用于后端线互连结构的具有增强粘合力及低缺陷密度的低介电常数层间介电膜的制造方法技术

一种基本上无缺陷的、具有改进的粘合性的低介电常数介电膜，其通过以下步骤形成：（ａ）将包含至少一个可聚合基团的硅烷偶联剂涂敷到基板的表面，以提供在所述基板上的所述硅烷偶联剂的基本上均匀的涂层；（ｂ）在约９０℃或更高的温度下，加热包含所述硅烷偶联剂涂层的基板，以提供含有Ｓｉ－Ｏ键的表面；（ｃ）用适当的溶剂漂洗经加热的基板，所述溶剂可有效地去除任何残余的硅烷偶联剂；和（ｄ）将介电材料涂敷到漂洗过的含有Ｓｉ－Ｏ键的表面上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路(IC)，更具体地，本专利技术涉及制造IC的方法，所述IC包含了至少低介电常数k、具有与之相关的改进粘合力、低缺陷密度及增强的电性能的层间介电膜。
技术介绍
半导体工业持续地努力改进密度及性能，从而促使采用先进的互连结构(interconnect structure)。例如，已将铜Cu引入作为0.22μm代及以下产品的布线技术，到0.13μm代，可预期低介电常数介电质(相对介电常数为3.8或更低的材料)将与铜互连结构结合以进一步改进性能。在金属化的情况下，合理地直接选择新的布线材料，但金属间介电质(IMD)的选择却不那么明确。许多基于旋涂有机材料或玻璃材料的新低介电常数介电质最近已可应用于半导体工业。但是需要大量的表征鉴定及整合的努力来选择适当的候选材料，然后将这些材料引入到半导体产品中。在IMD的材料选择过程中，通常强调材料的电性能及化学性能。例如，用于先进的互连应用的IMD必须具有低介电常数，低泄漏，高崩溃强度，及在典型的加工温度下良好的热稳定性。虽然在初始的评估过程中可能非常强调这些性能，但在选择用于半导体制造的介电质时，机械性能及可制造性起重要作用，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造集成电路的方法，其包含至少以下步骤：　　　　（ａ）将含至少一个可聚合基团的硅烷偶联剂涂敷到基板的表面，以提供在所述基板上所述硅烷偶联剂的基本上均匀的涂层；　　　　（ｂ）在约９０℃或更高的温度下，加热含所述硅烷偶联剂的所述涂层的所述基板，以在所述基板上提供含Ｓｉ－Ｏ键的表面层；　　　　（ｃ）用适当的溶剂漂洗所述经加热的基板，所述溶剂可有效地去除任何残余的未反应的硅烷偶联剂；及　　　　（ｄ）将介电材料涂敷到漂洗过的含所述Ｓｉ－Ｏ键的表面上。

【技术特征摘要】
US 2001-2-21 09/789,4221.一种制造集成电路的方法，其包含至少以下步骤(a)将含至少一个可聚合基团的硅烷偶联剂涂敷到基板的表面，以提供在所述基板上所述硅烷偶联剂的基本上均匀的涂层；(b)在约90℃或更高的温度下，加热含所述硅烷偶联剂的所述涂层的所述基板，以在所述基板上提供含Si-O键的表面层；(c)用适当的溶剂漂洗所述经加热的基板，所述溶剂可有效地去除任何残余的未反应的硅烷偶联剂；及(d)将介电材料涂敷到漂洗过的含所述Si-O键的表面上。2.权利要求1的方法，其中所述基板为含硅基板、导电金属，金属阻隔介电质、或其中形成有金属线及通路的IC的层间介电层。3.权利要求1的方法，其中所述硅烷偶联剂为任何其中具有至少一个可聚合基团的含硅烷化合物。4.权利要求3的方法，其中所述硅烷偶联剂为下式的化合物 其中，X是选自烯烃、乙烯基和炔烃的可聚合基团；R1和R2可相同或不同且可为氢、烷基、烷氧基、烷基酯、链烯基、炔基、芳基、环烷基；R3为烷基或-C(O)R4基，其中R4为烷基；a和b可相同或不同且为0、1或2，y为1-3，前提条件是a+b+y的总和为3。5.权利要求4的方法，其中所述硅烷偶联剂是烷氧基硅烷。6.权利要求5的方法，其中所述烷氧基硅烷选自乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、乙烯基二苯基乙氧基硅烷、降冰片烯基三乙氧基硅烷和三乙烯基三乙氧基硅烷。7.权利要求1的方法，其中所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙酰氧基硅烷。8.权利要求1的方法，其中所述硅烷偶联...

【专利技术属性】
技术研发人员：AR艾克特，JC海，JC海德里克，KW李，EG里尼格，EE西蒙伊，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]