件所需的更小、更薄 且更轻的基片的鲁棒的器件。通过延伸经过这些层的导电通i^各孔(via),信号可以/人3D-IC中 的一层传输到另一层。通孔可以由穿过硅层、衬有绝缘体、并用金属填 充的孔构成。3D-IC器件于是可以通过分开制造各层并堆积这些层来塑 造，从而相邻层上暴露的接触配对来建立与通孔的电连通。构造垂直地经过硅层的通孔增加了制造工艺的复杂度。对于蚀刻工 艺所要求的容差会限制相关层上器件和其它电路组件的密度。此外，通计。特别地，RC时间常数会限制包括这样的通孔的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，在多于一个有源层（２２，３０；３０４，３２０，３６０）中包含有源器件（２４，３２，３０６，３０８，３２２，３６２，３６４），其中至少一个第一有源器件（３４，３２４，３２６）包括在一个有源层中的第一导体（２６，３１０，３６６），和在相邻有源层中的第一有源元件（４０，３３２，３４０），其中该至少一个第一导体（２６，３１０，３６６）操作来产生静电场控制第一有源元件（４０，３３２，３４０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-5-22 11/438,1671. 一种集成电路，在多于一个有源层(22，30；304，320，360)中包含有源器件(24，32，306，308，322，362，364)，其中至少一个第一有源器件(34，324，326)包括在一个有源层中的第一导体(26，310，366)，和在相邻有源层中的第一有源元件(40，332，340)，其中该至少一个第一导体(26，310，366)操作来产生静电场控制第一有源元件(40，332，340)。2. 如权利要求1所述的集成电路，其中所述一个有源层和所述相 邻有源层中的一个(30, 320， 360 )被生长或淀积到所述一个有源层和所 述相邻有源层中的另一个(22, 304， 320 )上。3. 如权利要求1或权利要求2所述的集成电路，其中，第一有源 元件和第一导体构成场效应晶体管(34,324,326 )。4. 如权利要求3所述的集成电路，包括至少一个晶体管(326 )， 其栅极(366 )在位于其沟道(340 )之上的有源层(360 )中；以及至 少一个晶体管(324 )，其栅极(332 )在位于其沟道(332 )之下的有 源层(304 )中。5. 如权利要求1到4中任何一个所述的集成电路，包括由来自第 二导体(310，366 )的静电场控制的第二有源元件(332,340 )，其中， 该第二有源元件所在的有源层(320 )与包含第二导体的有源层(304， 360 )相邻。6. 如权利要求1到5中任何一个所述的集成电路，包括绝缘区域 (28,312,350 ),位于包含第一导体(26,31 0,366 )和第一有源元件 (40， 332， 340 )的有源层之间，其中绝缘区域在第 一导体和第 一有源元件之间的部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：TI卡明斯，PJ屈克斯，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]