半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:3232186 阅读:134 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供具有良好的散热性且容易制造,包括半导体元件的半导体装置。在半导体元件(12)设有被开口(15)位于第1主面(13)侧的非贯穿孔(16)规定的且非贯穿孔(16)被导电材料(17)填充形成的散热路径(18),且散热板(14)通过所述导电材料(17)与半导体元件(12)接合。较好的是使用焊锡作为导电材料(17),一面将焊锡置于半导体元件(12)和散热板(14)之间,一面将溶融的焊锡导入至非贯穿孔(16)形成散热路径(18),并且可以得到将散热板(14)与半导体元件(12)接合的状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置、包括半导体装置的电子器件模块及半导体装置的 制造方法,特别是涉及使半导体装置所包括的半导体元件的散热性提高用的改 良技术。
技术介绍
在包括半导体元件的半导体装置中,半导体元件在其动作中伴有发热的时 候,需要使该发热高效地散热,这在防止半导体元件的恶化或者毁坏,确保半 导体元件的可靠性上颇为重要。因此,提出了各种提高半导体元件的散热性的 技术。对于本专利技术来说值得关注的包括散热单元的半导体装置是例如在日本专利特开2001-284503号公报(专利文献1)中所记载的半导体装置。在该专利文献 1中记载了与通过导体凸点装备在布线基板的主面上的半导体元件相关,设有 散热构件的结构。散热构件由平板状部和设在其中央部的凸部形成。在半导体 元件与其主面大致垂直的方向设有贯穿孔,散热构件的凸部插入所述贯穿孔,且平板状部配置为沿着半导体元件的主面的延伸状态,可以作用使得半导体元 件的发热被散发。这样,专利文献1记载的技术关注的是,通过使散热构件的一部分即凸部 位于伴有发热的半导体元件自身的内部,可以发挥良好的散热性。然而,所述 专利文献1记载的技术中存在下述应该解决的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,包括: 半导体元件;以及 由沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板, 在所述半导体元件设有被非贯穿孔规定且在所述非贯穿孔填充导电材料形成的散热路径,所述非贯穿孔的开口位于所述第1主面侧, 所述散热板通过所述导电材料与所述半导体元件接合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-5-26 146120/20061. 一种半导体装置,其特征在于,包括半导体元件;以及由沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板,在所述半导体元件设有被非贯穿孔规定且在所述非贯穿孔填充导电材料形成的散热路径,所述非贯穿孔的开口位于所述第1主面侧,所述散热板通过所述导电材料与所述半导体元件接合。2. 根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于, 所述导电材料由焊锡构成。3. 根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还包括设在与所述半导体元件的所述第1主面相反的第2主面上的导体膜,所述非贯穿孔的底面被所述导体膜规定。4. 一种电子器件模块,其特征在于,包括 根据权利要求1至3的任意一项所述的半导体装置;以及 形成腔的布线基板,在所述腔以所述散热板朝...

【专利技术属性】
技术研发人员:中越英雄
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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