一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，本实用新型专利技术在静触头组件内设置第一导磁体，隔离罩两侧设置第二导磁体，在短路电流下对动触头的斥开具有明显的促进作用，并且在产生电弧后，可以在磁场电磁力的作用下，推动电弧快速进入灭弧室，防止电弧乱串，明显提高灭弧效果，有效缩短断路器燃弧时间，提高断路器的短路分断能力。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，本技术在静触头组件内设置第一导磁体，隔离罩两侧设置第二导磁体，在短路电流下对动触头的斥开具有明显的促进作用，并且在产生电弧后，可以在磁场电磁力的作用下，推动电弧快速进入灭弧室，防止电弧乱串，明显提高灭弧效果，有效缩短断路器燃弧时间，提高断路器的短路分断能力。【专利说明】一种具有增强磁场功能的灭弧室结构
本技术涉及低压断路器
，具体涉及一种具有增强磁场功能的灭弧室结构。
技术介绍
低压断路器可以用作电路的短路保护，对限流型断路器来说，在线路短路电流产生时，动触头在短路电流达到预期最大值之前可以被斥开，产生电弧，限制短路电流的上升。动触头的斥开力是和带有反向电流的静触头导体之间相互产生的电动斥力，这种电动斥力实际上是通过电流感应出的磁场来实现的，也可称作电磁力，因此在通过短路电流时动静触头周围磁场越强，动触头就可以越早被电动斥力斥开。一般断路器的触头系统产生磁场的导磁介质为空气，磁阻较大。 在动触头被电动斥力斥开，产生电弧后，灭弧室内气压升高，由于受力的不确定性，电弧很容易在灭弧室内的高压气体作用下产生乱串现象，造成电弧不容易被熄灭，燃烧时间长，对断路器的损坏力度大。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本技术的提供了一种具有增强磁场功能的灭弧室结构具。 本技术采用的技术解决方案是:一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，包括灭弧室组件、静触头组件、隔离罩，所述的隔离罩上还设有若干灭弧栅片，所述的静触头组件内设有第一导磁体，所述的第一导磁体上设有第一卡接头，所述的的隔离罩两侧还设有第二导磁体。 所述的一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，所述的静触头组件上设有U型安装槽，所述的U型安装槽上方还设有安装孔，所述的第一导磁体通过第一卡接头卡接在安装孔内与静触头组件卡接连接。 所述的一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，所述的隔离罩两侧设有安装槽，所述的第二导磁体卡接在安装槽内。 本技术的有益效果是:本技术提供了一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，本技术在静触头组件内设置第一导磁体，隔离罩两侧设置第二导磁体，在短路电流下对动触头的斥开具有明显的促进作用，并且在产生电弧后，可以在磁场电磁力的作用下，推动电弧快速进入灭弧室，防止电弧乱串，明显提高灭弧效果，有效缩短断路器燃弧时间，提高断路器的短路分断能力。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术结构示意图。 图2为本技术内部结构示意图。 图3为本技术静触头组件与第一导磁体结构示意图。 图中1-灭弧室组件，2-静触头组件，3-隔离罩，4-灭弧栅片，5-第一导磁体，6-第二导磁体，21-U型安装槽，22-安装孔，31-安装槽，51-第一卡接头。 【具体实施方式】 现结合图1、图2、图3对本技术进行进一步说明，一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，包括灭弧室组件1、静触头组件2、隔离罩3，所述的隔离罩3上还设有若干灭弧栅片4，所述的静触头组件2内设有第一导磁体5，所述的第一导磁体5上设有第一卡接头51，所述的静触头组件2上设有U型安装槽21，所述的U型安装槽21上方还设有安装孔22，所述的第一导磁体5通过第一卡接头51卡接在安装孔22内与静触头组件2卡接连接。所述的的隔离罩3两侧还设有第二导磁体6。所述的隔离罩3两侧设有安装槽31，所述的第二导磁体6卡接在安装槽31内，通过设置在静触头组件2上第一导磁体5和隔离罩3两侧的第二导磁体6，在短路电流下对动触头的斥开具有明显的促进作用，并且在产生电弧后，可以在磁场电磁力的作用下，推动电弧快速进入灭弧室，防止电弧乱串，明显提高灭弧效果，有效缩短断路器燃弧时间，提高断路器的短路分断能力。【权利要求】1.一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，包括灭弧室组件(I)、静触头组件(2)、隔离罩(3)，所述的隔离罩(3)上还设有若干灭弧栅片(4)，其特征在于，所述的静触头组件(2)内设有第一导磁体(5)，所述的第一导磁体(5)上设有第一卡接头(51)，所述的的隔离罩(3)两侧还设有第二导磁体(6)。2.根据权利要求1所述的一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，其特征在于，所述的静触头组件(2)上设有U型安装槽(21)，所述的U型安装槽(21)上方还设有安装孔(22)，所述的第一导磁体(5)通过第一卡接头(51)卡接在安装孔(22)内与静触头组件(2)卡接连接。3.根据权利要求1所述的一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，其特征在于，所述的隔离罩(3)两侧设有安装槽(31)，所述的第二导磁体(6)卡接在安装槽(31)内。【文档编号】H01H73/18GK204144201SQ201420627661【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日 【专利技术者】丁国辉, 陆俊谦 申请人:浙江天正电气股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有增强磁场功能的灭弧室结构，包括灭弧室组件（1）、静触头组件（2）、隔离罩（3），所述的隔离罩（3）上还设有若干灭弧栅片（4），其特征在于，所述的静触头组件（2）内设有第一导磁体（5），所述的第一导磁体（5）上设有第一卡接头（51），所述的的隔离罩（3）两侧还设有第二导磁体（6）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁国辉，陆俊谦，
申请(专利权)人：浙江天正电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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