半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种在ＩＣ电极上形成凸点电极的方法，包括：利用丝焊设备在ＩＣ电极上形成球焊部位；向上移动焊接毛细管；横向移动焊接毛细管然后向下；把丝焊接于球焊部位；和切断丝，通过把焊接毛细管的槽角设定为不大于９０度，使球焊部位高度大于丝直径，可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。本发明专利技术还提供了用上述方法形成的半导体器件。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，其中通过采用金属细丝(丝)的球焊法等、亦即在IC电极上形成凸点的方法，在半导体元件的电极上形成凸点；一种制造该半导体元件的方法；一种采用该半导体元件制造的半导体器件；和该半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来，电子设备已经开发成为尺寸小、重量轻及高功能，这要求电子元件也要为尺寸小、重量轻及高功能。由此来看，针对与本专利技术相关的在IC电极上形成凸点电极的方法，使用丝焊技术的安装方法。以下将结合附图说明利用上述已有的丝焊技术在IC电极上形成凸点电极的方法。图17A～17D是已有的凸点电极形成技术的示意图。图中示出了金丝101、金球102、焊接毛细管103、电路板170上的IC电极104、球焊部位105和凸点电极106。以下说明在IC电极上形成凸点电极的方法。图17A中，在金丝101的尖端形成的金球102被提供在IC电极上，如图17B所示，并由焊接毛细管103焊接在IC电极104上。接着，横向向上移动焊接毛细管103，然后向下，从而把金丝连接于球焊部位105，如图17C所示。随后毛细管103向上移动并切断金丝101，从而形成如图17D所示的凸点电极。以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在ＩＣ电极上形成凸点电极的方法，包括：利用丝焊设备在ＩＣ电极（１０４）上形成球焊部位（１１５）；向上移动焊接毛细管（１１３）；横向移动焊接毛细管然后向下；把丝（１０１）焊接于球焊部位；和切断丝，通过把焊接毛细管的槽角（１０７）设定为不大于９０度，使球焊部位高度大于丝直径，可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。

【技术特征摘要】
JP 1996-10-31 289836/96;JP 1996-10-1 260645/961.一种在IC电极上形成凸点电极的方法，包括利用丝焊设备在IC电极(104)上形成球焊部位(115)；向上移动焊接毛细管(113)；横向移动焊接毛细管然后向下；把丝(101)焊接于球焊部位；和切断丝，通过把焊接毛细管的槽角(107)设定为不大于90度，使球焊部位高度大于丝直径，可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。2.一种在IC电极上形成凸点电极的方法，包括利用丝焊设备在IC电极(104)上形成球焊部位(115)；向上移动焊接毛细管(113)；横向移动焊接毛细管然后向下；把丝焊接于球焊部位；和和切断丝，通过把焊接毛细管的槽直径(109)设定为大于球焊直径，可以防止丝与除球焊部位之外的球焊部位周边接触。3.一种半导体元件，其中，把具有两个突起(40、50)的一个凸点电极(3、300、310)焊接于半导体元件的电路形成表面上的IC电极(2)，所述半导体元件安装于电路板时，所述两个突起与所述电路板上的一个电极接触或靠紧。4.一种半导体元件，包括被焊接于半导体元件(1)的电路形成表面上的IC电极(2)的凸点电极，所述凸点包括与所述电极焊接的第一突起(40)，包含通过使丝一次熔化并凝固而形成的部分及其周边；第二突起(50)...

【专利技术属性】
技术研发人员：东和司，塚原法人，米泽隆弘，八木能彦，北山喜文，大谷博之，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]